応用物理, 第64巻, 第2号 (1995)

• 巻頭言
  • マルチメディアと応用物理　　　　　　　　　　木村 達也

• 総合報告
  • 強磁場下の半導体物性　　　　　　　　　　　　三浦　登

• 解説
  • 第一原理計算による半導体ヘテロ構造の物性設計 　−その現状と限界−　　中山 隆史
  • シリコン基板上HEMT素子　　　　　　　　　　　大堀 達也
  • 複雑系の動的挙動の記述法　−力学系・時系列・遷移系− 　　辻下　徹

• 最近の展望
  • トポロジカルなパターンのスケーリング則　−液晶を例にして− 　　折原　宏，長屋 智之，石橋 善弘

• 研究紹介
  • カルコパイライト化合物CuGaS2の原子層エピタキシー 　−ストイキオメトリー制御の可能性−　　飯田 誠之，坪井　望， 角田 憲寿，寺迫 智昭，井須 敬博
  • HgCdTe の有機金属気相成長 　　　　　　　　安田 和人
  • 微小重力下でのPb系混晶の結晶成長　　　　木下 恭一
  • InAs/Al(Ga)Sb ヘテロ構造の界面制御と光物性　　矢野 満明， 井上 正崇，岩本 嘉男

• 技術ノート　＜原子層エッチング技術＞
  • Se分子線と水素ラジカルを用いたGaAsのエッチング 　　高谷 信一郎，紀川 健
  • 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング 　　目黒 多加志，石井 真司，青柳 克信
  • 塩素吸着とArイオン照射を用いたSiのエッチング 　　松浦　孝，室田 淳一，澤田 康次，大見 忠弘

• 談話室
  • 大学における基礎概念教育の必要性　　　　永宮 正治

• ぶらっくぼーど
  • 第8回分子線エピタキシー国際会議(MBE-VIII)報告　　白木 靖寛