応用物理, 第 64 巻 (1995)

• 第 64 巻, 第 1 号 (1995年1月)
  • 光ファイバー増幅器励起レーザー
  • 半導体光増幅器

• 第 64 巻, 第 2 号 (1995年2月)
  • 強磁場下の半導体物性
  • 第一原理計算による半導体ヘテロ構造
  • シリコン基板上HEMT素子
  • 複雑系の動的挙動の記述法

• 第 64 巻, 第 3 号 (1995年3月)
  • 高密度光記録材料
  • レーザーアブレーションによる光磁気記録用ビスマス置換希土類　
  • ベキ関数型導電特性−解釈と応用−

• 第 64 巻, 第 4 号 (1995年4月)
  • 硼炭化物超伝導体
  • 分子性超伝導体の開発

• 第 64 巻, 第 5 号 (1995年5月)
  • 液晶空間光変調器の技術動向
  • 中エネルギーイオン散乱による表面界面
  • マイクロプローブによる局所分析
  • 磁気超解像による光磁気ディスク，
  • 液晶を用いた波長可変フィルター

• 第 64 巻, 第 6 号 (1995年6月)
  • プラズマ制御と高精度プロセス
  • レーザー・ビームと固体表面との相互作用
  • 低温プロセスプラズマモデリング
  • Si-LSI における Cu 配線

• 第 64 巻, 第 7 号 (1995年7月)
  • SiC のバルク単結晶成長
  • 半導体量子微細構造制御の基本的限界
  • 選択MOVPEによる集積光デバイス
  • リン系化合物半導体の原子オーダー制御

• 第 64 巻, 第 8 号 (1995年8月)
  • 特集： 新しい応用物理の芽

• 第 64 巻, 第 9 号 (1995年9月)
  • 高ピーク出力レーザーとその応用
  • 新固体レーザー材料と非線形光学結晶
  • Physical mesomechanics of plastic deformation

• 第 64 巻, 第 10 号 (1995年10月)
  • バイオ分子素子研究の現状と将来
  • 有機 π-d 電子系の研究動向
  • アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
  • Molecular computing
  • 光二量子化反応性高分子膜を用いた液晶配向制御

• 第 64 巻, 第 11 号 (1995年11月)
  • シリコンデバイスの微細化と性能限界
  • SiO2／Si界面形成の原子スケール制御
  • シリコン結晶中のリン拡散におけるリン-空孔対拡散モデル
  • 高温超伝導薄膜のエピタキシャル方位制御
  • SOIデバイスの研究開発動向

• 第 64 巻, 第 12 号 (1995年12月)
  • 不揮発性メモリー用強誘電体薄膜の信頼性
  • 有機分子膜の構造とトライボロジー
  • 地下き裂・地震断層の評価