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「応用物理」2017年8月号 掲載先進パワー半導体分科会第8回研究会
「SiCパワーMOSFETに残された課題」

  • 主催 応用物理学会先進パワー半導体分科会
  • 日時 2017年9月4日(月) 13:00〜17:00
  • 場所 リファレンス駅東ビル3F会議室H-2
    《交通》JR博多駅筑紫口より徒歩5分
  • 概要 SiCパワーMOSFETの実用開始から数年が経ち,トレンチ型の採用や大電流モジュール化が進み,さらなる高耐圧化も検討されている.一方,ゲート電圧の範囲や,ボディダイオードのオン電圧や通電劣化など,Si-MOSFET,IGBTと比較して,使い方に注意が必要である.使いやすいSiCパワーMOSFETを実現するために,専門家の方々に現状について報告いただき,今後解決すべき課題およびその展望について討論する.
  • 講演
    • 「ボディダイオードの順方向通電劣化抑制のためのバッファ層技術」俵 武志(産総研/富士電機)
    • 「V溝MOSFETの開発と特性」増田 健良(産総研/住友電工)
    • 「SiCトレンチMOSFET特性向上に向けたm面MOS界面窒化現象の制御と理解」濱田 公守(トヨタ自動車)
    • 「鉄道車両駆動システムの省エネに資するSiC-MOSFET」濱田 憲治(三菱電機)
    • 「しきい値電圧変動の課題(仮題)」染谷 満(産総研)
    • 「化合物パワー半導体の信頼性試験標準化動向」山口 浩二(富士電機)
    • 「SiC搭載DIPIPMの開発と展望」渡部 毅代登(三菱電機)
  • 参加費(テキスト代・税込み) 分科会員2,000円,分科会学生会員1,000円,一般4,000円,一般学生1,000円
    当日会場にてお支払いください.
  • 定員 180名(定員になり次第締め切り)
  • 申込締切 2017年8月25日(金)
  • 申込方法 下記URL内の登録フォームにて参加登録してください.
    URL: http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai08.pdf
  • 研究会問合せ先 御神村泰樹(住友電気工業)
    Tel:06-6466-5754 Fax:06-6466-5702
    e-mail: mikamura-yasuki@sei.co.jp
  • 参加登録問合せ先 岡山昇平(応物事務局)
    Tel:03-3828-7723 Fax03-3823-1810
    e-mail: abcdivisions abcjsap