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「応用物理」2017年5月号 掲載応用電子物性分科会研究例会(結晶工学分科会との連携研究会)ワイドバンドギャップ半導体デバイス〜成長およびデバイスプロセスの理解〜

  • 主催 応用物理学会 応用電子物性分科会
  • 日時 2017年6月8日(木) 13:00〜18:00
  • 場所 大阪大学大学院基礎工学研究科 シグマホール(〒560-8531 大阪府豊中市待兼山町1-3 阪急宝塚線「石橋駅」徒歩20分もしくは大阪モノレール「柴原駅」徒歩8分)
    http://www.es.osaka-u.ac.jp/ja/access.html#access1
  • 概要 ワイドバンドギャップ半導体は,これまでにない省エネルギーデバイスを生みだし,グリーン社会実現の鍵となる技術分野です.今回は,結晶・界面,プロセスにおける課題を理解し,ワイドバンドギャップ半導体デバイスの今後の展望について議論することを目的として,「応用電子物性分科会と結晶工学分科会との連携研究会」を企画しました.初日は第一線でご活躍されている方々に下記のプログラムにて招待講演いただきます.二日目は結晶工学分科会研究会となります.
  • 演題
    • 「MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響」
      須田淳(京都大学)
    • 「GaN系トランジスタにおけるMIS界面制御」
      橋詰保(北海道大学)
    • 「ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価」
      畠山哲夫(産業技術総合研究所)
    • 「ALD-SiO2ゲート絶縁膜を有するSiC-MOSキャパシタ特性」
      角嶋邦之(東京工業大学)
    • 「耐圧1 kV超Ga2O3ショットキーバリアダイオード」
      東脇正高(情報通信研究機構)
    • 「ダイヤモンド電子デバイスの最近の進展」
      嘉数誠(佐賀大学)
  • 参加費(テキスト代・消費税込み) 分科会会員2,000円,応用物理学会会員(分科会非会員)5,500円,一般8,000円,学生1,000円
  • 参加申込方法 本分科会webページにて,事前登録をお願いいたします.
    URL:http://annex.jsap.or.jp/ohden/
  • 問合せ先(e-mail) 久保俊晴(名工大) e-mail:kubo.toshiharu@nitech.ac.jp
    重川直輝(大阪市大) e-mail:shigekawa@elec.eng.osaka-cu.ac.jp
    中村成志(首都大) e-mail:s_naka@tmu.ac.jp
    三宅秀人(三重大) e-mail:miyake@elec.mie-u.ac.jp