ホーム 講演会・研究集会 研究集会日程 会合の詳細 第29回シリサイド系半導体研究会 戻る

「応用物理」2017年3月号 掲載第29回シリサイド系半導体研究会

  • 主催 応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会
  • 日時 2017年3月17日(金) 12:00〜15:00
  • 場所 八州学園大学9階 9A教室
    〒220-0021 神奈川県横浜市西区桜木町7-42
    http://www.yashima.ac.jp/univ/about/information/facilities.php
  • 概要 シリサイド半導体はSiテクノロジーとの融合が期待される材料の1つである.今回の研究会ではSiの基礎物性からシリサイドの応用とも関係の深いナノデバイス,スピンデバイス太陽電池応用をとりあげ,第一線でご活躍の先生方よりご講義いただきます.
  • プログラム
    • 太陽電池用シリコン結晶の現状と高効率化への課題
      小椋厚志1,小島拓人1,中村京太郎1,田島道夫1,大下祥雄2(1明大,2豊工大)
    • シリコンにおけるチャージポンプ—電荷とスピンの室温極限操作に向けて—
      小野行徳1,堀匡寛1,土屋敏章2(1静岡大電研,2島根大院総合理工)
    • シリコンスピントロニクスの現状と将来展望
      安藤裕一郎1,小池勇人2,白石誠司1(1京大院工,2TDK)
    • 低温PL/DLTSによるSi中重金属の振る舞い測定
      中村稔,村上進,鵜殿治彦(茨大工)
  • 参加費 一般1,000円(会場にて支払い),学生無料
  • 参加申込方法 当日受付(直接会場にお越しください)
  • 問合せ先 〒432-8561 浜松市中区城北3-5-1
    静岡大学 大学院総合科学技術研究科 工学専攻 電子物質科学コース 立岡浩一
    Tel/Fax:053-478-1099
    e-mail:abctatsuoka.hirokazu abcshizuoka|ac|jp
    URL: http://annex.jsap.or.jp/silicides/