ホーム 講演会・研究集会 研究集会日程 会合の詳細 先進パワー半導体分科会第7回研究会「次世代パワー半導体モジュール... 戻る

「応用物理」2017年2月号 掲載先進パワー半導体分科会第7回研究会「次世代パワー半導体モジュール〜デバイスの真価を発揮させる実装技術〜」

  • 主催 応用物理学会先進パワー半導体分科会
  • 日時 2017年4月12日(水) 9:55〜17:00
  • 場所 東工大大岡山キャンパス西9号館2階ディジタル多目的ホール
    http://www.dst.titech.ac.jp/outline/facility/hall.html
  • 概要 パワー半導体デバイスはSiからSiC,GaNへと実用化が進んでいるが,実装技術がその真価を発揮できるか否かを左右し,電気特性だけでなく劣化や寿命,ユニットの体格までを律する.本研究会では,モジュールの設計から劣化現象,寄生インダクタンス,受動デバイス,耐熱接合・封止技術,高熱伝導絶縁基板までと,実装技術の全体から個別要素まで幅広く取り上げ,かつその分野の最先端を特集する.
  • 講演
    • 10:00〜10:45基調講演「先端SiCパワーモジュール技術〜低インダクタンス,低熱抵抗,高信頼性対応〜」高橋良和(富士電機)
    • 10:45〜11:30基調講演「パワー半導体を支える実装技術と将来動向」今井博和(デンソー)
    • 11:30〜12:00「〜非破壊で診る〜 鉄道車載用パワーモジュールの劣化評価法」福田典子(鉄道総研)
    • 12:00〜12:30「〜パワーモジュール性能を左右〜高耐熱・低インダクタンス構造を如何に実現するか」鈴木達広(日産アーク)
    • 13:30〜14:00「パワーデバイスを生かすコンデンサの適用技術」西山茂紀(村田製作所)
    • 14:00〜14:30「PCU用リアクトルの進化〜圧粉磁心による小型化と鉄損低減〜」服部毅(豊田中央研究所)
    • 14:30〜15:00「次世代パワーモジュール用新規接合材料の開発〜無加圧接合用焼結Cuダイボンド材料〜」江尻芳則(日立化成)
    • 15:00〜15:30「次世代パワー半導体へのモールド封止材料技術〜高温動作,高機能化に向けて〜」辻隆行(パナソニック)
    • 15:55〜16:25「GaN/SiC時代の高耐熱シリコーン」松田剛(信越化学工業)
    • 16:25〜16:55「SiCパワーモジュールのための高熱伝導窒化珪素回路基板」須崎純一(デンカ)
  • 参加費(テキスト代・税込み) 先進パワー半導体分科会会員2,000円,分科会学生会員1,000円,一般4,000円,一般学生1,000円
    当日会場にてお支払いください.
  • 申込方法 下記URLの参加受付システムから4月1日までに参加登録をお願いします.
  • 定員 200名
  • 問合せ先 谷本智(日産アーク) Tel:046-867-5118 e-mail:s-tanimoto@nissan-arc.co.jp
    岡山昇平(応用物理学会事務局) Tel:03-5802-0863 e-mail:
    URL: https://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai07.pdf