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「応用物理」2016年11月号 掲載先進パワー半導体分科会第6回研究会「GaN縦型パワーデバイス実現に向けた課題と現状」

  • 主催 応用物理学会先進パワー半導体分科会
  • 日時 2016年12月13日 13:20〜18:00
  • 場所 キャンパスプラザ京都 第2講義室
    http://www.consortium.or.jp/about-cp-kyoto/access
  • 概要 大幅な省エネルギー化をもたらす次世代パワー半導体は,二酸化炭素排出削減にとって重要なだけでなく,我が国の産業競争力の観点からも重要な技術である.近年,GaN縦型パワーデバイスが次世代パワー半導体として大きな期待を集めているが,バルク基板,エピタキシャル成長,デバイスプロセス技術について,解決すべき課題も多い.本研究会では,GaN縦型パワーデバイス実現に向けた,バルク結晶成長技術からエピ,プロセス技術とデバイス試作について各分野の専門家に講演をいただき,この分野の今後の展開,開発の方向性について討論を行う.
  • 講演
    • 13:20〜13:30「開会のあいさつ」
    • 13:30〜14:10「酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長」三川豊(三菱化学)
    • 14:10〜14:50「GaN結晶中の転位検出と評価」石川由加里(JFCC)
    • 14:50〜15:30「縦型パワーデバイスに向けたGaNホモエピタキシャル成長技術」矢野良樹(大陽日酸)
    • 15:55〜16:35「GaNへのイオン注入と伝導制御」成田哲生(豊田中央研究所)
    • 16:35〜17:15「GaNバルク基板上GaN MOSFETの特性」上野勝典(富士電機)
    • 17:15〜17:55「GaN縦型SBDおよびトレンチMOSFET」岡徹(豊田合成)
    • 17:55〜18:00「閉会のあいさつ」
  • 参加費(テキスト代・税込み) 先進パワー半導体分科会会員※2,000円,分科会学生会員1,000円,一般4,000円,一般学生1,000円
    当日会場にてお支払いください.
    先進パワー半導体分科会賛助会員所属の方は先進パワー半導体分科会会員扱いといたします.
  • 申込方法 下記URLの参加受付システムから事前に参加登録をお願いします.12月1日の登録状況でテキスト印刷部数を決定しますので,以降の登録ではテキストを当日お渡しできない可能性があります.
  • 問合せ先 須田淳(京都大学)
    Tel:075-383-2301 e-mail:suda@kuee.kyoto-u.ac.jp
    上野勝典(富士電機)
    Tel:042-585-6598 e-mail:ueno-katsunori@fujielectric.com
    岡山昇平(応用物理学会事務局)
    Tel:03-5802-0863 e-mail:
    URL:http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai06.pdf