ホーム 本会の賞 論文賞 論文賞受賞者一覧 第33回(2011年度)応用物理学会論文賞 受賞者紹介 戻る

第33回(2011年度)応用物理学会論文賞 受賞者紹介

応用物理学会論文賞委員会 委員長 小長井 誠

本会では,機関誌「応用物理」の本年1,2,3月号を通じ,第33回(2011年度)応用物理学会論文賞の候補者の推薦(自薦・他薦)を募りました.3月11日の締切日までに,応用物理学会論文賞候補論文57件,応用物理学会論文奨励賞候補論文22件,応用物理学会解説論文賞候補論文11件の推薦書類を受理しました.論文賞委員会では,各候補論文について3名の査読をもとに検討を行い,第1次候補論文を選定しました.さらに,全候補論文を委員全員が査読・評価し,委員会全体での議論と検討を経て,第2次の授賞候補論文を選出し,理事会に推薦しました.なおこの過程で,論文賞委員会委員のうち候補論文に著者として含まれていた委員は,選考には加わりませんでした.理事会では,最終審議を行い,下記の方々に論文賞を贈呈することを決定しました.授賞式は来る8月30日に秋季応用物理学会学術講演会(山形大学)で行われます.また,受賞記念講演は,8月29〜9月2日の講演会期中に各論文と関連の深い分科会場で行われます.

なお,論文賞は表彰年度の前々年と前年(2009年と2010年)に,機関誌「応用物理」,または「Japanese Journal of Applied Physics」,「Applied Physics Express」に発表された論文を対象とし,以下3種類があります.

• 応用物理学会優秀論文賞 …
応用物理学の進歩と向上に多大の貢献をなした優秀な原著論文を対象とし,全著者に授与する.
• 応用物理学会論文奨励賞 …
主たる著者が若手研究者(表彰年度4月1日での年齢が35歳未満)である優秀な原著論文を対象とし,主たる著者に授与する.(原則として1名)
• 応用物理学会解説論文賞 …
応用物理学会会員にとってきわめて有益な総合報告,解説およびInvited Paperを対象とし,全著者に授与する.

また,授賞論文数は,応用物理学会優秀論文賞は10件以内,応用物理学会論文奨励賞は10件以内,応用物理学会解説論文賞は3件以内となっています.本年度は応用物理学会優秀論文賞6件,応用物理学会論文奨励賞8件,応用物理学会解説論文賞2件が選ばれました.来年度以降も,多数の優れた候補論文が推薦されることを期待しています.

(注)所属は論文投稿時のものです.
応用物理学会優秀論文賞
受賞者 三谷昌弘(ALTEDEC),遠藤尚彦(ALTEDEC),坪井眞三(ALTEDEC),岡田隆史(ALTEDEC),河内玄士朗(ALTEDEC),松村正清(ALTEDEC)
論文タイトル Relationship between Thin-Film Transistor Characteristics and Crystallographic Orientation in Excimer-Laser-Processed Pseudo-Single-Crystal-Silicon Films
著者 Masahiro Mitani, Takahiko Endo, Shinzo Tsuboi, Takashi Okada,Genshiro Kawachi, and Masakiyo Matsumura
受賞者所属 Advanced LCD Technologies Development Center Co., Ltd.
掲載号 Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 124001

受賞者 李 大成(京大),酒井 道(京大),橘 邦英(京大)
論文タイトル Microplasma-Induced Deformation of an Anomalous Response Spectrum of Electromagnetic Waves Propagating along Periodically Perforated Metal Plates
著者 Dae-Sung Lee, Osamu Sakai, and Kunihide Tachibana
受賞者所属 Kyoto University
掲載号 Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 062004

受賞者 近藤大雄(富士通研,富士通,JST),佐藤信太郎(富士通研,富士通,JST),八木克典(富士通研),原田直樹(富士通研),佐藤元伸(富士通研,富士通,JST),二瓶瑞久(富士通研,富士通,JST),横山直樹(富士通研)
論文タイトル Low-Temperature Synthesis of Graphene and Fabrication of Top-Gated Field Effect Transistors without Using Transfer Processes
著者 Daiyu Kondo1,2,3, Shintaro Sato1,2,3 , Katsunori Yagi1, Naoki Harada1,Motonobu Sato1,2,3, Mizuhisa Nihei1,2,3, and Naoki Yokoyama1
受賞者所属 1 Fujitsu Laboratories Ltd., 2 Fujitsu Limited, 3 JST
掲載号 Appl. Phys. Express 3 (2010) 025102

受賞者 Scott D. Findlay(東大),齋藤智浩(JFCC),柴田直哉(東大,JST),佐藤幸生(東大),松田潤子(産総研),浅野耕太(産総研),秋葉悦男(産総研),平山 司(JFCC),幾原雄一(東大,JFCC,東北大)
論文タイトル Direct Imaging of Hydrogen within a Crystalline Environment
著者 Scott D. Findlay1, Tomohiro Saito2, Naoya Shibata1,3, Yukio Sato1, Junko Matsuda4,Kohta Asano4, Etsuo Akiba4, Tsukasa Hirayama2, and Yuichi Ikuhara1,2,5
受賞者所属 1 The University of Tokyo, 2 Japan Fine Ceramics Center, 3 JST, 4 AIST, 5 Tohoku University
掲載号 Appl. Phys. Express 3 (2010) 116603

受賞者 長汐晃輔(東大),西村知紀(東大),喜多浩之(東大),鳥海 明(東大)
論文タイトル Systematic Investigation of the Intrinsic Channel Properties and Contact Resistance of Monolayer and Multilayer Graphene Field-Effect Transistor
著者 Kosuke Nagashio, Tomonori Nishimura, Koji Kita, and Akira Toriumi
受賞者所属 The University of Tokyo
掲載号 Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 051304

受賞者 江利口浩二(京大),中久保義則(京大),松田朝彦(京大),鷹尾祥典(京大),斧 高一(京大)
論文タイトル Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates
著者 Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono
受賞者所属 Kyoto University
掲載号 Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 056203

応用物理学会論文奨励賞
受賞者 安藤崇志(阪大)
論文タイトル Low Threshold Voltage and High Mobility N-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Hf–Si/HfO2 Gate Stack Fabricated by Gate-Last Process
著者 Takashi Ando, Tomoyuki Hirano, Kaori Tai, Shinpei Yamaguchi, Shinichi Yoshida, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, and Heiji Watanabe
受賞者所属 Osaka University
掲載号 Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 016502

受賞者 矢田慎介(東大)
論文タイトル Single-Crystalline Ferromagnetic Alloy Semiconductor Ge1-xMnx Grown on Ge(111)
著者 Shinsuke Yada, Ryohei Okazaki, Shinobu Ohya and Masaaki Tanaka
受賞者所属 The University of Tokyo
掲載号 Appl. Phys. Express 3 (2010) 123002

受賞者 山端元音(東工大)
論文タイトル Control of Inter-Dot Electrostatic Coupling by a Side Gate in a Silicon Double Quantum Dot Operating at 4.5 K
著者 Gento Yamahata, Tetsuo Kodera, Hiroshi Mizuta, Ken Uchida, and Shunri Oda
受賞者所属 Tokyo Institute of Technology
掲載号 Appl. Phys. Express 2 (2009) 095002

受賞者 日吉 透(京大)
論文タイトル Elimination of the Major Deep Levels in n- and p-Type 4H-SiC by Two-Step Thermal Treatment
著者 Toru Hiyoshi and Tsunenobu Kimoto
受賞者所属 Kyoto University
掲載号 Appl. Phys. Express 2 (2009) 091101

受賞者 正井博和(東北大)
論文タイトル High Photoluminescent Property of Low-Melting Sn-Doped Phosphate Glass
著者 Hirokazu Masai, Yoshihiro Takahashi, Takumi Fujiwara, Syuji Matsumoto, and Toshinobu Yoko
受賞者所属 Tohoku University
掲載号 Appl. Phys. Express 3 (2010) 082102

受賞者 角柳孝輔(NTT物性基礎研)
論文タイトル Generation of Non-Classical Microwave Photon States in an Inductor–Capacitor Resonator Coupled to a Superconducting Flux Qubit
著者 Kosuke Kakuyanagi, Seiichiro Kagei, Shiro Saito, Hayato Nakano, and Kouichi Semba
受賞者所属 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
掲載号 Appl. Phys. Express 3 (2010) 103101

受賞者 片瀬貴義(東工大応セラ研)
論文タイトル High Critical Current Density 4MA/cm2 in Co-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films Grown on (La,Sr)(Al,Ta)O3 Substrates without Buffer Layers
著者 Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
受賞者所属 Materials and Structures Laboratory,Tokyo Institute of Technology
掲載号 Appl. Phys. Express 3 (2010) 063101

受賞者 井上隼一(東工大)
論文タイトル Self Contact Organic Transistors
著者 Jun-ichi Inoue, Hiroshi Wada, and Takehiko Mori
受賞者所属 Tokyo Institute of Technology
掲載号 Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 071605

応用物理学会解説論文賞
受賞者 高野義彦(物材機構)
論文タイトル 新しい鉄系超伝導物質の構造と物性
著者 Yoshihiko Takano
受賞者所属 NIMS
掲載号 応用物理 第79 巻第1号 (2010) pp. 20-24

受賞者 伊藤弘昌(理研)
論文タイトル テラヘルツ波光源:レーザーとメーザーの境界
著者 Hiromasa Ito
受賞者所属 RIKEN
掲載号 応用物理 第79 巻第6号 (2010) pp. 524-529