応用物理学会
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第21回応用物理学会賞(1999年度)受賞者


応用物理学会賞委員会 委員長 松村 正清

応募論文件数
学会賞A(論文賞): 17 件
学会賞B(奨励賞): 13 件
学会賞C(会誌賞): 21 件

(注)御所属は受賞論文執筆当時のものです.
学会賞A(論文賞)

受賞者: 碓井 彰(NEC光エレ研)・砂川 晴夫(NEC光エレ研)・酒井 朗(NEC基礎研)・山口 敦史(NEC基礎研)
論文タイトル: Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy
著者: Akira Usui, Haruo Sunakawa, Akira Sasaki, Atsushi Yamaguchi
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.36 (1997) Pt.2 No.7B pp.L899-L902

受賞者: 逸見 学(NTTシステムエレ研)・植木 武美(NTTエレクトロニクス)・渡邊 正樹(NTTエレクトロニクス)・籔本 周邦(NTTアドバンステクノロジ)
論文タイトル: Gate Oxide Defects in MOSLSIs and Octahedral Void Defects in Czochralski Silicon
著者: Manabu Itsumi, Takemi Ueki, Masaki Watanabe, Norikuni Yabumoto
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.3B pp.1228-1235


学会賞B(奨励賞)

受賞者: 藤井 彰彦(阪大工)
論文タイトル: Polymer Electroluminescent Diodes with Ring Microcavity Structure
著者: Akihiko Fujii, Sergey V. Frolov, Z.Valy Vardeny, Katsumi Yoshino
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) pt.2 No.6B pp.L740-L742

受賞者: 浅野 卓(京大工)
論文タイトル: Relaxation Time of Short Wavelength Intersubband Transition in InGaAs/AlAs Quantum Wells
著者: Takashi Asano, Susumu Noda
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.11 pp.6020-6024

受賞者: 白樫 淳一(電総研)
論文タイトル: Room Temperature Nb-Based Single-Electron Transistors
著者: Jun-ichi Shirakashi, Kazuhiko Matsumoto, Naruhisa Miura, Makoto Konagai
掲載号: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.3B pp.1594-1598


学会賞C(会誌賞)

受賞者: 和田 修(フェムト秒テクノロジー研究機構)
論文タイトル: フェムト秒光半導体デバイスの研究動向−超高速全光スイッチングデバイスとその応用−
掲載号: 応用物理 Vol.67 (1998) No.5 pp.530-536 解説

受賞者: 飯島 康裕(フジクラ)
論文タイトル: 気相法によるイットリウム系超伝導線材の開発
掲載号: 応用物理 Vol.66 (1997) No.4 pp.339-344 解説

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