第12回(2002年春季)応用物理学会 講演奨励賞受賞者紹介 - JSAP 応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第12回(2002年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介


応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 上杉 直

 応用物理学会講演奨励賞は,応用物理学の発展に寄与する優秀な一般講演論文を発表した若手会員(33才以下)に授与し,若手研究者を奨励することを狙いとしています.今回,2002年春季学術講演会(東海大学湘南校舎)で発表された3,981件の一般講演論文の内,申請のあった537件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,審査の結果40名の方々が選ばれました.受賞者の方々には,2002年秋季講演会(新潟大学)にて会長より賞状と記念品が授与されます.
 講演奨励賞の選考は申請のあった一般講演について,発表の新規性と学術的インパクト,本人の寄与率,プレゼンテーションと質疑応答の充実度,ならびに,講演予稿集の記述などを中心に,座長,講演奨励賞審査員,講演会プログラム編集委員が審査します.さらに,審査結果をもとに講演奨励賞委員会にて一般講演件数の1・%以内の枠に絞り込み,その候補論文について理事会で審議され決定されます.講演奨励賞も12回目となり,多数の申請がありましたが候補論文の選考審査では,それぞれの講演分科における絶対的な評価基準を踏まえた審議を行い,質の高い講演論文が選考されたものと確信しています.今後も若手研究者は,上記,評価項目を踏まえて,自信のある投稿論文を講演奨励賞に積極的に応募してください.
 本賞が若手研究者のインセンティブとなり,今後の応用物理学会の発展に結びつくことを期待しています.


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順,敬称は略させて頂きました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
中村 篤志
(静大電子研)
放射線・プラズマエレクトロニクス 29a-YC-8 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製
(静大電子研:浅野浩司,Madan Niraula,青木 徹,畑中義式)
溝上 要
(京大工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 30a-D-4 AC型PDP放電セルにおけるXe励起原子の3次元的挙動の診断
(京大工,ディスプレイ研究所:橘 邦英,坂井徹男
河原 伸幸
(岡山大工)
計測・制御 29p-C-2 光ファイバを用いた光へテロダイン干渉法による未燃ガス温度変化計測
(岡山大工:冨田栄二)
本間 道則
(秋田県立大)
27p-E-7 ホモジニアス−ツイステッドネマティック配向領域を有する偏光無依存型液晶回折格子
(秋田県立大:能勢敏明
飯田 琢也
(阪大院基礎工)
27a-R-8 励起子共鳴を含むナノ微粒子と光の力学的相互作用:微視的応答場を用いた計算
(阪大院基礎工:石原 一)
伊藤 陽太
(名大工)
量子エレクトロニクス 27a-ZE-9 フォトニッククリスタルファイバを用いた短波長領域における波長可変超短パルス光の生成
(名大工:西 典彦,後藤俊夫)
近藤 孝志
(阪大超伝導フォト研)
量子エレクトロニクス 29a-P8-13 汎用カラープリンターを用いたワイヤーグリッドの試作と評価
(阪大超伝導フォト研:長島 健,萩行正憲)
小笠原 一禎
(京大工)
量子エレクトロニクス 30p-ZG-4 第一原理による相対論的配置間相互作用計算プログラムの開発およびそれを用いた結晶中希土類イオンにおける4f-5d遷移スペクトルの解析
(京大工:藤村幸司,足立裕彦)
廣橋 淳二
(三井化学機能材料研)
光エレクトロニクス 27a-ZS-7 KNbO3の周期分極反転構造の作製法
(三井化学機能材料研:山田一博,神尾浩行,七条司朗)
荒武 淳
(NTTフォトニクス研)
光エレクトロニクス 30a-ZS-5 超高速フォトダイオードへのチップ上光インタコネクション
(NTTフォトニクス研:明吉智幸,徳光雅美)
道祖尾 恭之
(筑波大物理工 CREST)
薄膜・表面 27a-P2-3 金属上単一分子のトンネル電子誘起反応
(筑波大物理工CREST,理研**:金 有洙**,吹留博一**,米田忠弘**,川合真紀**,重川秀実
小林 圭
(京大国際融合セ)
薄膜・表面 27a-P2-8 走査型容量原子間力顕微鏡
(京大国際融合セ1,京大院工2:山田啓文2,松重和美1,2
渡辺 隆之
(東工大総理工)
薄膜・表面 28p-ZA-17 a,b軸配向エピタキシャルBi4Ti3O12基薄膜の合成と特性評価(東工大総理工1,東工大応セラ研2,科技団・さきがけ3,東大生研4,日本フィリップス5,太陽誘電6:伊佐 寛2,佐々木 敦2,吉本 護2,長田 実3,野口祐二4,宮山 勝4,斎藤啓介5,鈴木利昌6,藤本正之6,舟窪 浩1
三浦 良雄
(阪大院工)
薄膜・表面 28p-YD-13 金属表面での水素分子の散乱過程における分子回転軸の整列(阪大院工,東大生研:笠井秀明,W.A.Diño,中西 寛)
目黒 貴一
(FCT/JFCC 住友電工)
薄膜・表面 28p-YL-8 大型ダイヤモンド単結晶のホモエピタキシャル成長(II)
(FCT/JFCC1),住友電工2):石橋恵二1),2),今井貴浩1),2)
田代 純一
(東工大応セラ研)
薄膜・表面 30p-YA-5 室温でのTCO(ITO or ZnO /CeO2/Si(111)オールエピタキシャル構造の形成と光電特性(II)(東工大応セラ研,東工大物創:秋葉周作,佐藤周平,渡辺隆之,舟窪 浩,吉本 護)
佐々木 敦
(東工大応セラ研)
ビーム応用 27a-G-5 電子ビーム誘起室温エピタキシャル成長を利用したサファイア薄膜のマイクロパターン形成
(東工大応セラ研:伊佐 寛,吉本 護)
神崎 賢一
(NTT物性基礎研)
ビーム応用 28a-YR-27 ラフネスに対するレジスト薄膜化の影響
(NTT物性基礎研:山口 徹,永瀬雅夫,山崎謙治,生津英夫)
坂本 啓介
(東北大流体研)
ビーム応用 29a-ZE-8 マルチビーム生成装置の開発(3)〜Poly-Siゲート電極エッチングへの応用〜
(東北大流体研,荏原総研1:一木克則1,寒川誠二)
岡本 佳比古
(東大新領域)
応用物性 29p-S-11 LixNaxCoO 2の熱電特性
(東大新領域,科技団**:野原 実,高木英典,北 宏一*,**
湯浅 新治
(産総研 CREST-JST)
応用物性 30a-T-2 強磁性トンネル接合の磁気抵抗と共鳴トンネル
(産総研1,CREST-JST2,JRCAT3:長浜太郎1,2,3,鈴木義茂1,2,3,安藤功1
亀田 義男
(NEC基礎研)
超伝導 28p-ZD-16 SFQ 2×2単位スイッチの完全動作
(NEC基礎研:萬 伸一,田原修一,日高睦夫)
納戸 光治
(大電)
有機分子・バイオエレクトロニクス 27a-YL-11 外部重原子効果を用いた燐光発光有機−無機ハイブリッドEL素子
(九州電力,佐大理工**:後藤康之,江良正直**
田中 賢
(北大電子科研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 28p-Q-15 規則的な孔径を有する自己組織化多孔性膜を用いたバイオインターフェイス
(北大電子科研:竹林允史,下村政嗣)
是津 信行
(東工大資源研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 29a-YQ-8 高分子液晶膜の高感度光表面レリーフ形成における偏光特性
(東工大資源研1,産総研2:福田隆史2,松田宏雄2,関 隆広1
小山 正人
(東芝研開セ)
半導体A(Si) 29p-A-13 Zr窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO2/界面層積層ゲート絶縁膜
(東芝研開セ,環境技術・分析セ,東芝セミコン社**:小池三夫,合瀬路博,本郷智恵,上 田雄一,吉木昌彦,須黒恭一**,西山 彰)
高橋 健介
(武蔵工大工)
半導体A(Si) 29p-E-12 SiO2/Si(111)界面近傍における価電子に対するエネルギー障壁
(武蔵工大工,宇宙研,:ムスタファ ビン セマン,廣瀬和之,服部健雄)
品田 賢宏
(早大理工)
半導体A(Si) 29p-G-5 シングルイオン注入法による極微半導体中の不純物原子位置制御
(早大理工:今村 健,窪 陽介,小山 光,日下智恵,木村哲也,大泊 巌)
上嶋 和也
(NECシリコンシス研)
半導体A(Si) 29p-H-2 多結晶ゲート電極MOSFETの反転容量のグレインサイズ効果
(NECシリコンシス研:山本豊二,最上 徹)
佐藤 琢也
(松下電器くらし環境セ)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
27p-YG-10 Naを添加したCu(In 175BGa Se 2薄膜のステンレス基板上への作製
(松下電器くらし環境セ:橋本泰宏,島川伸一,根上卓之)
好田 誠
(東北大通研)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
29a-P10-17 (Ga,Mn)As/n-GaAsトンネル接合を用いた電気的なスピン偏極電子注入
(東北大通研:大野裕三,耕司,松倉文,大野英男)
岡林 潤
(東大理)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
29a-P10-21 光電子分光から見たGa1-xMnxAs,In1-xMnxAsの相違点,類似点
(東大理1,東大新領域2,KAST3,東工大工4:川貴司1,2,DDSarma2,藤森 淳1,2,TSlupinski3,大岩 顕3,宗片比呂夫3,4
篠原 啓介
(通総研)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
30a-YK-6 超高速472GHz格子整合系InP-HEMT − ゲートリセス構造最適化による速度オーバーシュート効果 −
(通信総研,富士通研,阪大基礎工**:山下良美,遠藤 聡,彦坂康己,松井敏明,三村高志,冷水佐壽**
小林 靖之
(三菱重工基盤研)
結晶工学 27a-ZQ-4 薄膜結晶系Siの成長モデルを用いた膜物性評価の試み
(三菱重工基盤研:佐竹宏次,森田章二)
A.B.M.A.Ashra
(北大)
結晶工学 28a-ZN-7 H2O-vapor-activated growth of ZnO layers on a-sapphire substrates with metalorganic molecular-beam epitaxy
(北大:ISuemune,HKumano)
星野 勝之
(東大生研)
結晶工学 29p-ZM16 GaN/AlGaN量子井戸におけるe1→e3サブバンド間光学遷移の観測
(東大先端研,生研**:平川一彦**,荒川秦彦*,**
岩田 拡也
(産総研)
結晶工学 29a-ZN-6 ZnOSe自然超格子の発見
(産総研:ポール・フォンス,山田昭政,松原浩司,仁木 栄)
栗原 清志
(東大院工・物材機構)
結晶工学 29p-ZQ-14 液滴エピタキシィ法によるInAs量子ドットの1次元配列
(東大院工,物材機構**:尾 正治,小口信行**
早川 知克
(名工大)
非晶質 29a-YB-8 X線照射Al2O3-SiO2:Sm2+ガラスの永続的光ホールバーニング
(名工大:鈴木一弘,野上正行)
高山 知弘
(東大)
応用物理一般 27p-L-8 弱磁性物質における誘起磁気双極子相互作用と粒子配列制御
(東大,科技団**:池添泰弘,開発 徹,植竹宏往,田憲之*,**,北 宏一*,**
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