11　半導体A（シリコン）
11.1 基礎物性・評価
3月28日　9:00〜18:00
28a-K-　/ II
△	1	シリコン基板埋め込みマイクロリチウム2次電池の充放電下における周期的表面形状変化	法大工1，大阪教育大2　○湯浅友樹1，尾之上飛鳥1，栗山一男1，串田一雅2
	2	走査型トンネル顕微鏡によるSi/SiGeヘテロ構造のポテンシャル評価	武蔵工大総研　○奥井登志子，田中祐馬，白木靖寛
	3	第一原理計算によるSi1-XGeXの構造・物性の評価	武蔵工大1，日立基礎研2　○（M）吉田健二1，若林直樹1，諏訪雄二2，丸泉琢也1，白木靖寛1
	4	アルミニウム酸化物によるシリコン表面への電荷移動型ドーピング	明治大学理工1，産総研・次世代半導体研究センター2，半導体MIRAI-ASET3　○（M）昌谷　昂1，多田哲也2，木本賢治3，金山敏彦2，植草新一郎1
	5	Siバイポーラトランジスタの2MeV電子線損傷におけるドーズ率依存性	熊本電波高専1，IMEC2　○葉山清輝1，高倉健一郎1，米岡将士1，大山英典1，Eddy Simoen2，Cor Claeys2
	6	電子線照射SiC MESFETの熱処理による特性回復	熊本電波高専1，新日本無線2，JAXA3，IMEC4　○高倉健一郎1，上村晃史1，葉山清輝1，大山英典1，荒井　学2，久保山智史3，亀澤智博3，Eddy Simoen4，Cor Claeys4
		休 憩 10:30〜10:45
	7	SiO2/Siのホール劣化によるトラップ生成機構	日立生研1，ルネサステクノロジー2　○与名本欣樹1，赤松直俊1，神田直樹2，加藤久幸2
	8	Si/SiO2界面における水素原子と正固定電荷の移動	武蔵工大1，物材機構2　○丸泉琢也1，牛尾二郎2，白木靖寛1
	9	SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性	電通大電子　○（M）涌井貞一，中村　淳，名取晃子
	10	ゲート絶縁膜における金属原子周りの酸素原子の影響についての理論的研究	京大院工　○土井謙太郎，杉野真也，三日月　豊，土井立樹，Pawel Szarek，立花明知
△	11	TEM-EELS法によるゲート/絶縁膜を構成する重元素の局所的な結合状態分析	東芝研究開発セ　○田中洋毅，市原玲華，土屋義規，小山正人，竹野史郎
		昼 食 12:00〜13:00
28p-K-　/ II
	1	イオン注入法によるSiナノ構造へのPドナードーピング	筑波大院電子・物理工1，筑波大特プロ”ナノサイエンス”2，物材機構3　○（M）白川亮太1，辻村理俊1，内田紀行1,2，深田直樹2,3，村上浩一1,2
	2	レーザーアニール法によるSiナノ結晶形成過程	筑波大院電子・物理工1，筑波大特プロ”ナノサイエンス”2，物材機構3　○（M）岡見　威1，内田紀行1,2，深田直樹2,3，村上浩一1,2
△	3	不純物添加がGeコアSi量子ドットの帯電状態に及ぼす影響	広大院・先端研　○牧原克典，池田弥央，東　清一郎，宮崎誠一
	4	不純物添加Si量子ドット/SiO2多重集積構造からの発光	広大院・先端研　○川口恭裕，牧原克典，池田弥央，村上秀樹，東　清一郎，宮崎誠一
	5	熱酸化によるPドープSiナノ細線中のP原子の偏析挙動	筑波大院電子・物理工学1，物材機構2，筑波大特プロ「ナノサイエンス」3，東北大金研4　○松下　聡1，深田直樹2,3，瀬岡雅典1，鶴井降雄4，陳　　君2，関口隆史2，内田紀行1,3，村上浩一1,3
	6	BドープSiナノ細線の水素パッシベーションによる効果	筑波大院電子・物理工1，物材機構2，筑波大特プロ「ナノサイエンス」3，東北大金研4　○岡田直也1，瀬岡雅典1，深田直樹2,3，陣　　君2，関口隆史2，鶴井隆雄4，村上浩一1,3
	7	AFM/KFMによる孤立NiSiドットの帯電状態計測	広大院先端研　○西原良祐，牧原克典，川口恭裕，池田弥央，村上秀樹，東　清一郎，宮崎誠一
	8	リモート水素プラズマ支援によるNi ナノドット形成-ドット密度制御	広大院　先端研　○（B）島ノ江和広，牧原克典，川口恭裕，奥山一樹，西原良祐，池田弥央，松本龍児，東　清一郎，宮崎誠一
	9	シリコンナノチェインの高バイアス電気伝導：安定性及び電子注入の影響	阪大院理　○河野日出夫，竹田精治
	10	球状金属粒子を触媒に用いたウェットエッチングによるシリコンへのミクロンサイズの孔形成	阪大太陽エネ化学研セ　○辻埜和也，李　佳龍，松村道雄
		休 憩 15:30〜15:45
	11	液相中でSi(111)原子ステップに修飾した金属細線局所構造のSTM観察	阪大院工　○重歳卓志，吉松聖菜，森田瑞穂，有馬健太
	12	水素還元雰囲気でのRu-CVD	アルバック半技研　○座間秀昭，西村祐二，石川道夫
▲	13	Formation of High Conductive W Thin Film Using Co Seed Layer	Samsung Electronics　○Eunok Lee，Hyunsu Kim，Eunji Jung，Janghee Lee，Daeyong Kim，Jongho Yun，Byunghee Kim，Gilheyun Choi，Sungtae Kim，Uin Chung，Joo-Tae Moon
	14	pn接合を利用したキャリアライフタイム測定による拡散防止膜の評価	熊大院自　○小村俊一郎，溝上隆之，居村史人，久保田　弘
	15	SOI基板における表面再結合速度の光学的測定による評価(2)	東洋大バイオナノエレ研1，東洋大工2　○宮澤吉康1,2，中島義賢1,2，花尻達郎1,2，小室修二2，鳥谷部　達1,2
△	16	近接場ラマン分光法を用いたSiの応力分布評価	東レリサーチセンター　○村上昌孝，松田景子，杉江隆一，吉川正信
	17	高速駆動ミラーによる擬似線状光源を持つラマン顕微鏡の開発	フォトンデザイン1，明治大2　○清水良祐1，千葉一朗1，菅野忠明1，小瀬村大亮2，山崎浩輔2，掛村康人2，吉田哲也2，小椋厚志2
△	18	擬似線状光源UV-ラマン分光法を用いたSiNパターン膜によるSi最表面歪分布の評価	明治大1，東京エレクトロン AT2　○（M）小瀬村大亮1，山崎浩輔1，掛村康人1，吉田哲也1，小椋厚志1，鴻野真之2，西田辰夫2，中西敏雄2
	19	マイクロ引張試験機を用いたラマン分光法によるシリコンの応力評価方法の検討	堀場製作所1，兵庫県大2　○柏木伸介1，中　庸行1，長井悠宰2，生津資大2，井上尚三2，大槻久仁夫1
11.2 半導体表面
3月27日　9:30〜11:30
27a-ZG-　/ II
	1	Torr圧力領域でのシリコン初期酸化：O2とH2Oによる酸化の比較	弘前大理工1，LBNL2，UCD3　○遠田義晴1，S.Bongjin Mun2，Maximilliano Rossi2，S.Charles Fadley2,3
	2	ゲート酸化膜/シリコン基板界面の原子レベル凹凸の評価	MIRAI-Selete1，東京大学2　○矢野史子1，角村貴昭1，西田彰男1，蒲原史郎1，平本俊郎1,2
	3	Si(111)表面におけるステップフロー自然酸化	筑波大1，学際物質科学研究センター2　○大沢敬一朗1，蓮沼　隆1,2，山部紀久夫1,2
	4	Si熱酸化中の界面近傍におけるSi自己拡散の促進	NTT物性基礎研1，慶大理工2　○植松真司1，伊庭野健造2，伊藤公平2
	5	Si酸化膜中酸素安定サイトと酸素輸送機構	NTT物性基礎研1，三重大工2　○影島博之1，植松真司1，秋山　亨2，伊藤智徳2
	6	シリコンのドライ酸化とウェット酸化の統一運動理論	早大理工1，早大ナノ機構2，科技機構さきがけ3　○渡邉孝信1,2,3，太田洋道1，大泊　巌1,2
	7	フッ酸と塩化第二鉄混和液による発光シリコンの作製及び評価	群馬大学大学院工学研究科　○（M）ジョゲンガイ，安達定雄，宮崎卓幸
	8	ウェットエッチングによるSi(111)表面ステップ形状操作	筑波大数理1，筑波大NIMS2　○尾崎亮太1，蓮沼　隆1,2，山部紀久夫1,2
11.2 半導体表面
3月28日　9:00〜16:45
28a-C-　/ II
	1	導電性ダイヤモンド電極を用いた濃硫酸電解の検討	クロリンエンジニアズ1，東芝　生産技術センター2，芝浦メカトロニクス3　○加藤昌明1，柴田幸弘2，速水直哉2，小林信雄3，黒川禎明3
	2	電気分解した硫酸を用いたレジスト剥離	東芝　生産技術センター1，クロリンエンジニアズ2，芝浦メカトロニクス3　○柴田幸弘1，速水直哉1，加藤昌明2，小林信雄3，黒川禎明3
	3	水素溶解水の異物付着抑制効果	日立生産技術研究所1，日立ハイテク2　○原　浩二1，浜野　恵1，高原洋一1，森口善弘2
	4	SiGe成膜プロセスに及ぼす洗浄時の欠陥の影響	ソニー半導体事業本部　○岡本　彰，渡部秀夫，国安　仁
	5	ベベルブラシ洗浄プロセスの開発 (I)	ソニー　○上村貴之，宇賀神　肇，萩本賢哉，岩元勇人
		休 憩 10:15〜10:30
	6	シリコン窒化膜エッチャントの選択性に与える添加剤の効果	東芝　生産技術センター　○江口勝哉，速水直哉
	7	超臨界CO2による300mm Wafer上のナノパーティクル除去効果	エスペック1，つくばセミテクノロジー2，広大先端研3　○稲原順一1,3，中平　恵2，Kang Shin Chul2，高萩隆行3，長谷川新一2
	8	欠陥消滅型半導体洗浄液によるbare Si上のCu汚染の除去（2）表面形態制御	阪大産研　○高橋昌男，成田比呂晃，劉　イェリン，小林　光
	9	枚葉式洗浄における純水によるVt変動	NEC山形　三生技1，NEC山形　製品技2，NECEL　先デバ事3　○富盛浩昭1，藤倉栄一2，窪田吉孝3，川口　宏3
	10	MMGeによるSi(001)-2。off基板上での均質高密度Ge ナノドットの形成	長岡技科大　○荻原智明，金丸哲史，安井寛治，赤羽正志，高田雅介
	11	薄いSOI層の熱凝集に対するシミュレーション	静大電子研　樊　友軍，ザイナルブルハヌディン，マチェイリゴフスキ，ラトノヌルヤディ，○田部道晴
		昼 食 12:00〜13:00
28p-C-　/ II
	1	Si(110)-16×2表面への水吸着過程のSR-XPS解析	東北大学1，日本原子力研究開発機構2　○中野卓也1，長谷川　智1，富樫秀晃1，加藤　篤1，後藤成一1，寺岡有殿2，吉越章隆2，末光眞希1
	2	水素終端N型及びP型ケイ素(111)(1×1)表面の反応性のP型・N型依存性	東大工1，理研2，東大院新領域3　○小澤秀樹1,2，山田太郎2，加藤浩之2，飯高敏晃2，川合真紀1,2,3
	3	シリコン表面における複数種類有機物分子の吸着脱離挙動(2)	横国大院工　山屋大輔，○羽深　等
	4	Si(111)表面上でのNO解離吸着過程における分子配向効果の解明	阪大院理1，JSTさきがけ2，兵庫県立大3，原子力機構4　橋之口道宏1，○岡田美智雄1,2，盛谷浩右3，寺岡有殿4，笠井俊夫1
	5	チタンシリサイドの初期成長過程におけるSTM/STS測定	横浜国大工　○（D）寅丸雅光，小間大弘，飯田貴則，佐藤和成，首藤健一，大野信也，田中正俊
	6	純水中の懸濁SiO2微粒子により平坦化したSi(001)表面の原子構造と表面創成機構の考察	阪大院工1，熊大院自然科学2　○有馬健太1，久保田章亀2，三村秀和1，加藤　潤1，稲垣耕司1，森　勇藏1，遠藤勝義1，山内和人1
△	7	HF酸処理Si,SiGe(100)表面の初期酸化機構	山形大院工　○（M）永戸雅也，木下友太，廣瀬文彦
		休 憩 14:45〜15:00
	8	角度分解光電子分光法の新しい試み	東北大工学研究科1，JASRAI/SPring-82，武蔵工大3，東北大NICHe4　○（M）荒谷　崇1，樋口正顕1，須川成利1，池永英司2，野平博司3，寺本章伸4，大見忠弘4，服部健雄4
△	9	Siのラジカル窒化により形成したSi3N4/Si界面におけるサブナイトライドと価電子帯オフセット	東北大工学研究科1，JASRI/SPring-82，武蔵工大3，東北大NICHe4　○（M）荒谷　崇1，樋口正顕1，須川成利1，池永英司2，野平博司3，丸泉琢也3，寺本章伸4，大見忠弘4，服部健雄4
△	10	UVラマン分光法によるラジカル窒化Si3N4/Si界面の評価	明大理工1，東北大学工学研究科2，東北大NICHe3　○（B）吉田哲也1，山崎浩輔1，小瀬村大亮1，掛村康人1，小椋厚志1，荒谷　崇2，樋口正顕2，須川成利2，寺本章伸3，大見忠弘3，服部健雄3
	11	高温Si(111)表面への低速金属イオン照射効果のリアルタイムSTM観察(II)	早大理工1，早大材研2　○神岡武文1，内ヶ崎　誠1，大泊　巌1,2
	12	EUPSで測定したSiO2膜のバンド曲がりの膜厚依存性	産総研次半セ1，ルネサス2　○富江敏尚1，葛西　彪1，岩住ひろ美1，片山俊治2，朝山匡一郎2
	13	偏光制御反射型近接場ラマン分光による結晶歪みの高感度イメージング	学習院大院自然科学1，理化学研究所2，阪大院応物3，CREST4　○（M）本橋正史1,2，早澤紀彦2,4，斉藤結花3，河田　聡2,3,4
	14	交流表面光電圧法による熱酸化したCr汚染n型Siにおける表面ポテンシャルの解析	日大工　○石川卓磨，清水博文，池田正則
11.3 絶縁膜技術
3月27日　10:15〜12:00
27a-ZH-　/ II
	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） アルミノシリケート薄膜をトラップ層に用いた不揮発メモリの評価	NECシスデバ研　○斎藤幸重，中川隆史，砂村　潤，五十嵐多恵子，森岡あゆ香，藤枝信次，辰巳　徹
	2	SiリッチSi窒化膜を有するMONOS構造のリテンション特性評価	日立中研　○峰　利之，藤崎耕司，石田　猛，濱村浩孝
△	3	浮遊ゲート型不揮発メモリにおける複合RTSによる異常しきい値電圧変動の解析	日立中研1，ルネサス2　○手賀直樹1，三木浩史1，長部太郎1，小田部　晃1，大津賀一雄1，倉田英明1，蒲原史郎2，池田良広2，冨上健司2，山田廉一1
	4	シリコン酸化膜の熱力学	フェニテックセミコンダクター　○南　眞嗣，白神洋一
△	5	極薄ゲート絶縁膜におけるACストレス下のNBTIに与える回復時間の影響	東芝研開セ1，東芝セミコン社2　○深津茂人1，三谷祐一郎1，萩島大輔1，松澤一也1，井上耕一郎2
△	6	ストレス電圧依存性を考慮したNBTIシミュレータの構築	東芝研究開発センター1，東芝セミコンダクタ社2　○萩島大輔1，深津茂人1，松澤一也1，三谷祐一郎1，井上耕一郎2
	7	窒素濃度依存性を考慮したNBTI機構のモデリングII	東芝　○下川淳二，遠田利之，伊藤早苗，青木伸俊，豊島義明
11.3 絶縁膜技術
3月28日　9:00〜19:00
28a-ZH-　/ II
	1	低速電子衝撃法で形成した1nm-SiN層によるHfO2/Si界面反応の完全防止	阪大産研　今村健太郎，深山権一，○高橋昌男，小林　光
▲	2	Hf(O-t-C4H9)4とSi(O-t-C4H9)4のカクテル原料を用した光MOCVDによるハフニウムシリケ-ト膜の作製と評価	大阪大学 基礎工学研究科　○（D）Hyun Lee，金島　岳，奥山雅則
	3	ポスト酸化法によるHfOxNy薄膜の作製とその評価	東京農工大　工　○（M）大高尚子，徐　龍洋，岩崎好孝，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
	4	金属HfのECRプラズマ酸化によるSi及びGe基板上HfO2膜の作製	東京農工大・工　○（D）長里喜隆，岩崎好孝，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
	5	Al2O3膜をバリアとして用いたHfO2/ Al2O3/Si構造の作製	東京農工大・工　○（B）早瀬行秀，新倉理之，岩崎好孝，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
	6	Metal 堆積+ポスト酸化によるHigh-k膜の成膜プロセスの検討（2）	農工大工　○岩崎好孝，藤谷　潤，蓮見真彦，上野智雄，黒岩紘一
	7	高誘電率HfOxNy絶縁膜のECRプラズマ照射時間依存性	東工大 総理工1，NTT MI研2　○仲野雄介1，佐藤雅樹1，神　好人2，嶋田　勝2，大見俊一郎1
		休 憩 10:45〜11:00
	8	Hf1-XSiXO2/SiO2界面の熱的安定性に対する窒素添加効果	富士通研　○高橋憲彦，山崎隆浩，金田千穂子
	9	HfO2ゲート絶縁膜に対する、Ba或いはN添加がもたらす電子状態への影響	東芝　研究開発センター　○清水達雄，小山正人
△	10	構造最適化によるHfTiSiO高誘電率ゲート絶縁膜の高性能化	阪大工1，キャノンアネルバ2　○有村拓晃1，堀江伸哉1，南　卓士2，北野尚武1,2，小須田　求2，志村考功1，渡部平司1
	11	Pt/HfO2/SiO2/SiでのHfO2/SiO2下部界面が仕事関数に及ぼす効果の第一原理計算による解析	半導体MIRAI-ASET1，ウイーン大2，半導体MIRAI-産総研ASRC3，東大工4　○池田　稔1，Georg Kresse2，生田目俊秀1，鳥海　明3,4
△	12	放射光光電子分光によるHf系ゲート絶縁膜時間依存性の解析	東大工1，STARC2，JST-CREST3　○（B）谷村龍彦1，豊田智史1，組頭広志1,3，尾嶋正治1,3，池田和人2，劉　国林2，劉　紫園2，臼田宏治2
	13	光電子収率分光法によるHfSiOxNyの欠陥準位密度評価	広大院・先端研1，Selete2　○宗高勇気1，大田晃生1，津郷晶也1，中川　博1，村上秀樹1，東　清一郎1，宮崎誠一1，犬宮誠治2，奈良安雄2
		昼 食 12:30〜13:30
28p-ZH-　/ II
	1	窒化によるSiO2中Hf原子拡散の抑制	NECシスデバ研　○五十嵐信行，渡部宏治，増崎幸司，中川隆史，宮村　真
	2	EUPSで測定したHfSiON膜のバンド曲がりの膜厚依存性	産総研次半セ1，ルネサス2　○富江敏尚1，葛西　彪1，岩住ひろ美1，片山俊治2，朝山匡一郎2
▲	3	EBIC法によるHfSiON MOSFETのリーク箇所の観察	物材機構1，筑波大数理物質2，Selete3　○陳　　君1，関口隆史1，高瀬雅美1，深田直樹1，梅沢直人1，大毛利建治1，知京豊裕1，蓮沼　隆2，山部紀久夫2，犬宮誠治3，奈良安雄3
	4	分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡によるHfO2/Si界面シリサイド化反応解析	東大院工1，JST-CREST2，SPring-8/JASRI3，高エネ研4，STARC5　○（M）安原隆太郎1，谷内敏之1，組頭広志1,2，尾嶋正治1,2，郭　方准2,3，小野寛太2,4，木下豊彦2,3，池田和人5，劉　国林5，劉　紫園5，臼田宏治5
	5	窒素添加がHfSiOxのしきい値電圧変動に与える影響	筑波大電子・物理工1，Selete2，TIMS3　○田村知大1，内藤達也1，佐藤基之2，犬宮誠治2，蓮沼　隆1,3，山部紀久夫1,3
	6	短チャネルHigh-k FETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係	東芝研開セ　○齋藤真澄，内田　建
▲	7	Determination of electron energy barrier profiles in HfO2 dielectric using internal photoemission (IPE)	東大院工　○Julie Widiez，西村知紀，喜多浩之，鳥海　明
	8	O3処理を用いた界面層形成によるHfSix/HfO2トランジスタの特性向上	ソニー　○押山　到，田井香織，平野智之，萩本賢哉，上村貴之，カジサラム，安藤崇志，岩元勇人
▲	9	Si extrusionプロセスを用いたsub-1nm EOT　HfSix/HfO2　gate　stackの界面特性評価	ソニー　○カジサラム，安藤崇志，中田征志，平野智之，田井香織，岩元勇人
	10	直接接合HfO2/Si構造で観察される特異なコンダクタンス特性	産総研1，武蔵工大2　○宮田典幸1,2，阿部泰宏1,2，安田哲二1
		休 憩 16:00〜16:15
	11	P型Si/HfO2直接接合に特徴的な蓄積容量の低下	産総研1，武蔵工大2　○阿部泰宏1,2，宮田典幸1,2，白木靖寛2，安田哲二1
△	12	Hf系ゲート絶縁膜/電極界面の実効仕事関数変調機構の統一的理解	大阪大学大学院工学研究科1，筑波大学2，広島大学3，半導体先端テクノロジーズ4，早稲田大学5　○喜多祐起1，吉田慎一1，志村考功1，安武　潔1，渡部平司1，白石賢二2，大田晃生3，宮崎誠一3，奈良安雄4，山田啓作5
	13	ポスト酸化法によるZrNxOy薄膜の熱耐性および界面状態に関する評価	東京農工大・工　○（M）徐　龍洋，大高尚子，蓮見真彦，岩崎好孝，上野智雄，黒岩紘一
	14	正方晶Zr1-xSixO2膜の異方的比誘電率	東芝研究開発センター　○井野恒洋，上牟田雄一，小山正人，西山　彰
	15	メタル/high-k界面の構造と仕事関数の関係：理論計算による検討	千葉大理1，筑波大数理物質科学2　鮎田隆一1，仁井陽道1，○中山隆史1，白石賢二2
	16	不純物偏析に伴うNi-FUSI仕事関数変調効果のNi-Si組成依存性	東芝研開セ1，東芝セミコン社2　○土屋義規1，吉木昌彦1，佐藤基之2，関根克行2，齋藤友博2，中嶋一明2，青山知憲2，古賀淳二1，西山　彰1，小山正人1
△	17	Al界面偏析層形成によるNi-FUSI/HfSiON界面の仕事関数制御	東芝研開セ1，東芝セミコン社2　○土屋義規1，吉木昌彦1，佐藤基之2，関根克行2，齋藤友博2，中嶋一明2，青山知憲2，古賀淳二1，西山　彰1，小山正人1
	18	Metal/HfO2/SiO2 Stackの薄膜EOT領域におけるVfb roll-off挙動	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-AIST2，東大工3　○秋山浩二1，王　文武2，水林　亘2，池田　稔1，太田裕之2，生田目俊秀1，鳥海　明2,3
	19	TiNメタルート/HfSiON MISFETのTiNメタルゲートに起因する付加的移動度成分の解析	東芝R&Dセンター1，東芝セミコン社2　○辰村光介1，飯島良介1，石原貴光1，小山正人1，後藤正和2，渡辺　健2，川中　繁2，高柳万里子2
	20	High-kゲートスタックにおけるRuO2メタルゲート電極の還元反応	半導体先端テクノロジーズ　○門島　勝，杉田義博，網中敏夫，黒澤悦男，中田博之，青山敬幸，奈良安雄，大路　譲
	21	硬X線を用いたメタルゲート/High-k絶縁膜ゲートスタック構造の非破壊観察	物材機構1，東工大2，筑波大3　○大毛利健治1，吉川英樹1，Ahmet Parhat2，角嶋邦之2，山部紀久夫3，小林啓介1，岩井　洋2，知京豊裕1
11.3 絶縁膜技術
3月29日　9:15〜18:30
29a-ZH-　/ II
	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） リアルタイム表面計測を用いた統合Si酸化反応モデルの実験的検証	東北大多元研　○小川修一，高桑雄二
	2	Si(001)表面酸化におけるSi原子放出過程(X)：歪みSi層と第2層酸化速度の相関	東北大1，原研2，秋田高専3　○（D）小川修一1，吉越章隆2，石塚眞治3，寺岡有殿2，高桑雄二1
	3	SiO2/Siの界面準位の性質と水素の役割-Pbセンターの振る舞い-	東芝RDC　○松下大介，加藤弘一，石原貴光，村岡浩一，三谷祐一郎
	4	SiO2/Si界面準位の性質と水素の役割-理論からの予測-	東芝RDC　○加藤弘一，石原貴光，松下大介
	5	界面準位によるMOSFET反転層移動度劣化機構	東芝研開センター　○石原貴光，加藤弘一，松下大介
	6	ヘキサメチルジシラザンとオゾンによる酸化膜形成過程：前駆体分子間の光反応の分析	産総研1，明電舎2　亀田直人1,2，西口哲也1,2，野中秀彦1，○中村　健1，一村信吾1
		休 憩 10:45〜11:00
△	7	赤外吸収分光によるTDMAS・オゾンを用いたSiO2原子層堆積の素過程評価	山形大院工1，日立国際電気2，信越化学3，東北大ナノスピン4　○（M）木下友太1，廣瀬文彦1，宮　博信2，平原和弘3，木村康男4，庭野道夫4
	8	光励起オゾンを用いてポリシリコン上に室温作製したゲート酸化膜の構造観察	明電舎1，産総研2　○亀田直人1,2，西口哲也1,2，森川良樹1，花倉　満1，野中秀彦2，一村信吾2
	9	高密度ラジカルソースの開発とラジカル窒化プロセスへの応用	名大院工1，名大先端研2，片桐エンジニアリング3，NUエコ・エンジニアリング4　小田繁尚1，○近藤博基1，原　安寛1，高島成剛1，酒井　朗1，小川正毅2，財満鎭明1，堀　　勝1，田　昭治3，加納浩之4
△	10	量産型表面波励起プラズマ装置における添加希ガス種によるSi酸化プロセスへの影響	名大院工1，東京エレクトロンAT2　○（D）竹田圭吾1，高島成剛1，塩澤俊彦2，壁　義郎2，北川淳一2，中西敏雄2，堀　　勝1
	11	プラズマ酸化への荷電粒子および電界の影響	東芝生産技術センター　○松葉　博，山華雅司，今野拓也，山内健資
△	12	中性粒子ビーム酸化を用いた低温プロセスでの低リーク電流極薄SiO2膜の形成 (2)	東北大流体研1，東北大院工2，産総研3，大阪大4，京都大5　○生駒　亨1，福田誠一1，三浦英生2，遠藤和彦3，渡部平司4，江利口浩二5，寒川誠二1
		昼 食 12:30〜13:30
29p-ZH-　/ II
△	1	DRAMキャパシタ向けアルミナ絶縁膜のオゾン熱処理による改質	日立中研　○外村　修，松井裕一，濱村浩孝，三木浩史
	2	スパッタ法によるAl2O3成膜と電気特性の評価	アルバック半技研　○西岡　浩，菊地　真，木村　勲，神保武人，鄒　紅コウ
	3	MOCVD用新規アルミニウム錯体の開発	東ソー1，相模中研2　○千葉洋一1，古川泰志1,2，多田賢一2，稲葉孝一郎1,2，山川　哲2，大島憲昭1,2
	4	La2O3/Metalゲートスタック構造での金属の実効仕事関数	東工大フロンティア研1，東工大総合理工2　○（M）足立　学1，角嶋邦之2，パールハットアヘメト1，筒井一生2，杉井信之2，服部健雄1，岩井　洋1
	5	希土類複合酸化物(La-Sc-O)を用いたHigh-kゲート絶縁膜の作製と電気特性評価	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○（M）川那子高暢1，椎野泰洋1，角嶋邦之2，パールハットアヘメト1，筒井一生2，杉井信之2，服部健雄1，岩井　洋1
	6	W/La2O3/Si 構造における酸化膜電荷の評価	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○（M）舘　喜一1，角嶋邦之2，パールハットアハメト1，筒井一生2，杉井信之2，服部健雄1，岩井　洋1
△	7	Au/HfLaOx/SiO2/SiにキャパシターにおけるVFBの組成依存性とその起源の考察	東大院工　○山本芳樹，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海　明
	8	La2O3へのY添加による吸湿の抑制と高誘電率化	東大院工　○（D）趙　　毅，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海　明
△	9	高誘電率と高結晶温度を持つLaTaOxゲート絶縁膜	東大院工　○（D）趙　　毅，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海　明
△	10	MOCVD法により作製したPrシリケート極薄膜の化学結合状態のアニール処理依存性	東工大量ナノエレ研セ・院理工1，武蔵工大工2，武蔵工大総研3，理化学研究所/Spring-84，高輝度光化学研究センター5　○（M）古川亮介1,2，土屋良重1，須藤貴也1，松田　徹2，野平博司2，水田　博1，丸泉琢也2，白木靖寛3，服部健雄3，池永英司4，小林啓介5，小田俊理1
		休 憩 16:00〜16:15
	11	LaOx/ScOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性	武蔵工大工1，東工大総理工2，東工大フロンティア研3，武蔵工大総研4　○竹永祥則1，松田　徹1，野平博司1，椎野泰洋2，角嶋邦之2，パールハットアハメト3，筒井一生2，岩井　洋3，服部健雄3,4
	12	La2O3/Sc2O3積層構造ゲート絶縁膜による耐熱性向上に関する検討(2)	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○（M）椎野泰洋1，角嶋邦之2，Ahmet Parhat1，筒井一生2，杉井信之2，服部健雄1，岩井　洋1
	13	in situ ラジカル窒化LaOxNy膜の耐熱性に関する検討	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○（M）佐藤創志1，舘　喜一1，角嶋邦之2，パールハットアヘメト1，筒井一生2，杉井信之2，服部健雄1，岩井　洋1
	14	LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証	東芝研究開発センター　○高島　章，西川幸江，清水達雄，鈴木正道，松下大介，吉木昌彦，富田充裕，山口　豪，小山正人，福島　伸
	15	LaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート実効仕事関数の熱処理雰囲気依存性	東芝研究開発センター　○鈴木正道，土屋義規，小山正人
	16	Si基板上に堆積したLaOxNy膜の電気的特性	成蹊大工　伊藤正彦，澁谷克則，小林　賢，○川田宣仁，齋藤洋司
	17	ランタンハフネート/Si直接接合MIS構造の電気的特性	東芝研究開発センター　　○谷　喜代恵，小山正人，土屋義規，鈴木正道
	18	La2O3/Ge構造における界面層成長による界面特性改善	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○（M）宋　在烈1，角嶋邦之2，アヘメトパールハット1，筒井一生2，杉井信之2，服部健雄1，岩井　洋1
	19	高い蒸気圧を有するMOCVD用ニオブおよびタンタル錯体の合成	相模中研1，東ソー2　○多田賢一1，古川泰志1,2，稲葉孝一郎1,2，千葉洋一2，山川　哲1，大島憲昭1,2
11.3 絶縁膜技術
3月30日　9:00〜15:00
30a-ZH-　/ II
	1	GeO2/GeとGeO2/SiO2/SiでのGeO2の下地との反応性の違いによる電気特性の差異	東大院工　○（M）能村英幸，西村知紀，喜多浩之，鳥海　明
	2	GeO2/Ge構造におるGeOの脱離による特性劣化の検証とその抑制手法の検討	東大院工　○鈴木　翔，西村知紀，喜多浩之，鳥海　明
△	3	Y2O3/GeとHfO2/Geの界面層消失機構の違いと界面特性への影響	東大院工　○（M）能村英幸，西村知紀，喜多浩之，鳥海　明
	4	高誘電率(LaxY1-x)2O3/Ge MIS特性の実証	東大院工マテリアル工学専攻　○（M）高橋俊岳，趙　　毅，能村英幸，西村知紀，喜多浩之，鳥海　明
	5	Ge MISキャパシターの等価回路と解析	諏訪東京理科大学1，弘前大学2　○福田幸夫1，王谷洋平1，板山泰裕1，田中拓男1，小野俊郎2
	6	Ge MIS界面トラップ密度のスペクトロスコピック測定	諏訪東京理科大1，弘前大2　○王谷洋平1，板山泰裕1，田中拓男1，福田幸夫1，小野俊郎2
△	7	プラズマ窒化によるゲルマニウム窒化膜の形成とその安定性評価	阪大工　○朽木克博，岡本　学，志村考功，安武　潔，渡部平司
		休 憩 10:30〜10:45
	8	Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge-MIS構造の特性	産総研1，東大2　○前田辰郎1，森田行則1，西澤正泰1，高木信一1,2
△	9	Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの電気特性	東大院新領域1，東工大総理工2，帝京科学大学メディア3　○熊谷　寛1，七条真人1，松原　寛1，菅原　聡2，内田恭敬3，高木信一1
	10	オゾン酸化及び熱酸化により作製されたGe酸化膜/Ge MOS構造の電気特性	東大院工学系1，東大院新領域創成科学2，東工大理工3　○（M）西川昌志1，熊谷　寛2，菅原　聡3，高木信一1,2
△	11	低温コンダクタンス法によるSiO2/Ge MIS界面準位の特性評価	東大新領域1，東工大2　○（M）松原　寛1，熊谷　寛1，菅原　聡2，高木信一1
		昼 食 12:00〜13:00
30p-ZH-　/ II
	1	High-kゲート絶縁膜中の欠陥制御　– HfO2中のGe起因欠陥 : Si起因欠陥との比較 –	東芝研開セ　○中崎　靖，鎌田善己，加藤弘一，小山正人
	2	ハロゲン酸前処理におけるH2O2添加がHigh-κ/Ge MOSデバイス特性に与える影響	東芝研開セ　○鎌田善己，井野恒洋，小山正人，西山　彰
	3	SiO2/GaN系MOSキャパシタにおける界面特性の改善	古河電工 横研　○新山勇樹，大友晋哉，神林　宏，野村剛彦，吉田清輝
	4	ホットワイヤーCVD SiNを用いたGe-MIS構造の特性	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-ASRC2，東大院新領域3　○山下良美1，田岡紀之2，原田真臣1，山本豊二1，杉山直治1，高木信一2,3
	5	大気圧非平衡窒素プラズマを用いたGe窒化膜の作成	阪府大1，積水化学工業2　○（B）安部拓也1，吉田真司1，吉村　武1，功刀俊介2，上原　剛2，藤村紀文1
	6	ECRプラズマ照射法によるGeNx層の形成とXPS評価	諏訪東京理科大1，山梨大2，弘前大3　○（B）板山泰裕1，田中拓男1，王谷洋平1，福田幸夫1，佐藤哲也2，中川清和2，豊田　宏3，小野俊郎3
	7	HfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造における熱的安定性評価	広大院　先端研　○中川　博，大田晃生，村上秀樹，東　清一郎，宮崎誠一
	8	High-k/III-V界面制御に向けたモニタリング法の検討：反射率差分光（RDS）の適用可能性	産総研1，物材機構2　○安田哲二1，宮田典幸1，大竹晃浩2
11.3 絶縁膜技術
3月30日　9:30〜12:15
30a-ZK-　/ II
	1	D.C.バイアス印加によるPECVD-TEOS ゲート酸化膜の特性改善	東工大大学院　像情報　○（D）林　　哲，飯野裕明，半那純一
	2	低温塗布プロセスによる高性能酸化シリコン絶縁膜作製技術の開発	産総研光技術　○小笹健仁，植村　聖，末森浩次，吉田　学，星野　聡，鎌田俊英
	3	シリコーンオイルとオゾンガスを用いた酸化Si膜形成における原料供給及びCO2発生割合測定による反応機構の検証	北陸先端大学　○（M）鳥谷部康一，大野晋吾，西岡賢祐，堀田　將
	4	高圧水照射によるSi表面酸化とそのMOS特性	東芝生産技術センター　○勝俣　裕，齋藤　誠，藤田　博，西村絵里子，戸野谷純一，新村　忠
	5	アモルファスSiO2での格子間N2分子の溶解と拡散	科技機構1，AGCエレクトロニクス2，Latvia大3，東工大4　○（P）梶原浩一1，滝本康幸2，平野正浩1，Linards Skuja1,3，細野秀雄1,4
		休 憩 10:45〜11:00
	6	SiO2, Si2N2O, Si3N4, SiC膜中へのH2O分子透過時の双極子モーメント	三菱電機　波光電　○奥　友希，戸塚正裕，石川高英
	7	低速陽電子ビームによるSiN膜の自由体積の評価	筑波大数理1，ルネサス2，産総研3　○（M）伊東健一1，大塚　崇1，上殿明良1，宮河義弘2，村田龍紀2，服部信美2，松浦正純2，浅井孝祐2，大平俊行3，鈴木良一3
	8	プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測	広大1，東エレ2　○三浦真嗣1，大田晃生1，村上秀樹1，東　清一郎1，宮崎誠一1，鴻野真之2，西田辰夫2，中西敏雄2
	9	SiH4/NH3ガスにて形成したLPCVDおよびPECVD-SiN膜の比較（1）ESR評価	香川大工　○（B）土岐篤史，篠原憲晃，神垣良昭
	10	SiH4/NH3ガスにて形成したLPCVDおよびPECVD-SiN膜の比較（2）PL評価	香川大工　○（B）篠原憲晃，土岐篤史，神垣良昭
11.4 分科内総合講演「LSI多層配線に関するプロセス・信頼性メカニズムと最先端技術」
3月28日　10:00〜16:15
28a-ZL-　/ II
	1	イントロダクトリートーク：次世代多層配線開発とメカニズム（10分）	NEC1，東芝2　○林　喜宏1，蓮沼正彦2
	2	密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術（30分）	NECシスデバ研1，NECエレ2　○多田宗弘1，山本博規1，伊藤文則1，成広　充1，植木　誠1，井上尚也1，阿部真理1，齋藤　忍1，竹内常雄1，古武直也1，小野寺貴弘1，川原　潤1，笠間佳子2，泰地稔二2，戸原　誠2，関根　誠2，林　喜宏2
	3	Porous low-k膜を用いた45nm世代CuULKインテグレーション（30分）	ソニー　○香川恵永
	4	最先端光配線技術（30分）	MIRAI-Selete1，日本電気基礎環境研2　○大橋啓之1,2
	5	Ti膜適用によるCu-BM酸化耐性の向上（30分）	東芝セミコン　P技C　坂田敦子，○蓮沼正彦
		昼 食 12:10〜13:10
28p-ZL-　/ II
	1	LSI微細配線埋込銅めっき技術（30分）	日立　日立研　○赤星晴夫
	2	陽電子ビームによるCu/Low-k材料の空孔分析（30分）	産総研計測フロンティア　○大平俊行，鈴木良一
		休 憩 14:10〜14:25
	3	配線信頼性：Cu-SIVメカニズム（30分）	富士通研究所1，富士通2　○中村友二1，鈴木貴志1，河野隆宏2，松山英也2
	4	Ultra low-k膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術（20分）	東芝　セミコン社　○林　裕美，津村一道，島田美代子，渡邉　桂，宮島秀史，臼井孝公，柴田英毅
	5	TDDB信頼度：層間絶縁膜中のCuイオン・ドリフト機構（30分）	日立中研　○武田健一
	6	アセンブリ応力によるトランジスタ特性変動定量化技術と応力緩和構造（30分）	松下電器産業　○竹村康司，佐野　光，小池功二，石川和弘，伊藤　豊，平野博茂
11.4 配線技術
3月29日
29a-P5-　/ II
		ポスターセッション 29a-P5-1〜22　ポスター展示時間9:30〜11:30
	1	水熱合成ゼオライト含有絶縁膜の気相処理によるゼオライト結晶化	産総研ASRC　○吉野雄信，大貫宣喜，秦　信宏
△	2	ポーラスシリカの気相輸送法によるゼオライト化の効果	広大RCNS1，三井化学2　○（P）長　義紀1，高村一夫2，吉川公麿1
△	3	ポーラスゼオライト膜の電流特性のシリレーション処理効果	広大　RCNS1，産総研2　○（M）瀬尾俊紀1，吉野雄信2，清野　豊2，秦　信宏2，吉川公麿1
△	4	ポーラスシリカ膜の水吸着特性	広島　RCNS1，三井化学2　○（B）阿部慧司1，茅場靖剛1，高村一夫2，吉川公麿1
	5	C2H4基含有ポーラスシリカ膜の空孔径分布のポロジエン濃度依存性	帝京科大理工1，産総研2　丸山喜之1，大平俊行2，鈴木良一2，○内田恭敬1
	6	超偏極129Xe NMRによるLow-k膜用多孔質シリカ材料のポア評価	産総研光技術1，産総研ASRC2　○服部峰之1，早水紀久子1，平賀　隆1，山本典孝1，高田省三2，秦　信宏2
	7	ポーラスLow-k SiOCH膜のESR信号	香川大工1，半導体先端テクノロジーズ2　○（M）平田　聡1，神垣良昭1，中尾慎一2，米田克己2，木下啓蔵2，小川真一2
	8	ナノ秒サーモリフレクタンス法によるLow-k材料の熱伝導率測定	産総研　近接場光センター1，産総研　次世代半導体研究センター2　○桑原正史1，鈴木　理1，秦　信宏2，高田省三2，深谷俊夫1，富永淳二1
	9	Si [110], [100]方向に進行するSAWによるlow-k膜のYoung率とPoisson比の決定	産総研ASRC　○瀧村俊則，高田省三，秦　信宏
	10	有機シリカを骨格に導入したポーラスシリカlow-k膜の誘電率と機械強度	産総研ASRC　○高田省三，秦　信宏，瀧村俊則，吉野雄信
	11	UV処理SiOC膜の構造評価	東レリサーチセンター　○三好理子，松田景子，関　洋文，高橋和巳，橋本秀樹，吉川正信
	12	プラズマ共重合反応を利用した分子細孔膜（MPS）の物性制御	NECシステムデバイス研究所　○山本博規，伊藤文則，多田宗弘，竹内常雄，古武直也，林　喜宏
	13	塗布型バリア/キャップを用いたCu/Low-k配線	次世代半導体材料技術研究組合1，住友ベークライト2，JSR3　荒瀬慎哉1，○前田展秀1，滝本嘉夫1，川上博士1，住谷孝治3，本間喜夫1，斎藤英紀2，多田昌弘2，小久保輝一3
	14	バリアメタルスパッタにおけるLow-k層間絶縁膜へのダメージ制御	NEC・シスデバ研　井上尚也，○古武直也，林　喜宏
	15	電子ビーム及びUVキュア処理のCuバリア絶縁膜への影響	ソニー　○橋本幸延，西澤賢一，松谷弘康，田渕清隆，金村龍一
△	16	High-k MIM容量のCu-デュアルダマシン配線中へのインテグレーション	NEC1，NECエレクトロニクス2　○久米一平1，井上尚也1，斉藤　忍1，古武直也1，戸田　猛2，冨留宮正之2，林　喜宏1
△	17	配線応用へ向けたビア構造からのカーボンナノチューブの低温ラジカルCVD成長	早大理工1，MIRAI-Selete2　○（B）横山大輔1，岩崎孝之1，吉田　剛1，佐藤信太郎2，二瓶瑞久2，粟野祐二2，川原田　洋1
	18	リモートプラズマCVD法によるLSIビア配線用カーボンナノチューブの成長	MIRAI-Selete　○佐久間尚志，片桐雅之，酒井忠司，鈴木真理子，佐藤信太郎，二瓶瑞久，百島　孝，粟野祐二
	19	Porous Low-k膜のDirect-CMP技術	半導体先端テクノロジーズ　塩原守雄，丸山浩二，山田浩司，○近藤誠一
	20	酸化剤APSを用いたスラリのCu溶解特性について	富士通研究所1，富士通株式会社2　○神吉剛司1，白数哲哉2，木村孝浩1，中村友二1，宮嶋基守2
△	21	45nm世代以降のSTI-CMPにおける研磨停止膜の影響	富士通1，富士通研究所2　○渡邉崇史1，柴田誠一2，井谷直毅1，加勢正隆1，宮嶋基守1
▲	22	Decrease defects after poly Si CMP with oxide slurry	三星電子1，漢陽大學2　○（P）SangYeob Han1，SeongKyu Yun1，JaeDong Lee1，YiKoan Hong2，JinGoo Park2，BoUn Yoon1，ChangKi Hong1，HanKu Cho1，JooTae Moon1
11.4 配線技術
3月30日
30a-P9-　/ II
		ポスターセッション 30a-P9-1〜19　ポスター展示時間9:30〜11:30
	1	撥水性電着膜によるMEMSデバイスのリリーススティッキング防止	NTT　MI研1，NTT-AT2　○阪田知巳1，桑原　啓1，佐藤昇男1，島村俊重1，石井　仁1，工藤和久2，町田克之2
	2	金めっきによる厚膜多層配線の検討（3）	NTTMI研1，NTTアドバンステクノロジ2　○小野一善1，下山展弘1，佐藤昇男1，森村浩季1，小舘淳一1，工藤和久2，亀井敏和2，石井　仁1，町田克久2
	3	細い幅のCu配線におけるストレスマイグレーション現象	富士通研1，富士通2　○鈴木貴志1，河野隆宏2，塩津基樹2，大塚敏志2，細田　勉2，中村友二1，水島賢子1，松山英也2，庄野　健2
	4	Cu-Mn自己形成バリア層における抵抗減少挙動	JST1，東北大工2　○（P）飯島　純1，小池淳一2
	5	微細化・薄膜化されたCu配線の電気抵抗上昇に影響を及ぼす因子	東芝　セミコン社(CSRD)　○和田　真，東　和幸，梶田明広，柴田英毅
	6	GPa高応力場におけるULSI用Cu材料の特性	東大　○田畑友啓，後藤弘匡，八木健彦，大場隆之
	7	低速陽電子ビームを用いためっきCuおよびPVD-Cu膜の空孔型欠陥の検出	筑波大数理物質1，東芝セミコンダクター社2，産総研3　○上殿明良1，伊東健一1，今水健太郎2，蜂谷貴世2，上條浩幸2，蓮沼正彦2，金子尚史2，豊田　啓2，大平俊行3，鈴木良一3
	8	普及型PALS装置の開発とこれを用いたLSI配線材料の空孔分析	産総研計測フロンティア1，フジ・インバック2　○大平俊行1，鈴木良一1，小林洋一2，高輪正夫2
	9	H2O導入雰囲気におけるスパッタ銅埋め込みの基板温度特性	東京理科大学　○（M）ジャンフォンイン，中野弘文，宇原祥夫，今村　睦，畑山慶成，小串佳己，斉藤　茂
	10	SCFD（Supercritical Fluid Deposition）によるCu膜成長に与える水素の影響	東大院工　○（D）百瀬　健，杉山正和，霜垣幸浩
	11	SCFD(Supercritical Fluid Deposition)による酸化銅薄膜の形成	東大院工1，東大工2　○大久保智弘1，上嶋健嗣2，杉山正和1，霜垣幸浩1
	12	ULSI - Cu配線形成用Cu2O - CVDプロセスの速度論	東大院工　○須佐圭雄，金　　勲，霜垣幸浩
	13	超臨界流体中薄膜堆積法における「形状敏感」堆積モード: Beyond Scalability	山梨大　院医工1，山梨大　工2　○近藤英一1，廣瀬みちる1，鵜飼栄一1，有賀庄作2，長能広大2
	14	Zr(BH4)4を用いたZrB2-ALD技術の検討	アルバック1，トリケミカル研究所2　○津曲加奈子1，畠中正信1，石川道夫1，宇田川　崇2，加田武史2，石川真人2，町田英明2
	15	Hot-wire法におけるラジカル窒化反応させたZrNバリヤの熱的安定性	北見工大　○（D）佐藤　勝，武山真弓，野矢　厚
	16	ZrB2薄膜の低温作製とCu配線における拡散バリヤとしての適用	北見工大1，アルバックマテリアル2，アルバック3　○武山真弓1，中台保夫2，神原正三2，畠中正信3，野矢　厚1
	17	極薄Al膜を積層させたことに伴うAg薄膜の凝集抑制	北見工大　○井波勇樹，川村みどり，阿部良夫，佐々木克孝
	18	PN接合に接続されたI/Oパッド上の無電解NiめっきUBMの膜厚均一性について	九大シス情1，吉玉精鍍株式会社2　○池田晃裕1，佐伯　翼1，坂本　篤1，杉本洋介1，木宮康宏2，福永克明2，黒木幸令1
▲	19	A study of equipment's input parameters effecting to W volcano defect	Samsung electronics　○Yoon Jun
11.5 Siプロセス技術
3月28日　9:30〜18:45
28a-SM-　/ II
	1	ELOを用いたSOI構造形成技術	日立中研　○木村嘉伸，土屋龍太，森田祐介，木村紳一郎
	2	SBSI技術によるその場SOI-MOSFETの形成	セイコーエプソン1，東工大院2　松沢勇介1，原　寿樹1，金本　啓1，久松裕和1，北野洋司1，岡　秀明1，○加藤樹理1，保科正樹1，大見俊一郎2
	3	SiGe選択エッチングのメカニズムとそのデバイス構造依存	セイコーエプソン1，東工大院2　○加藤樹理1，岡　秀明1，金本　啓1，久松裕和1，松沢勇介1，北野洋司1，原　寿樹1，保科正樹1，大見俊一郎2
	4	Si表面に吸着したGeによるMOSデバイスへの影響および洗浄除去性	セイコーエプソン1，東工大院2　金本　啓1，松沢勇介1，原　寿樹1，久松裕和1，北野洋司1，岡　秀明1，○加藤樹理1，保科正樹1，大見俊一郎2
	5	SBSIプロセスによる2層SOI/BOX層の均一形成に関する検討	東工大総理工1，セイコーエプソン2　○（M）野武幸輝1，矢橋健一1，金本　啓2，加藤樹理2，大見俊一郎1
	6	PtSiの高濃度SOI基板上への均一形成	東工大総理工　○高　　峻，野武幸輝，仲野雄介，大見俊一郎
		休 憩 11:00〜11:15
	7	斜入射X線回折による歪みSOIおよびSOI基板の評価：ブラッグ反射強度の出射角依存性	NTT物性基礎研1，兵庫県立大2，CAST3　○尾身博雄1，川村朋晃1，小林慶裕1，藤川誠司2，津坂佳幸2，篭島　靖2，松井純爾3
	8	ひずみSOI基板上のSiGeの酸化濃縮によるひずみSiGe-on-insulator層の形成	MIRAI-ASET1，MIRAI-AIST2，東大院新領域3　○手塚　勉1，平下紀夫1，守山佳彦1，中払　周1，杉山直治1，高木信一2,3
	9	酸化濃縮法によるGe-on-Insulator(GOI) の高純度化条件	MIRAI-ASET1，東芝セラミックス2，MIRAI-AIST3，東大院新領域4　○中払　周1，手塚　勉1，平下紀夫1，豊田英二2，守山佳彦1，杉山直治1，高木信一3,4
	10	In-situ P doped Si選択エピタキシャル成長プロセスにおける成膜圧力依存評価	ソニー　○生田哲也，宮波勇樹，藤田　繁，岩元勇人
	11	Si基板上に直接成長させたGe薄膜のラマン分光	物材機構量子ビームC1，東大マテリアル工学2　○河野健一郎1，石川靖彦2，和田一実2，岸本直樹1
		昼 食 12:30〜13:30
28p-SM-　/ II
	1	Si(100)基板の局所領域へのInP選択成長	阪大産研　荒木啓輔，小笹茂生，藤原淳志，○長谷川繁彦，朝日　一
▲	2	A study of void formation during selective epitaxial growth by selective loss	Samsung Electronics　○Jungkyu Lim，Changhoon Lee
△	3	Alを用いたPSMD(モノシリサイド形成後金属添加)法によるNiSiの耐熱性向上	東工大 フロンティア研1，東工大 総理工2　○永廣侯治1，塩澤崇史1，パールハットアハメト1，角嶋邦之2，筒井一生2，岩井　洋1
	4	Al 層界面挿入によるN+-Si 基板上Ni シリサイドの耐熱性向上	東工大フロンティア研1，東工大総理工2　○（M）塩澤崇史1，永廣侯治1，アヘメトパールハット1，角嶋邦之2，筒井一生2，岩井　洋1
	5	飛行時間型二次イオン質量分析によるNi2Si-NiSi相変化の解析	東海大1，ルネサステクノロジ2　桑原啓彰1，青柳　均1，前川和義2，柏原慶一朗2，山口　直2，浅井孝祐2，本田和仁2，廣瀬幸範2，○小林清輝1
	6	Niシリサイドショットキー障壁の熱処理依存性	東工大フロンティア研1，東工大総合理工2　○（M）大石善久1，角嶋邦之2，パールハットアヘメト1，筒井一生2，杉井信之2，服部健雄1，岩井　洋1
	7	サブミリセカンドアニールによる極薄膜SOI層極浅接合活性化時の光干渉の影響	日立中研　○島　明生，峰　利之，土屋龍太，鳥居和功
	8	イオン注入によって形成される非晶質層厚モデル	富士通研1，富士通2，ナノサイエンス3，Evans4，日新イオン機器5　○鈴木邦広1，多田陽子1，片岡祐治1，川村和郎2，永山　進3，Magee C4，Bueyueklimanli T4，永山　勉5
	9	砒素イオン注入による基板シリコン原子ミキシングの加速電圧依存性	慶大理工1，武蔵工大2，NTTアドバンステクノロジ3　○清水康雄1，伊藤公平1，奥井登志子2，白木靖寛2，高野明雄3
		休 憩 15:45〜16:00
	10	深いトレンチの側壁への斜めイオン注入法(III)	富士電機AT　○高橋孝太，矢嶋理子，藤掛伸二，中澤治雄
	11	Xe+プレアモルファス化注入を用いたGeのn+/p接合形成	広大RCNS1，広大先端研2　○（M）福永哲也1,2，細井卓治1，芝原健太郎1,2
	12	極浅イオン注入Ga、AsのSIMS分析法	富士通研　○多田陽子
	13	急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価	京都工繊大1，WaferMasters2　○吉本昌広1，西垣　宏1，播磨　弘1，一色俊之1，Kitaek Kang2，Woo Sik Yoo2
	14	半導体レーザ光照射によるa-Ge:H膜のミリ秒時間相変化過程のその場観測	広大院　先端研　○（M）酒池耕平，東　清一郎，岡田竜弥，村上秀樹，宮崎誠一
	15	熱プラズマジェット照射により超急速熱処理したSiOx薄膜のフォトルミネッセンス	広大院・先端研　○（M）岡田竜弥，東　清一郎，加久博隆，寄本拓也，村上秀樹，宮崎誠一
	16	ダイレクトSiウェーハボンディングにおける接合特性の評価	東芝セラミックス1，名大院工2，名大エコトピア研3，名大先端研4　○豊田英二1,2，磯貝宏道1，仙田剛士1，泉妻宏治1，中塚　理3，酒井　朗2，小川正毅4，財満鎭明2
	17	非晶質Ge薄膜のNiインプリント成長に与える堆積温度効果	九州大工　○都甲　薫，権丈　淳，佐道泰造
	18	金属誘起固相成長法における雰囲気の影響	山梨大学1，武蔵工業大学2，名古屋工業大学3　○堀江忠司1，三井　実1，有元圭介1，山中淳二1，中川清和1，澤野憲太郎2，白木靖寛2，森谷智一3，土井　稔3
△	19	水素ラジカルを利用したSiナノワイヤーの形成 (1) : 成長温度の影響	東京農工大院工　○（D）全　ミン星，上迫浩一
	20	水素ラジカルを利用したSiナノワイヤーの形成 (2) : 触媒体の影響	東京農工大院工　○（D）全　ミン星，上迫浩一
11.5 Siプロセス技術
3月29日　9:00〜18:45
29a-SM-　/ II
△	1	分子動力学法によるシリコン酸化膜中の酸素分子拡散過程に関する研究II	早大理工1，早大ナノ機構2，科技機構さきがけ3　○（M）太田洋道1，渡邉孝信1,2,3，大泊　巌1,2
	2	大規模モデルによる半導体リーク電流予測のための量子分子動力学法の超高速化	東北大院工1，科技振さきがけ2，東北大未来センター3　○遠藤　明1，大沼宏彰1，坪井秀行1，古山通久1，畠山　望1，高羽洋充1，久保百司1,2，Carlos Del Carpio1，宮本　明1,3
	3	Ni誘起横方向結晶化させたSi0.6Ge0.4薄膜の微細構造と結晶化機構	九大総理工1，九大産学セ2，九大シス情3　板倉　賢1，○増森俊二1，桑野範之2，菅野裕士3，佐道泰造3，宮尾正信3
	4	Ge薄膜におけるNi誘起横方向結晶化機構の解析	九大総理工1，九大産学セ2，九大シス情3　○増森俊二1，板倉　賢1，桑野範之2，菅野裕士3，佐道泰造3，宮尾正信3
	5	Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上	名大院工1，名大エコトピア2，名大先端研3　鈴木敦之1，○中塚　理2，酒井　朗1，小川正毅3，財満鎭明1
		休 憩 10:15〜10:30
	6	次世代メタルゲート材料としてのアモルファス合金の探査	物材機構1，東工大フロンティア2，東工大精研3，東工大応セラ4，阪大院工5，早稲田ナノテク6　○知京豊裕1，桜井淳平3，秦　誠一2，松本祐司4，大毛利健治1，柳生進二郎1，吉武道子1，渡部平司5，山田啓作6，下河邉　明3
	7	ミクタミクトTiSiNゲート電極MOSキャパシタの結晶学的及び電気的特性	名大院工1，名大先端研2　古米孝平1，○近藤博基1，酒井　朗1，小川正毅2，財満鎭明1
	8	TiNゲートMOSFET電気特性のRTA処理温度依存性	明治大学1，産総研2　林田哲郎1，○柳　永勲2，松川　貴2，遠藤和彦2，昌原明植2，大内真一2，石井賢一2，塚田順一2，石川由紀2，小椋厚志1，鈴木英一2
△	9	B，F添加によるPd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調	広大ナノデバイス　○（P）細井卓治，白石博之，芝原健太郎
	10	Mo-Ta積層デュアルメタルゲートのFinFETへの適用の検討	産総研エレ部門　○松川　貴，Yongxun Liu，昌原明植，遠藤和彦，石川由紀，塚田順一，山内洋美，石井賢一，鈴木英一
	11	MMTプラズマを用いたTiN/Si選択酸化プロセスの開発	日立国際電気　○山本克彦，平野晃人，坪田康寿，寺崎　正，小川雲龍
△	12	Siドット低温poly—Si TFTフラッシュメモリにおける高圧水蒸気処理効果	奈良先端大1，日新電機2　○（D）市川和典1，矢野裕司1，畑山智亮1，浦岡行治1，冬木　隆1，東名敦志2，高橋英治2，林　司2，緒方　潔2
	13	高圧水蒸気処理によるAl2O3/Si界面特性の向上	奈良先端大　伊藤宏樹，菅原祐太，矢野裕司，畑山智亮，○浦岡行治，冬木　隆
△	14	大気圧プラズマCVD法による高品質Siエピタキシャル膜の低温成長	阪大院工　○桐畑　豊，田原直剛，大参宏昌，垣内弘章，渡部平司，安武　潔
	15	ホットフィラメントCVDによるCH3SiH3ガスソースSiC/Si/SiC多層構造の形成	九大院工　○奥山亮輔，大谷亮太，生駒嘉史，本岡輝昭
		昼 食 13:00〜14:00
29p-SM-　/ II
	1	原子状水素アニール処理によるプラスチック基板の表面改質と成膜への効果	兵庫県立大　○部家　彰，佐藤真彦，松尾直人
	2	poly-Si薄膜における欠陥の化学的活性度に対する水素化処理の効果	島根大総理工　○大橋康隆，松本　晋，森谷明弘，北原邦紀
	3	プラズマドーピングで形成したp+極浅層における活性化ボロン深さ分布	東工大総理工1，東工大フロンティア研2，武蔵工大3，SPring-84，ユー・ジェー・ティー・ラボ5　○渡邉将光1，松田　徹3，小林勇介1，佐藤創士2，野平博司3，池永英司4，水野文二5，筒井一生1，服部健雄2，岩井　洋2，金　成国5，岡下勝巳5，佐々木雄一郎5，伊藤裕之5，角嶋邦之2
	4	熱プラズマジェット照射超急速熱処理によるSi膜中ドーパントの活性化	広大院　先端研　○加久博隆，東　清一郎，古川弘和，岡田竜弥，寄本拓也，村上秀樹，宮崎誠一
	5	イオン注入されたドーパント原子の低温活性化	東京農工大工1，日新イオン機器2　○下川光次郎1，安藤伸行1，鮫島俊之1，松田恭博2，安東靖典2
	6	半導体レーザ加熱によるイオン注入不純物の活性化	東京農工大1，ハイテックシステムズ2，日新イオン3　○鮫島俊之1，牧　正人1，滝内　芽1，安藤伸行1，佐野直樹2，松田恭博3，安東靖典3
	7	薄膜フォトデバイスの特性解析	龍谷大理工1，革新的材料・プロセス研セ2，セイコーエプソンFD研3　山下毅彦1，島　武弘1，○木村　睦1,2，原　弘幸3
	8	全層にスパッタ膜を使用した高性能多結晶Si薄膜トランジスタ	阪大　接合研　○芹川　正
	9	ダブルパルスレーザ走査結晶化Si薄膜のTFTによる評価	九工大1，九大2，住友重機3　○渡邉一徳1，江崎真彦1，秋山浩司2，中川　豪2，浅野種正2，工藤利雄3
	10	低温poly-Si TFTの光電流特性	日立製作所1，日立ディスプレイズ2　○田井光春1，齊藤照明2，西谷茂之2，佐藤秀夫2，波多野睦子1
	11	高温・低温環境におけるNチャネル低温ポリSi薄膜トランジスタのホットキャリア耐性	日立中研1，日立ディスプレイズ2　○松村三江子1，豊田善章1，境　武志2，波多野睦子1
		休 憩 16:45〜17:00
△	12	Poly-SiTFTの特性とSi膜の構造乱れの相関	液晶先端技術開発C　○三谷昌弘，加藤智也，岡田隆史，坪井眞三，河内玄士朗，松村正清
	13	ラマン分光法を用いた低温poly-Si TFTの応力分布評価	東レリサーチセンター　○松田景子，井上敬子，杉江隆一，村木直樹，吉川正信
	14	多結晶半導体のHall効果のデバイスシミュレーションと実験解析	龍谷大理工1，龍谷大革新的材料・プロセス研2　山岡俊文1，谷　智之1，○木村　睦1,2
△	15	Poly-Si TFTにおけるトラップ準位に起因した過渡的電気特性の解析	阪大工1，奈良先端大2　○（M）岸田悠治1，葛岡　毅1，辻　博史1，桐原正治1，鎌倉良成1，森藤正人1，浦岡行治2，谷口研二1
	16	Poly-Si LDD TFTのチャネル内電位・電界のソース・ドレイン領域不純物濃度依存性	東京工芸大院　山形昌広，平田星史郎，佐藤利文，○丹呉浩侑
	17	デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si LDD TFTのホットキャリヤ劣化の解析	東京工芸大院　平田星史郎，佐藤利文，○丹呉浩侑
	18	p-channel 低温poly-Si TFTのパルスストレス劣化特性の解析	日立中研1，日立基礎研2，日立ディスプレイズ3　○豊田善章1，松村三江子1，波多野睦子1，芝　健夫2，大倉　理3
11.5 Siプロセス技術
3月30日　9:00〜15:00
30a-SM-　/ II
	1	パルス波形制御による2段階横方向成長の抑制	ALTEDEC　○四元茂之，加藤智也，遠藤尚彦，大野　隆，谷口幸夫，東　和文，松村正清
	2	ランダム粒界を殆ど含まないSiの大結晶粒アレイの成長	ALTEDEC　○遠藤尚彦，谷口幸夫，加藤智也，四元茂之，大野　隆，東　和文，松村正清
	3	位相変調エキシマレーザ結晶化特性に及ぼすキャップ膜の影響	ALTEDEC　○加藤智也，四元茂之，遠藤尚彦，大野　隆，東　和文，松村正清
	4	Si薄膜の再結晶化における連続発振レーザー強度分布依存性	東北大院工　○藤井俊太朗，黒木伸一郎，小谷光司，伊藤隆司
△	5	固体グリーンレーザーアニールで結晶化したpoly-Si薄膜のUV/可視ラマン分光法による評価	明大理工1，IHI2　○掛村康人1，山崎浩輔1，小瀬村大亮1，吉田哲也1，小椋厚志1，正木みゆき2，西田健一郎2，川上隆介2，山本直矢1,2
	6	a-Si薄膜のレーザ結晶化における波長が与える効果	山口大院理工1，兵庫県立大院工2　○河本直哉1，石川仁志1，藤原稔久1，上野清志1，三好正毅1，松尾直人2，部家　彰2
	7	水素変調ドープa-Si膜のELAにおける水素の挙動	兵庫県立大1，阪大2，山口大3　○部家　彰，織田和政，芹川　正，河本直哉，松尾直人
		休 憩 10:45〜11:00
	8	エキシマレーザーアニールによる薄膜シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション (III)	九大院工　○三谷隆徳，尾方智彦，岸川隆造，倉永卓英，宗藤伸治，本岡輝昭
	9	2層Si薄膜のレーザー結晶化のプロセスシミュレーション	龍谷大理工1，奈良先端大2　齋藤龍輔1，塚本周史1，○木村　睦1，菅原祐太2，浦岡行治2
△	10	レーザーアニールにより形成された多結晶Siの電流検出型原子間力顕微鏡を用いた局所電気特性評価	高知高専　専攻科　○（B）町田絵美，池上　浩
	11	Poly-Si薄膜の結晶化率評価	東京農工大1，ハイテックシステムズ2　○鮫島俊之1，安藤伸行1，佐野直樹2
	12	AIC法による多結晶Ge薄膜の低温形成	九大院システム情報　○津村宜孝，菅野裕士，権丈　淳，佐道泰造，宮尾正信
	13	非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長に於ける触媒種効果（Ni,Co,Cu,Pd）	九大システム情報　萩原貴嗣，○黒澤昌志，菅野裕士，権丈　淳，佐道泰造，宮尾正信
	14	パルスRTAによるNi内包フェリチンタンパク質を用いたシリコン薄膜の結晶化	奈良先端大1，松下電器産業2　○越知誠弘1，南条泰弘1，菅原祐太1，浦岡行治1，冬木　隆1，奥田光宏2，山下一郎2
	15	大気圧熱プラズマジェットによるa-Siの結晶化とその場観測	埼玉大院理工1，埼玉大工2，理研3　○（M）呂　民雅1，櫻井祐介1，春田浩司2，小林知洋3，白井　肇1
		昼 食 13:00〜14:00
30p-SM-　/ II
	1	熱プラズマジェット結晶化Si膜の欠陥密度評価	広大院・先端研1，産総研2　○寄本拓也1，東　清一郎1，加久博隆1，岡田竜弥1，村上秀樹1，宮崎誠一1，松井卓矢1，増田　淳2，近藤道雄2
	2	マイクロ波加熱による非晶質シリコンの結晶化	山梨大工1，連携2，武蔵工大3　○（D）芦澤里樹1，三井　実1，堀江忠司1，有元圭介1，山中淳二1，中川清和1，荒井哲司2，高松利行2，澤野憲太郎3，白木靖寛3
△	3	レーザプラズマX線とエキシマレーザを併用したa-Si膜の低温結晶化	兵庫県立大工学研究科1，兵庫県立大高度研2，日本技術センター3，明昌機工4　○（M）上拾石和也1，部家　彰1，天野　壮2，高梨泰幸1，宮本修治2，竹迫涼一3，足立真士4，松尾直人1，望月孝晏2
	4	CW赤外レーザー間接加熱を用いたシリコン薄膜の結晶化	東京農工大学工1，ハイテック・システムズ2　○（P）安藤伸行1，下川光次郎1，牧　正人1，鮫島俊之1，佐野直樹2
11.6 Siデバイス/集積化技術
3月27日　10:00〜18:00
27a-SC-　/ II
	1	ゲートエッジ成分によるMOSトランジスタのしきい値電圧Vthばらつき検討	東京大学1，SELETE2　○（D）Arifin Tamsir Putra1，西田彰男2，蒲原史朗2，平本俊郎1,2
△	2	酸化濃縮法により作製された超薄膜(110)面GOI p-MOSFET	東大工（東大,工）1，東大新（東大,新）2，東工大理工（東工大,理）3　○（M）Sanjeewa Dissanayake1，熊谷　寛2，周藤悠介1，菅原　聡3，高木信一1,2
	3	(110)面上の非等方ひずみSi p-MOSトランジスタ技術−概念とドレイン電流向上特性−	半導体MIRAI-AIST1，半導体MIRAI-ASET2，神奈川大理3，東大新領域4　○水野智久1,3，入沢寿史2，守山佳彦2，平下紀夫2，沼田敏則2，手塚　勉2，杉山直治2，高木信一1,4
△	4	45nm世代向け高移動度PFETの低電圧駆動向け最適化	ソニー1，東芝セミコンダクター社2，NECエレクトロニクス3　○守屋美夏1，太田和伸1，佐貫朋也2，山崎　崇1，山口理恵2，東郷光洋3，岩本敏幸3，新居英明2，大野圭一1，池田昌弘3，岩井正明2，斎藤正樹1
	5	SOIナノトランジスタにおける少数アクセプターによるコンダクタンス変調	NTT物性基礎研1，静大電研2，北大情報3　○小野行徳1，西口克彦1，藤原　聡1，山口浩司1，猪川　洋2，高橋庸夫3
		休 憩 11:15〜11:30
	6	シリコンの高電界輸送を見直す　ーオームの法則と速度飽和ー	筑波大電物　○名取研二
	7	ゲート不純物起因リモートクーロン散乱へのゲート絶縁膜高誘電率化の影響	東芝　研開セ1，東芝　セミコン社2　○中林幸雄1，石原貴光1，清水　敬2，古賀淳二1
	8	SOI膜厚5nmの(100)面UTB nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ	東大生研　○清水　健，筒井　元，平本俊郎
	9	Si-MOSFET2次元電子系のエネルギー緩和(II)-散乱プロセスとスクリーニング効果	東大生研・ナノ量子機構1，東大新領域2　○朴　敬花1，平川一彦1，高木信一2
△	10	GOI(Ge-On-Insulater)MOSチャネル中の正孔の速度-電界特性	東京大学工学系研究科1，東京大学新領域創成科学研究科2，東京工業大学理工学研究科3　○（M）田辺　聡1，上原貴志2，中根了昌1，菅原　聡3，高木信一1,2
	11	III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較	東大院新領域1，東大院工学系2，東工大院理工3　○高木信一1，杉山正和2，菅原　聡3
		昼 食 13:00〜14:00
27p-SC-　/ II
	1	次世代トランジスタの性能指標の提案	富士通1，富士通研究所2　○宮本真人1，吉田英司2，籾山陽一2，児島　学1
△	2	アンダーラップ・トリプル・ゲート SOI MOSFETの3次元シミュレーション結果の考察	関西大院　○吉岡由雅，大村泰久
△	3	電流交差型 (XC) SOIトランジスタ動作の解析的モデルによる考察	関西大院　○東　　優，吉岡由雅，大村泰久
	4	BOX膜厚10nmを有する基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの特性評価	東大生研1，沖電気工業2　○大藤　徹1，更屋拓哉1，下川公明2，堂前泰宏2，長友良樹2，井田次郎2，平本俊郎1
	5	Bulk FinFETにおける基板バイアス効果の検討	東大生研　○高橋啓介，大藤　徹，平本俊郎
	6	FinFETにおけるラフネスによる閾値電圧ばらつきの検討	慶應大理工　○井上麻奈美，大石　崇，中野誠彦
	7	リセス型ソース・ドレイン構造Finトランジスタの電気特性	東芝　研究開発センター　Sauter Thimo，中林幸雄，木下敦寛，○古賀淳二
		休 憩 15:45〜16:00
	8	FinFETのSpacer領域形状変化のデバイス特性への影響	東工大総理工1，東工大フロンティア研2，IIT Bombay3　○（M）小林勇介1，筒井一生1，角島邦之1，Hariharan Venkanarayan3，Rao V.Ramgopal3，Ahmet Parhat2，岩井　洋2
	9	TiNメタルゲートFinFET CMOSテクノロジー	産総研　○柳　永勲，松川　貴，遠藤和彦，昌原明植，石井賢一，大内真一，山内洋美，塚田順一，石川由紀，鈴木英一
	10	4端子FinFETを用いたCMOSインバータの特性評価	産総研エレ部門　○遠藤和彦，石川由紀，Y. Liu，松川　貴，大内真一，石井賢一，昌原明植，塚田順一，山内洋美，鈴木英一
	11	4T-FinFETによる論理回路の消費電力削減	産総研エレ部門　○大内真一，昌原明植，YongXun Liu，遠藤和彦，松川　貴，日置雅和，堤　利幸，関川敏弘，小池汎平，鈴木英一
	12	4端子MUGFET最適ゲート仕事関数の調査	産総研1，NXP2，IMEC3　○昌原明植1，Radu Surdeanu2，Liesbeth Witters3，Gerben Doornbos2，Viet Nguyen2，Geert van den Bosch3，Christa Vrancken3，Margorzata Jurczak3
	13	非対称ゲート絶縁膜厚を有する4端子FinFETの開発	産総研1，NXP2，IMEC3　○昌原明植1，Radu Surdeanu2，Liesbeth Witters3，Gerben Doornbos2，Viet Nguyen2，Geert van den Bosch3，Christa Vrancken3，Margorzata Jurczak3
	14	一軸性ひずみSOIを用いたTri-Gate nMOSFETの高性能化	MIRAI-ASET1，MIRAI-AIST2　○入沢寿史1，手塚　勉1，杉山直治1，高木信一2
	15	バンド間トンネルを考慮した短チャネルダブルゲートGe-MISFETの性能予測	半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-産総研ASRC2，東大院新領域3　○山本豊二1，原田真臣1，田岡紀之2，山下良美1，杉山直治1，高木信一2,3
11.6 Siデバイス/集積化技術
3月28日　9:30〜12:00
28a-ZQ-　/ II
	1	高濃度フッ素注入を行ったhigh-k pMISFETに対する砒素注入の影響	ルネサステクノロジ　○林　　岳，水谷斉治，井上真雄，由上二郎，土本淳一，西田征男，山下朋弘，尾田秀一，井上靖朗
	2	32 nm technology node 高性能MOSFETにおけるゲート電極仕事関数と不純物最適設計に関する検討	東芝システムLSI第一事業部1，東芝半導体研究開発センター2　○粟野実佐1，楠　直樹1，藤井　修1，吉村尚郎1，宮下　桂1，中山武雄1，安達甘奈2，東　篤志2
	3	フルシリサイドゲートトランジスタにおけるライナー窒化膜のストレス効果	ルネサステクノロジ　○西田征男，永久克己，宮河義弘，林　　岳，山下朋弘，由上二郎，尾田秀一，井上靖朗
	4	リセストチャネル・埋め込みソース/ドレイン構造に依る高誘電体ゲート絶縁膜Schottky素子の特性向上	東芝　研究開発センター　○小野瑞城，小山正人，西山　彰
△	5	32nm世代向けエレベーテッド・ソースドレイン エクステンション技術	東芝 システムLSI第一事業部1，東芝 半導体研究開発センター2，東芝 プロセス技術推進センター3　○岡本晋太郎1，安武信昭2，宮下　桂1，糸川寛志3，水島一郎3，西村尚志3，粟野実佐1，楠　直樹1，中山武雄1
		休 憩 10:45〜11:00
	6	Metal/Ge接合におけるDisorder層の挿入によるピニング準位のシフト	東大工　濱石光洋，○西村知紀，喜多浩之，鳥海　明
	7	SulfurのMetal/Ge接合界面への導入によるFermi Level Pinningへの影響	東大院工　○西村知紀，喜多浩之，鳥海　明
	8	第一原理計算による低コンタクト抵抗実現に向けたNiSi/Si界面設計	東芝研究開発センター　○山内　尚，木下敦寛，土屋義規，古賀淳二，加藤弘一
△	9	原子状水素アニールによるSi/Ge/SOI構造メタルS/D pMOSFETの特性改善	東大院・新領域1，東大院・工学系2，東工大院・総合理工3　○上原貴志1，田辺　聡2，松原　寛1，中根了昌2，菅原　聡3，高木信一1,2
11.6 Siデバイス/集積化技術
3月29日　9:30〜17:45
29a-ZQ-　/ II
▲	1	Investigation of Sub 40nm Cell Contact using DPT (Double-Patterning Technology) for a Nand Flash memory	Samsung Electronics　○Hyunseok Jang，Hyun Park
	2	電子線検査による電位コントラスト像を用いたDRAMリテンション特性の測定	日立中研　○小高貴浩，阿南義弘，高口雅成
▲	3	A Shallow Trench Isolation using P-SOG for Sub-70nm DRAM Device	Samsung Electronics　○Dongchan Lim，Sooik Jang，Taegon Kim，Kwanheum Lee，Heedon Hwang，Ohseong Kwon，Chanwon Kim，Byeongyun Nam，Jeonglim Nam，Jootae Moon
	4	45nm世代高集積SRAM向け Shared Contact加工変換差低減検討	東芝1，ソニー2，NECEL3　○木村泰己1，岡山康則1，渡辺竜太1，新居英明1，十河康則2，森本　類2，大島享介2，前田英訓2，平井友洋3，渡辺　晋3，須之内一正1，斉藤正樹2，岩井正明1，東郷光洋3，池田昌弘3
△	5	45nm世代セル面積0.248um2SRAMプロセスインテグレーション	ソニー半導体事業本部1，東芝 セミコンダクター社2，NECエレクトロニクス3　○前田英訓1，十河康則1，森本　類1，岡山康則2，木村泰己2，渡辺竜太2，平井友洋3，新居英明2，東郷光洋3，大野圭一1，須之内一正2，池田昌弘3，岩井正明2，斉藤正樹1
▲	6	Analysis of the distribution of cell currents in S3(Stacked Single-crystalline Si) SRAM	Samsung Electronics　○Eunguk Chung，Hoon Lim
		休 憩 11:00〜11:15
	7	シングルイベント過渡パルスの高速・高精度な波形推定: 1 原理 − 論理回路のソフトエラー対策に向けて −	宇宙研1，総研大2，東大3　○小林大輔1,2，齋藤宏文1,3，廣瀬和之1,2
△	8	45nm世代対応ストレスライナー適用PMOSFETにおけるNBTIの影響とその改善	ソニー1，東芝セミコンダクター社2，NECエレクトロニクス3　○岩田敏彦1，深作克彦1，戸島由佳里1，鉢嶺清太1，英保亜弓2，東郷光洋3，伊高利明2，宮島秀史2，宇佐美達也3，佐藤尚之1，猪熊英幹2，太田和伸1，佐貫朋也2，村松　諭3，岩佐誠一2，長岡弘二郎1，岩本敏幸3，新居英明2，大野圭一1，池田昌弘3，岩井正明2，斉藤正樹1
	9	レーザーアニール適用下の高ドーズリン注入ゲートnMOSFETのTDDB特性と窒素注入の効果	日本電気1，NECエレクトロニクス2　○八高公一1，岩本敏幸1，成広　充1，田中聖康1，東郷光洋2，羽根正巳1
	10	65nm世代トランジスタにおけるTDDB評価後のIR-OBIRCH解析による破壊箇所観察	富士通研究所1，富士通2　○西ケ谷啓太1，迫田恒久1，森崎祐輔1，肖　石琴1，南方浩志1，池田和人1，加勢正隆2
△	11	第一原理量子輸送シミュレーションによるSi/SiO2/Si構造のトンネル電流解析	神戸大工　○（M）山田吉宏，土屋英昭，三好旦六
		昼 食 12:30〜13:30
29p-ZQ-　/ II
▲	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） ランダム多重接合における単一ゲート単電子転送	静大電子研1，NTT基礎研2　○モラルダニエル1，小野行徳2，猪川　洋1，横井清人1，ラトノヌルヤディ1，池田浩也1，田部道晴1
▲	2	単正孔トランジスタに単一アクセプタイオンの検出	静大電子研　○（D）ブルハヌディンザイナル，ヌルヤディラトノ，田部道晴
	3	多重ドットトランジスタ交流動作時のチャネル表面電位応答	静大電研　○池田浩也，山本隆太，浅井清涼，田部道晴
	4	パルスゲート電圧印加によるSi量子ドットフローティングゲートへの多段階電子注入特性の評価	広大院先端研　○松本龍児，池田弥央，東　清一郎，宮崎誠一
	5	Nanowire FETsにおける電気伝導特性のチャネル方位依存性	早大理工1，早大ナノ機構2，早大材研3　○清家　綾1，丹下智之1，佐野一拓1，杉浦裕樹1，大泊　巌1,2,3
▲	6	低温プロセスでのシリコンナノワイヤーの作製	東工大量子ナノ研セ, 院理工1，SORST-JST2　○SAEED AKHTAR1，田中敦之1，土屋良重1,2，宇佐美浩一1，水田　博1,2，小田俊理1,2
	7	3ゲート細線MOSFETによるチャージポンプ動作の検討	静大電子研1，NTT物性基礎研2　○猪川　洋1，中北要佑1，西口克彦2，小野行徳2，藤原　聡2
	8	シリコン・ナノトランジスタを用いた赤外線検出	NTT 物性研1，静大2，北大3　○西口克彦1，藤原　聡1，小野行徳1，山口浩司1，猪川　洋2，高橋庸夫3
		休 憩 15:30〜15:45
△	9	ナノスケールトランジスタにおける電極形状効果と実空間・モード空間展開法の比較	神大自然科学1，神大工2　○（M）今後　博1，水谷篤史1，清水崇之1，Fitriawan Helmy1，相馬聡文2，小川真人2，三好旦六2
	10	準バリスティックMOSFETにおける弾性散乱および非弾性散乱の役割	神戸大工1，東大新領域2，MIRAI-AIST3　○土屋英昭1，高木信一2,3，三好旦六1
	11	薄層SOI-MOSFETにおけるPのフリーズアウト効果	静大電研　○永田大輔，海老澤一仁，モラルダニエル，田部道晴
	12	極薄SOI-FETチャネル表面の低温KFM測定	静大電子研1，Warsaw Univ. of Tech.2　○（D）リゴフスキマチェイ1,2，一楽明宏1，樊　友軍1，ラトノヌルヤディ1，池田浩也1，ヤブロンスキリシャード2，田部道晴1
	13	人工転位網を内包したSOI-MOSFETの温度依存性	静大電研　○（B）笠井勇希，石野敏也，加藤直人，山野竜一，Nuryadi Ratno，田部道晴
△	14	SiリッチSiN MOSFETを用いることによる乱数生成器の高速化	東芝　研究開発センター　○松本麻里，大場竜二，安田心一，棚本哲史，内田　建，藤田　忍
	15	チャネル不純物パイルアップのインバースモデリングによる評価	NECシスデバ研1，NECエレクトロニクス2　○南雲俊治1，竹内　潔1，秋山　豊2，羽根正巳1
	16	Si1-xGex薄型4層バッファを用いたプレーナ型共鳴トンネルダイオード	農工大　院工　○前川裕隆，佐野嘉洋，須田良幸
11.6 Siデバイス/集積化技術
3月30日　10:00〜12:45
30a-SC-　/ II
	1	Sub-0.1μm MOSFETの高周波特性ばらつきの予測手法	NECシステムデバイス研究所　○田辺　昭，肱岡健一郎，林　喜宏
△	2	オンチップSi集積化アンテナにおけるアンテナ放射効率	広大ナノデバイス　○（D）木本健太郎，佐々木信雄，福田雅志，新田雅和，吉川公麿
△	3	Si基板上におけるBow-tieアンテナのUWB伝送特性	広大ナノデバイス　○（B）久保田慎一，Xiao Xia，木本健太郎，吉川公麿
△	4	RF CMOS-MEMSの検討(1): RF MEMS技術とRF CMOS技術の融合	NTT MI研1，NTT-AT2　○桑原　啓1，佐藤昇男1，島村俊重1，森村浩季1，小舘淳一1，重松智志1，中西　衛1，亀井敏和2，町田克之2，石井　仁1
	5	RF CMOS-MEMSの検討(2):RF MEMSスイッチの低電圧化	長岡技大1，NTT MI研2，NTT-AT3　○草山裕助1，桑原　啓2，佐藤昇男2，森村浩季2，阪田知巳2，工藤和久3，矢野正樹3，町田克之3，石原康利1，石井　仁2
		休 憩 11:15〜11:30
	6	薄い単結晶シリコンとガラス基板における陽極接合を用いたMEMS製作プロセスの簡略化	日大理工1，日大デバイス研2　○奈良卓行1，奥　晃紀1，深井尋史2，畑河内秀樹1，西岡泰城1.2
	7	アクティブマトリクス式バンプ導通検査回路を用いた円錐バンプの機能検証	九工大院1，くまもとテクノ2，九大院3　○岩崎　裕1，渡辺直也2，浅野種正3
	8	ナノグレーティングチャネル構造MOSトランジスタの電気的特性評価	東北大院工　○朱　小莉，黒木伸一郎，小谷光司，伊藤隆司
	9	ポリシリコンヒータを用いたLDMOSの高温通電試験	豊田中央研究所1，デンソー2　○渡辺行彦1，田井　明2，堅田満孝2
	10	ポリシリコンヒータを用いたEPROMデータ保持の高温加速試験	デンソー1，豊田中央研究所2　○田井　明1，堅田満考1，渡辺行彦2
11.7 シミュレーション
3月28日　9:30〜16:00
28a-G-　/ II
	1	TCADを用いた高耐圧トランジスタのプロセス最適化手法の検討	沖電気工業半導体事業G研究本部　○雨宮真一郎，林　洋一，望月麻理絵，福田浩一
	2	不純物の離散化と面内プロセスばらつきを考慮したMOSFETの閾値電圧ばらつきの検討	慶應大理工　○大石　崇，井上麻奈美，中野誠彦
	3	MOSFETゲート電極内仕事関数エンジニアリングによるしきい値電圧調整	筑波大電物1，selete2　○（M）山田達也1，三瀬信行2，松木武雄2，栄森貴尚2，奈良安雄2，佐野伸行1
	4	電子輸送シミュレーションにおける局在性を考慮した不純物モデル	筑波大数理電子・物理　○福井貴之，上地忠良，佐野伸行
△	5	45nm世代eSiGeソース/ドレイン ストレスエンジニアリング	ソニー1，東芝セミコンダクター社2，NECエレクトロニクス3　○河野広行1，高橋誠司1，山崎　崇1，太田和伸1，佐貫朋也2，澤田達郎2，千石光洋2，楠　直樹2，藤井　修2，秋山　豊3，岩本敏幸3，新居英明2，大野圭一1，吉村尚郎2，安斎久浩1，池田昌弘3，岩井正明2，斎藤正樹1
		休 憩 10:45〜11:00
	6	ドレインコンダクタンスのゲート電圧依存性を考慮した20nmMOSFET解析モデル	京工繊大院工　○（M）山手章弘，廣木　彰，山田正良
	7	ナノ長MOSFETの低電界ドレイン電流における優れたパラメータ抽出法	富士通デバ開発　○田中琢爾
	8	ダブルゲートMOSFETデバイスモデルの構築とSRAM回路への適用	慶應大理工　○山崎博孝，中野誠彦
▲	9	スピン縮退した離散的エネルギー状態の影響を考慮した電圧非制限コンパクトSETモデル	東工大量子ナノ研セ, 院理工1，SORST-JST2　○BENJAMIN PRUVOST1，水田　博1,2，小田俊理1,2
▲	10	Siナノフラワー及びナノ細線接合の構造と電子状態： 新しいナノ構造の理論的予測	原子力機構先端基礎セ1，京大エネルギー科学2　○Pavel Avramov1，前田佳均1,2
		昼 食 12:15〜13:45
28p-G-　/ II
	1	非平衡グリーン関数法によるナノスケールデバイスでの緩和過程の解析	筑波大数理電子・物理　○佐藤　卓，日下裕幸，佐野伸行
▲	2	Modeling of Quantum Electron Transport in Strained Double-Gate MOSFETs	神戸大学自然科学1，神戸大学工学部2　○（D）Helmy Fitriawan1，小川真人2，三好旦六2，相馬聡文2
	3	強結合近似を用いたDGMOSFETの2次元量子輸送シミュレーション	阪大工　○三成英樹，森　伸也
	4	新型構造MOSFETの3次元量子補正モンテカルロシミュレーション	神戸大工　○藤井一也，奥田恭介，土屋英昭，三好旦六
△	5	自立シリコン量子細線における閉じ込めフォノン状態及び電子フォノン相互作用に関する理論研究	名大工1，SORST JST2，阪大院工3　○服部淳一1，宇野重康1,2，森　伸也3，中里和郎1,2
		休 憩 15:00〜15:15
	6	RTモデルによるMOSFETパラメーターにおけるバリスティック伝導性の調査	東工大フロンティア研1，東工大総理工2，筑波大物理工学3　○（M）両角康宏1，小林勇介2，名取研二3，角嶋邦之1，アヘメドパールハット1，筒井一生2，服部健雄1，杉井信之1，岩井　洋1
△	7	Ge及びGaAsチャネルMOSFETの量子補正モンテカルロシミュレーション	神戸大工　○（M）森　隆志，東　祐介，土屋英昭，三好旦六
▲△	8	Simulation of the Band Gap and Electrical Conductivity of Semiconductor Temperature Sensor Materials by Molecular Dynamics and Tight-Binding Quantum Chemistry Theory Methods	東北大院工1，科技振さきがけ2，東北大未来センター3　○朱　志剛1，Arunabhiram Chutia1，坪井秀行1，古山通久1，畠山　望1，遠藤　明1，高羽洋充1，久保百司1,2，Carlos Del Carpio1，宮本　明1,3