6　薄膜・表面
6.1 強誘電体薄膜
3月24日　9:30〜18:45
24a-S-　/ II
	1	PLA法による非鉛(Ba,Sr)(Zr,Ti)O3薄膜の作製	金沢大院自然1，金沢大工2，石川高専3　○西村恵介1，塩本光博2，渡邊　直2，川江　健1，山田　悟3，森本章治1，久米田　稔1
△	2	PLA法で作製した非鉛(Ba,Sr)(Zr,Ti)O3薄膜のキャパシタ特性	金沢大院自然1，金沢大工2，石川高専3　○川江　健1，渡邊　直2，西村恵介1，塩本光博2，山田　悟3，森本章治1，久米田　稔1
	3	Ba(Zr,Ti)O3/LaNiO3積層薄膜の作製と評価	名大エコトピア研　○坂本　渉，三村憲一，志村哲生，余語利信
▲	4	(Ba0.6,Sr0.4)TiO3 MOD薄膜におけるマイクロ波チューナビリティと酸素欠陥濃度との相関	大阪大学基礎工　Popovici Daniel，○野田　実，奥山雅則
	5	非Pb系リラクサー強誘電体: Ba(Zrx,Ti1-x)O3, Ba(Hfx,Ti1-x)O3 (x=0-1)の構造・誘電物性	阪大・産研1，広島大院理2　○土井敦裕1，金　秀宰2，黒岩芳弘2，田畑　仁1
△	6	3D-SNDMを用いたリラクサー型強誘電体Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3の観察	東北大通研　○（M）杉原智之，長　康雄
		休 憩 11:00〜11:15
	7	ゾルゲル法による(Na,K)NbO3薄膜の作製	名工大院1，産総研2　○（P）田中清高1，柿本健一1，大里　齊1，飯島高志2
△	8	スパッタ法によるKNbO3-NaNbO3薄膜の作製	京大工　○（B）美濃卓哉，井上貴史，桑島修一郎，鈴木孝明，神野伊策，小寺秀俊，和佐清孝
	9	新規合成C2H5終端VDFオリゴマーの構造・電気特性評価	京大院工1，京大ナノ支援2　○（B）本所卓也1，松本有史1，松本　隆1，上村　浩1，桑島修一郎2，石田謙司1，堀内俊壽1，山田啓文1，松重和美1
▲	10	PLA法によるc -sapphire基板上でのSTO/Ru/Pt構造の作製と評価	金沢大学院1，石川高専2　池上尚文1，○（D）金　兌映1，川江　健1，山田　悟2，森本章治1，久米田　稔1
△	11	γ-Al2O3(111)/Si(111)およびγ-Al2O3(001)/Si(001)基板上にエピタキシャル成長したPt(111)薄膜	豊橋技科大1，豊橋技科大ISSRC2，JST-CREST3　○伊藤幹記1，澤田和明1,2,3，石田　誠1,2,3
		昼 食 12:30〜13:30
24p-S-　/ II
	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） 室温以下でのビスマス層状構造誘電体薄膜の誘電特性	東工大総理工1，物材機構2，Res. Center Juelich3，東理大理工4，JST, さきがけ5　○鈴木宗泰1，長田　実2，渡辺隆之3，竹中　正4，舟窪　浩1,5
	2	アルコキシド由来ビスマス系層状強誘電体CaBi4Ti4O15膜における酸素アニールの効果	産総研1，名工大大学院2　○加藤一実1,2，田中清高2，郭　益平1，鈴木一行1，木村辰雄1，西澤かおり1，三木　健1
	3	MOCVD法によるLaNiO3基板上への(Bi,La)4Ti3O12薄膜の作製	豊島製作所1，明星大理工2　○田崎雄三1，関田祥弘2，鹿子俊明2，依田孝次1，新田町　貴1，長谷川　保1，吉澤秀治2
	4	水熱合成法によるBi4-xMxTi3O12 (M=La)強誘電体の物性、結晶構造と強誘電特性	東理大理工　○（M）榎本雅文，井手本　康，小浦延幸
	5	オゾン雰囲気下で形成したBi4Ti3O12薄膜の評価	芝浦工大工1，八戸工大工2　○山本　麻1，山口正樹1，増田陽一郎2
	6	アルコール系溶液を用いたBi4Ti3O12薄膜形成における焼成雰囲気の影響	芝浦工大工1，八戸工大工2　○山口正樹1，増田陽一郎2
	7	Bi4Si3O12添加Sr-Ce-Bi-Ta-O系強誘電体酸化物の結晶構造、物性と強誘電特性	東理大理工1，高エネ研2　○（M）谷山　敏1，井手本　康1，小浦延幸1，神山　崇2
	8	強誘電体キャパシタにおける伝導および分極挙動への粒界の影響	京大エネルギー科学　○田端寛敬，國松俊佑，前田佳均
	9	AuナノクラスターによるSNDM信号強度の増大	東北大通研　○（B）齋藤晃央，大原鉱也，長　康雄
△	10	強誘電体記録媒体へのデジタル画像データの高密度記録・再生	パイオニア総研1，東北大通研2　○藤本健二郎1，前田孝則1，尾上　篤1，長　康雄2
		休 憩 16:00〜16:15
△	11	一致溶融組成LiTaO3におけるナノドメイン反転ドットの断面計測(2)	東北大通研　○大門靖裕，長　康雄
	12	一致溶融組成LiTaO3上に形成した微小分極反転ドットの長期保持特性の観測	東北大通研　○小田川　望，長　康雄
	13	定比タンタル酸リチウムにおける反転ドメインの安定性と固定	物・材機構1，九大院総合理工2　劉　暁燕1,2，中西篤司2，竹川俊二1，寺部一弥1，○北村健二1,2
▲	14	Influence of Film Texture and Thickness on the Electrical Properties of Sol-Gel Derived PbZrO3 Thin Films	奈良先端大物質創成1，ゲブゼ工科大2　○（D）メンスール　アルコイ　エブル1，アルコイセダート1,2，塩嵜　忠1
▲	15	Investigation of Fatigue Behaviour of Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) Thin Films with PbZrO3 (PZ) Buffer Layers	奈良先端大物質創成1，ゲブゼ工科大2　メンスール・アルコイ　エブル1，○アルコイセダート1,2，内山　潔1，塩嵜　忠1
△	16	スプレーMOCVD法による強誘電体PZT薄膜の作製	奈良先端大　○王谷洋平，渋谷昌樹，内山　潔，塩嵜　忠
	17	MOCVD-水熱処理による(Pb,Ba)TiO3薄膜の低温作製と評価	阪大・基1，兵庫県立大・工2，ブルカーAXS3　○井上成央1，直山卓示1，野田　実1，奥山雅則1，藤沢浩訓2，清水　勝2，斉藤啓介3
	18	TiO2ゲルの水熱処理による(Pb,Ba)TiO3系薄膜の低温結晶化と評価	阪大院基礎工　○（M）井上成央，武井孝平，直山卓示，野田　実，奥山雅則
	19	水熱合成法により形成されたPb(Zr,Ti)O3膜に及ぼす欠陥の影響	UBE科学分析センター　○二井裕之，勝田　直，國重敦弘，宗山悦博
	20	泳動電着法によるPb-Si-Zr-Ti-Nb-O系強誘電体厚膜の強誘電特性及び膜厚低減化	東理大理工　○（M）吉田理志，井手本　康，小浦延幸，宇井幸一
6.1 強誘電体薄膜
3月25日　9:30〜18:30
25a-S-　/ II
	1	(Pb,Si)(Zr,Ti,Nb)O3系強誘電体の物性,結晶構造,強誘電特性のNb,Si組成依存	東理大理工　○古宮章子，井手本　康，小浦延幸
	2	高Nb置換した(Pb,Si)(Zr,Ti,Nb)O3の強誘電特性と結晶構造の関係	東理大理工　○菅野圭一，井手本　康，小浦延幸
△	3	MOCVD成長エピタキシャルPZT膜の新規ドメイン構造	東工大物創1，高知工大2　○中木　寛1，金　容寛1，横山信太郎1，西田　謙2，河東田　隆2，舟窪　浩1
	4	正方晶と菱面体晶が共存するMPB近傍組成を有するPb(Zr,Ti)O3エピタキシャル膜のドメイン構造	東工大物創1，高知工大2，ブルカーAXS3　横山信太郎1，西田　謙2，河東田　隆2，斉藤啓介3，○舟窪　浩1
	5	X線回折法を用いたPZT薄膜の90度ドメイン回転の直接観察	産総研1，ブルカー2　○大曽根聡子1，斉藤啓介2，下條善朗1，Kyle Brinkman1，飯島高志1
	6	ラマン・電気特性同時測定によるエピタキシャルPZT薄膜のドメイン構造のその場評価	物材機構1，東工大物創2　○長田　実1，金　容寛2，横山信太郎2，舟窪　浩2
		休 憩 11:00〜11:15
	7	Dy置換されたPZT薄膜のサイト選択性とその強誘電性	高知工大1，物材機構2，上智大3，東工大院4　○西田　謙1，長田　実2，内田　寛3，中木　寛4，幸田清一郎3，舟窪　浩1，河東田　隆1
	8	ラマン分光及びマイクロビームX線回折を用いたマイクロパターニングPZT薄膜の構造解析	高知工大1，東工大院2，物材機構3，ブルッカーAXS4，高輝度光科学研究センター5　○西田　謙1，横山信太郎2，長田　実3，斉藤啓介4，坂田修身5，木村　滋5，舟窪　浩2，河東田　隆1
△	9	MOCVD法により作製したPbTiO3自己集合島の相転移温度のサイズ依存性	兵庫県大1，物材機構2　○長田賢樹1，藤沢浩訓1，清水　勝1，長田　実2
△	10	自己集合化による金属ナノドットを上部電極に用いた強誘電体キャパシタの作製(II)	兵庫県大工　○森本悠子，長田賢樹，藤沢浩訓，清水　勝
	11	レーザー誘起VLS法による遷移金属酸化物ナノ構造電極の創製	阪大産研1，クラスターテクノロジー2　○関　宗俊1，El-Maghraby M.A.1，大石聡司2，田畑　仁1
		昼 食 12:30〜13:30
25p-S-　/ II
	1	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） ZnO/YMnO3ヘテロ構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの電気特性	阪府大工　○新井涼太，重光学道，益子慶一郎，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文
	2	(Y,Yb)MnO3/HfO2/Si構造におけるHfO2層の薄層化	産総研　○鈴木一行，郭　益平，西澤かおり，三木　健，加藤一実
	3	レーザアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Si界面の評価	阪府大院工　○（M）西嶋正憲，原武耕平，吉村　武，藤村紀文
	4	Pt/SrBi2Ta2O9/HfAlO/Siキャパシタにおける絶縁膜堆積雰囲気ガス（N2、O2）と素子特性の関係	産総研1，金沢工大2　○堀内健史1,2，大橋憲太郎2，高橋光恵1，酒井滋樹1,2
△	5	強誘電体ゲートFETの読み出し動作に関する考察	東工大　精研　○（D）斎木博和，日野史郎，シャッヒブルアズワル，徳光永輔
▲	6	SrBi2Ta2O9表面への窒素ラジカル照射によるMFISメモリ保持特性の改善	阪大基礎工　○Hai Van Le，金島　岳，奥山雅則
	7	HfSiON膜バッファ層を用いたPt/(Bi,La)4Ti3O12/HfSiON/Si構造の強誘電体ゲートFETの特性	富士通研究所1，東工大　総理工2　○鉾　宏真1，田渕良志明2，田村哲朗1，丸山研二1，石原　宏2
	8	MFIS-FETのメモリウィンドウ測定による分極状態の評価	東工大総合理工1，富士通研2，産総研3　○田渕良志明1，長谷川聡志1，田村哲朗2，鉾　宏真2，加藤一実3，有本由弘2，石原　宏1
△	9	結晶性HfO2/γ-Al2O3high-κゲートスタックへの蒸着雰囲気および熱処理の効果	豊橋技科大1，豊橋技科大ISSRC2，JST-CREST3　○増永大輔1，岡田貴行1，澤田和明1,2,3，石田　誠1,2,3
△	10	結晶性HfO2/γ-Al2O3 high-κゲートスタックを用いたMFIS構造の作製	豊橋技科大1，豊橋技科大ISSRC2，JST-CREST3　○岡田貴行1，増永大輔1，澤田和明1,2,3，石田　誠1,2,3
		休 憩 16:00〜16:15
△	11	機械研磨を用いて作製したBLT/ITO構造薄膜トランジスタの性能向上	東工大精研　○（M）瀋　　悦，徳光永輔
	12	Sr2(Ta,Nb)2O7/HfO2/Si構造デバイスの作製と評価	東工大総合理工1，富士通研究所2　○（M）小原秀一郎1，田村哲朗2，丸山研二2，石原　宏1
	13	強誘電体‐絶縁体接合による1T型FETメモリのId-Vg特性評価	阪大基礎工　○南　孝明，池守伸一，李　鳳淵，金島　岳，奥山雅則
	14	強誘電体ゲートCNT-FETの作製と電気特性の評価	阪府大院工　櫻井達也，○吉村　武，秋田成司，藤村紀文，中山喜萬
	15	集積化中間電極付きFET型強誘電体メモリの特性解析	北陸先端大　○（M）紙屋博之，西岡賢祐，堀田　將
▲△	16	多結晶PZT薄膜を用いた新規強誘電体ゲートFETメモリーの基礎動作	北陸先端大材料　○Trinh Bui，紙屋博之，西岡賢祐，堀田　将
	17	新強誘電体機能メモリの回路合成と検索への応用	京大エネ科　○野澤　博
	18	導波路アンプに向けたErドープPZT薄膜の作製及びその評価	早大理工1，のぞみフォトニクス2　○皆川利彦1，片岡　聡1，菅原義之1，梨本恵一2
	19	(Pb,La)(Zr,Ti)O3薄膜作製において前駆体溶液中に添加したメタノールの影響とその電気光学効果	奈良先端大物質　○笠松敦志，王谷洋平，内山　潔，塩嵜　忠
6.1 強誘電体薄膜
3月26日　9:00〜15:00
26a-S-　/ II
	1	鉛組成の異なる強誘電体Pb(Zr,Ti)O3薄膜キャパシタのインプリント特性	東理大理　○岡村総一郎，笠松照可，島　宏美
	2	MOCVDにより作製されたPb(Zr, Ti)O3薄膜キャパシタの上部電極依存性	アルバック半技研　○西岡　浩，増田　健，梶沼雅彦，木村　勲，菊地　真，安田武史，植田昌久，遠藤光広，小風　豊，鄒　紅コウ
	3	連続波レーザーアニールによる強誘電体薄膜結晶化	東北大工　○多胡紀一郎，黒木伸一郎，小谷光司，伊藤隆司
△	4	MOCVD法により作製したエピタキシャルPbTiO3極薄膜の微細構造	兵庫県大工1，富士通研2　○堀井　通1，藤沢浩訓1，清水　勝1，小高康稔2，本田耕一郎2
△	5	走査型プローブ顕微鏡によるPbTiO3極薄膜の観察（II）	兵庫県大工　○高島慶行，堀井　通，藤沢浩訓，清水　勝
	6	高速スパッタリング技術により作製したPb(Zr,Ti)O3圧電薄膜の特性評価	アルバック半技研　○木村　勲，西岡　浩，菊地　真，小風　豊，遠藤光広，植田昌久，鄒　紅コウ
		休 憩 10:30〜10:45
	7	強誘電体薄膜の圧電特性の温度依存性	湘南工大工1，イノステック2　○眞岩宏司1，Seung-Hyun Kim2
	8	Pb(ZrxTi1-x)O3厚膜の誘電、圧電特性の組成依存性	産総研　○大曽根聡子，下條善朗，Kyle Brinkman，飯島高志
△	9	層状ダブルペロブスカイトLa2CuSnO6薄膜の作製と誘電特性	京大化研　○増野敦信，治田充貴，菅　大介，倉田博基，東　正樹，磯田正二，高野幹夫，島川祐一
	10	PLD法によるYMnO3薄膜の作製と発光分光分析を用いた飛散粒子の解析	阪府大工　　　○（B）前田和弘，重光学道，吉村　武，藤村紀文
	11	強誘電性YbMnOsub>3エピタキシャル薄膜の磁気的性質の評価	阪府大院工　○高橋哲也，吉村　武，藤村紀文
		昼 食 12:00〜13:00
26p-S-　/ II
△	1	PLD法によるBi2NiMnO6薄膜の作製および特性評価	京大化研　○坂井舞子，増野敦信，高田和英，橋坂昌幸，東　正樹，高野幹夫，島川祐一
	2	Bi(Fe,Cr)O3薄膜の磁性・誘電物性：ペロブスカイト型マルチフェロイック物質を目指して	阪大産研　○（B）山原弘靖，土井敦裕，田畑　仁
	3	マルチフェロイックBiFeO3薄膜の誘電-磁場特性	阪大院基礎工　○（P）尹　貴永，金島　岳，奥山雅則
▲	4	BiFeO3薄膜の150μC/cm2の自発分極発現機構解明のための第一原理解析	阪大　基礎工　○Dan Ricinschi，尹　貴永，奥山雅則
	5	PtならびにRu電極上へのMnドープBiFeO3膜の形成	東工大総合理工1，東ソー2，富士通研3　○林　大祐1，S. K. Singh1，大島憲昭2，丸山研二3，石原　宏1
	6	化学溶液法によるBiFeO3-BiScO3薄膜の作製	上智大理工1，東工大物創2　○（B）安井伸太郎1，内田　寛1，中木　寛2，舟窪　浩2，幸田清一郎1
	7	PLD法を用いたBiFeO3薄膜の作製におけるアブレーション状態の評価	大阪府大工　○乾　真介，吉村　武，藤村紀文
	8	ラマン散乱によるBiFeO3単結晶のフォノンモードの同定	京都工繊大1，和歌山大教2，東大先端研3　○福村秀夫1，播磨　弘1，木曽田賢治2，玉田　稔3，野口祐二3，宮山　勝3
6.2 カーボン系薄膜
3月22日　9:00〜12:30
22a-ZG-　/ II
	1	鉄基板の結晶子サイズとダイヤモンドの結晶性の相関	東京電気大理工　○（M）須藤和幸，佐藤慶介，平栗健二
△	2	マイクロ波プラズマCVDにおけるダイヤモンド成長面の巨視的モフォロジーの制御II	産総研ダイヤモンド研究センター　○山田英明，茶谷原昭義，杢野由明，惣田洋佑，堀野裕治，鹿田真一
	3	高品質ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド成長における基板表面状態依存性	阪大院工　○（M）宮武秀宇，有馬和也，寺地徳之，伊藤利道
	4	CVD成長ダイヤモンド表面のSTM観察：水素終端ダイヤモンド(100)	物材機構1，産総研2，CREST/JST3　○草野修治1，三木一司1，李　成奇2,3，山崎　聡2,3
△	5	重水素を用いたプラズマCVDダイヤモンド合成における欠陥濃度低減化	筑波大1，産総研ダイヤモンド研究センター2，CREST3，科学技術振興機構4，物質・材料研究機構5　○水落憲和1,2,3，渡辺幸志2,3，加藤宙光2,3，新妻潤一4，関口隆史5，磯谷順一1,2，大串秀世2,3，山崎　聡1,2,3
	6	CVDダイヤモンドモンド成膜におけるELO法の有効性の検討	阪大院工　○（M）長谷川哲視，寺地徳之，伊藤利道
△	7	Ir下地へのエピタキシャルダイヤモンド厚膜の作製	青学大理工1，トウプラスエンジ2　○（M）岡田　蛍1，安藤　豊1，鈴木一博2，澤邊厚仁1
		休 憩 10:45〜11:00
△	8	エピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化〜イオン照射時の基板温度とメタン濃度の適正化〜	青学大理工1，トウプラズエンジ2　○（M）市原幸雄1，安藤　豊1，鈴木一博2，澤邊厚仁1
△	9	選択成長法を用いた大面積ヘテロエピタキシャルダイヤモンド自立膜の作製	青学大理工1，トウプラスエンジ2　○（M）金子正明1，安藤　豊1，鈴木一博2，澤邊厚仁1
	10	研磨された気相合成ダイヤモンド膜における摩擦磨耗特性評価	東北大流体研1，東北大院工2　○三木寛之1，吉田直樹2，阿部利彦1，竹野貴法2，高木敏行1
	11	Scaive盤研磨によるダイヤモンド基板の平坦化技術	産総研　○吉川博道，鹿田真一
△	12	濃度10%のボロンドープダイヤモンドの電気特性	早大理工1，物材研2　○（B）石綿　整1，小泉　聡2，手塚真一郎1，竹之内智大1，高野義彦2，長尾雅則2，坂口　勲2，羽多野　毅2，川原田　洋1
	13	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分） 高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体におけるJc評価（2）	早大理工1，物材機構2　○手塚真一郎1，石綿　整1，竹之内智大1，高野義彦2，長尾雅則2，坂口　勲2，立木　実2，羽多野　毅2，川原田　洋1
6.2 カーボン系薄膜
3月23日　9:00〜18:30
23a-Q-　/ II
	1	ダイヤモンド合成におけるボロン原子による表面平坦化効果	産総研1，筑波大2，CREST／JST3　○徳田規夫1，齊藤丈靖1，梅沢　仁1，山部紀久夫2，山崎　聡1,2,3，大串秀世1,3
	2	高出力MWPCVD法により作製したダイヤモンド薄膜におけるボロン濃度の(100)面に対するオフ角依存性	阪大院工　○（M）有馬一也，宮武秀宇，寺地徳之，伊藤利道
	3	CVDホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高温高圧アニール効果	NTT物性基礎研　○植田研二，嘉数　誠，山内喜晴，牧本俊樹
	4	イオン注入法によって形成された高濃度B添加ダイヤモンド層	産総研ダイヤモンド研究センター　○坪内信輝，小倉政彦，堀野裕治，大串秀世
	5	高品質CVDダイヤモンド積層構造における励起キャリアの長距離拡散	阪大院工　○山元　貴，寺地徳之，伊藤利道
	6	窒素ドープナノダイヤモンド薄膜の構造および電気特性評価	九大総理工　○（M）池田知弘，堤井君元
		休 憩 10:30〜10:45
	7	金属基材上への液体ソースを用いたBドープ多結晶ダイヤモンド膜の作製(3)	東芝　研究開発センター　○吉田博昭，柳瀬　勇，小野富男，佐久間尚志，鈴木真理子，酒井忠司
	8	BドープCVDダイヤモンド膜の放電特性 (3)	東芝研究開発センター　○小野富男，酒井忠司，佐久間尚志，鈴木真理子，吉田博昭
	9	ダイヤモンドからの二次電子放出特性評価（2)	東芝研究開発センター1，東北大 多元研2，産総研ダイヤモンド研究センター3　○佐久間尚志1，小野富男1，酒井忠司1，鈴木真理子1，吉田博昭1，河野省三2，後藤忠彦2，竹内大輔3，山崎　聡3
	10	ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜のホールバーによる電気特性評価	産総研1，CREST／JST2，筑波大学3　○小倉政彦1,2，牧野俊晴1,2，梅澤　仁1,2，李　成奇1,2，ネーベルクリストフ1,2，山崎　聡1,2,3，大串秀世1,2
	11	光反応を用いた水素終端ダイヤモンド膜の硫黄官能基化学修飾	産総研　○中村挙子，大花継頼，長谷川雅考，古賀義紀
		昼 食 12:00〜13:00
23p-Q-　/ II
	1	B doped (111)ホモエピタキシャルダイヤモンドでのSchottky障壁の酸素化処理依存性	産総研1，CREST科学技術振興機構2，筑波大3　○（P）李　成奇1,2，竹内大輔1,2，Christoph Nebel1，山崎雄一1,3，徳田規夫1，山崎　聡1,2,3，大串秀世1,2
	2	ダイヤモンドショットキーバリアダイオードの逆方向リークTFE モデリング	産総研　○梅沢　仁，徳田規夫，小倉政彦，李　成奇，吉川弘道，鹿田真一
	3	ダイヤモンドショットキーバリアダイオードの動作限界	産総研　○梅沢　仁，徳田規夫，鹿田真一
	4	ダイヤモンド空間電荷制限ダイオード	東芝研究開発センター　○鈴木真理子，小野富男，佐久間尚志，吉田博昭，酒井忠司
△	5	ダイヤモンドへのイオン照射による局所低抵抗層の形成とその応用	早大理工1，NEDO2　○（B）小出　敬1，新井達也1，目島壮一1，平間一行1，宋光燮1，ドミンゴフェレール1，品田賢宏1，大泊　巌1，川原田　洋1,2
	6	ヘテロエピダイヤモンド上に形成したp-i-p型FETとその高温動作特性	神鋼電技研　○川上信之，横田嘉宏，橘　武史，林　和志，小橋宏司
△	7	ダイヤモンドFETにおけるp型蓄積層の実効チャネル移動度の評価	早大理工1，NEDO2　○山内真太郎1，平間一行1，佐藤允也1,2，川原田　洋1,2
	8	高品質多結晶ダイヤモンドを用いた水素終端MESFETの高周波特性	NTT物性基礎研1，エレメントシックス2　○植田研二1，嘉数　誠1，山内喜晴1，牧本俊樹1，M. Schwitters2，D. J. Twitchen2，G. A. Scarsbrook2，S. E. Coe2
	9	(001)面上に作製したダイヤモンドpn接合の電気・電流注入発光特性	産総研1，JST/CREST2，筑波大3　○（P）牧野俊晴1,2，加藤宙光1,2，小倉政彦1,2，渡邊幸志1,2，山崎　聡1,2,3，大串秀世1,2
	10	高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜からのエキシトン発光強度の空間分布観測	産総研　ダイヤセンター1，CREST2　○渡邊幸志1,2，菅野正吉1,2，山崎　聡1,2，大串秀世1,2
		休 憩 15:30〜15:45
	11	CVDダイヤモンド薄膜の紫外・近赤外同時照射による光電流スペクトル	日大文理1，産総研2　○久保岳人1，秋野智弘1，小松隆宏1，村山和郎1，小倉政彦2，李　成奇2，山崎　聡2，大串秀世2
	12	ダイヤモンド表面からの光電子放出に関する研究(II)	産総研　○竹内大輔，ネーベルクリストフ，山崎　聡
	13	リンドープCVDダイヤモンドからの電界放出機構	東北大・多元研1，CREST,JST2，住友電工・半導体技研3　○河野省三1,2，田京　剛1，天野猶貴1，N.I. Plusnin1，水落健二1，青山朋宏1，後藤忠彦1，虻川匡司1，難波暁彦3，辰巳夏生3，西林良樹3，今井貴浩3
	14	SOI基板上ナノ・ダイヤモンド電界放出/紫外光源のin-plane集積化	電通大電子　○（B）向山進也，池原正之，石橋路子，一色秀夫，木村忠正
	15	Tip型ダイヤモンド電子源からの電子ビーム評価	住友電工半技研　○難波暁彦，辰巳夏生，山本喜之，西林良樹，今井貴浩
	16	ダイヤモンド・ショットキー型フォトダイオードの光起電力特性	物材機構1，CNRS2　○（M）小出康夫1，リョオメイヨン1，アルバレッツホセ2
	17	アモルファス窒化炭素薄膜の紫外光領域の光導電性	岐阜高専1，岐大工2　○羽渕仁恵1，森本現揮1，佐藤優貴1，太田由希子1，平塚裕太1，勝野高志2
	18	窒素高含有のアモルファス窒化炭素薄膜の光吸収スペクトル	岐阜高専1，岐大工2　○纐纈英典1，羽渕仁恵1，勝野高志2
▲	19	高配向ナノ炭素シートの電界放出の特性	阪大院工　○（D）王佳宇
	20	スパッタ堆積したカーボン薄膜のRamanスペクトルと電界電子放出特性の相関性	信州大工　○（M）稲垣優人，長谷川洋祐，前沢洋介，山田秀輝，山上朋彦，林部林平，阿部克也，上村喜一
	21	導電性硬質カーボン膜の成膜と電界放出特性の評価（IV）	静大電子研　○木下治久，山下　学，大野元嗣，山口十六夫
6.2 カーボン系薄膜
3月24日　9:00〜18:15
24a-Q-　/ II
	1	大気圧窒素プラズマを用いたCNx生成過程の検討	岡山理科大学1，アリオス2，岡山県産業振興財団3　○田渕秀和1，寒川匡哉1，財部健一1，有屋田　修2，稲村　實3
	2	電子ビーム励起プラズマによる窒化炭素薄膜の創製	名城大理工　○（M）吉川泰晴，有元義則，伊藤幸弘，Petros Abraha
	3	プラズマCVD法により作製されたa-CNx薄膜の局所構造評価	兵庫県立大学高度研1，長岡技術科学大工2　○神田一浩1，井垣潤也1，加藤有理1，米谷玲皇1，松井真二1，伊藤治彦2
	4	アモルファス窒化炭素水素吸蔵材の生成	長岡技科大工　○（M）野崎太郎，戸田育民，齋藤秀俊，伊藤治彦
	5	BrCNのマイクロ波放電分解による硬質a-CNx膜の形成	長岡技科大工　○（M）渡部勇介，高野真弥，齋藤秀俊，伊藤治彦
		休 憩 10:15〜10:30
▲	6	表面波CVDによりDLC：N薄膜の作成	中部大工　Hare Ram Aryal，○Sudip Adhikari，Dilip Chandra Ghimire，Ashraf M.M. Omer，Hideo Uchida，Masayoshi Umeno
	7	表面波プラズマCVDによるa-C薄膜の作成	中部大工　○（D）Sudip Adhikari，Hare Ram Aryal，Dilip Chandra Ghimire，Ashraf M.M. Omer，Hideo Uchida，Masayoshi Umeno
	8	低温で堆積したBCN薄膜の光学的電気的特性	阪大院工　○岡田邦孝，大山和俊，木村千春，青木秀充，杉野　隆
	9	水分による窒化ホウ素炭素(BCN)薄膜の特性変化	阪大院工　○志摩秀和，木村千春，青木秀充，杉野　隆
	10	低誘電率薄膜(SiOC、BCN)におけるAgとCuの熱拡散評価	阪大院工　○（M）森山良太，マズンデルM.K.，木村千春，青木秀充，杉野　隆
△	11	a-C膜の燃料電池用セパレータへの応用	東海大工　○（M）中村太一，三木正法，庄　善之
		昼 食 12:00〜13:00
24p-Q-　/ II
	1	レーザーアブレーション法による窒化炭素薄膜の生成及び照射形状の影響	名城大理工　○景山剛次，澤田雅夫，勅使川原　亮，宮崎健作，Petros Abraha
	2	BCN薄膜のエキシマレーザーアニール	阪大工　○大山和俊，岡田邦孝，木村千春，青木秀充，杉野　隆
	3	ダイヤモンドライクカーボン薄膜のレーザ照射による改質	東京農工大工1，成蹊大2，ハイテックシステムズ3　○鮫島俊之1，牧　正人1，安藤伸行2，佐野直樹3
▲	4	フラーレンを原料に用いてパルスレーザ堆積法で作製したカーボン薄膜	名工大工　Sharif Mohammad Mominuzzaman，Nallathambi Chandrasekaran，○曽我哲夫，神保孝志
▲	5	パルスレーザ堆積法で作製したカーボン薄膜のsp2/sp3の評価	名工大工1，バングラデシュ工科大学2　Sharif Mohammad Mominuzzaman1，Mahbub Alam2，○曽我哲夫1，神保孝志1
	6	C60から作製したアモルファスカーボン膜の水素処理効果	豊田工大　○（M）本田圭一，小島信晃，今泉武彦，寺山隆志，鈴木秀俊，大下祥雄，山口真史
	7	タングステン添加によるDLC薄膜構造への影響	東北大院工1，東北大流体研2　○竹野貴法1，星　悠太郎1，三木寛之2，高木敏行2
△	8	スパッタリング法で作製されたa-C:H 薄膜の結合水素量と膜構造および物性の関係	琉大工　○大城竹彦，神谷浩史，山里将朗，比嘉　晃，渡久地　實
△	9	X線反射率法によるアモルファス炭素膜の物性評価	長岡技科大　○（M）松尾亮太郎，高野真弥，並木恵一，大塩茂夫，西野純一，齋藤秀俊
▲	10	マイクロ波表面波プラズマCVDによるダイヤモンドライクカーボン薄膜の光学および構造特性	中部大工　Dilip Chandra Ghimire，Sudip Adhikari，Hare Ram Aryal，○（D）Ashraf M.M. Omer，Hideo Uchida，Masayoshi Umeno
▲	11	表面波プラズマCVDによりa-C:I 薄膜の作成	中部大工　○（D）Ashraf M.M. Omer，Sudip Adhikari，Hare Ram Aryal，Hideo Uchida，Masayoshi Umeno
		休 憩 15:45〜16:00
	12	液相合成法によるダイヤモンド状炭素膜の合成	東海大1，東海大短大2　○東　幹晃1，安森偉郎2，岡田　工2，木村英樹1，Il yong Choe2，黒須楯生1，飯田昌盛2
	13	有機液体化合物を用いたプラズマCVDによる導電性ダイヤモンドライクカーボンの成膜	サムコ　○大岸厚文，片山大介，楠田　豊，本山慎一
	14	ナノパルスプラズマCVDによる大気開放下でのダイヤモンド状炭素膜の合成	東工大院1，日本ガイシ2　○齊藤雅典1，近藤好正1,2，齊藤隆雄2，寺澤達也2，大竹尚登1
△	15	T字状フィルタードアーク蒸着におけるDLCの膜構造に及ぼす基板温度の影響	豊橋技科大1，オンワード技研2　○彦坂博紀1，岩崎康浩1，田上英人1，滝川浩史1，榊原建樹1，長谷川祐史2，辻　信広2
△	16	三次元イオン注入によるハイブリッドナノダイヤモンド（HND）薄膜の形成に関する研究	金工大高材研1，石川県工試2　○池永訓昭1，安井治之2，粟津　薫2，作道訓之1
	17	PBII法により作製したPETフィルム上のDLC膜の機械的特性評価	産総研サスマテ研1，産総研計測フロ研2　○池山雅美1，Junho Choi1，宮川草児1，宮島達也2
△	18	PMMA材へのDLC膜の形成	東京電機大理工　○（B）松本良平，小林晋也，平栗健二
	19	水環境下におけるクロムおよびステンレスとのDLC膜の摩擦摩耗特性	産総研　○大花継頼，呉　行陽，中村挙子，田中章浩，古賀義紀
	20	酸化鉄微粒子を用いたグラファイト生成過程のその場観察	阪大院工　○（M）木田年紀，高井義造
6.3 酸化物エレクトロニクス
3月22日
22a-P1-　/ II
		ポスターセッション 22a-P1-1〜45　ポスター展示時間9:30〜11:30
△	1	アナターゼTiO2/SrTiO3界面の巨大正磁気抵抗	東大・理1，神奈川科学技術アカデミー2，東工大応セラ3　○畑林邦忠1，一杉太郎1,2，稲葉和久3，植田敦希1，古林　寛2，廣瀬　靖2，山本幸生2，島田敏宏1,2，長谷川哲也1,2
△	2	Pr1-xCaxMnO3薄膜の放射光光電子分光による電子状態解析	東大工1，東大院工2，東大院理3，東大物性研4，東大新領域5，東北大金研6，物材機構7　○岡野圭央1，摩庭　篤2，大久保勇男1,2，組頭広志1,2，尾嶋正治1,2，和達大樹3，Mikk Lippmaa4，藤森　淳3,5，川崎雅司6，鯉沼秀臣7
△	3	RRAMにおける電場誘起抵抗変化効果の理論的研究	東北大工　○三澤太輔，清水幸弘
△	4	(La,Sr)MnO3/Nb:SrTiO3接合における電場変調分光	JST-CREST1，産総研強相関セ2，東北大金研3，東大工4　○（P）中村優男1,2，澤　彰仁1,2，沖本洋一2，佐藤　弘1,2，荻本泰史2，赤穂博司1,2，川崎雅司2,3，十倉好紀2,4
△	5	PLD法による導電性LaTiO3ナノワイヤーの作製	東大物性研1，東大新領域2，物材機構3　○近藤広将1,2，大西　剛1,3，山本剛久2，渋谷圭介1,2，鯉沼秀臣3，リップマーミック1,3
△	6	エピタキシャルDyScO3薄膜の絶縁特性とそれを用いたSrTiO3電界効果トランジスタ	東大新領域1，東大物性研2，物材機構3　○魚住崇之1,2，渋谷圭介1,2，大西　剛2,3，佐藤泰輔1,2，リップマーミック1,2,3
△	7	エピタキシャル応力を制御したLa0.6Sr0.4MnO3薄膜の放射光光電子分光	東大院工1，東大院理2，東大新領域3，東大物性研4，東北大金研5，物材機構6　○（M）摩庭　篤1，近松　彰1，和達大樹2，組頭広志1，尾嶋正治1，藤森　淳2.3，Lippmaa Mikk4，川崎雅司5，鯉沼秀臣6
△	8	共鳴軟X線発光分光による混合原子価Ti酸化物薄膜における価数変化の直接観測	理研/SPring-81，JASRI/SPring-82，東北大金研3，JSTさきがけ4，物材機構5，東大物性研6　○（P）堀場弘司1，江口律子1，竹内智之1，徳島　高1，原田慈久1，大沢仁志2，仙波泰徳2，大橋治彦2，郡司遼佑3，大友　明3,4，川添良幸3，川崎雅司3,5，辛　　埴1,6
△	9	SrTiO3-δをソース・ドレイン電極に用いたSrTiO3電界効果トランジスタの作製	東大新領域1，東大物性研2，物材機構3　○佐藤泰輔1,2，渋谷圭介1,2，大西　剛2,3，魚住崇行1,2，鯉沼秀臣3，Mikk Lippmaa1,2,3
△	10	CeドープSrTiO3薄膜の作製と電気特性	東北大金研1，JSTさきがけ2，物・材機構3　○山田康浩1，大友　明1,2，川崎雅司1,3
△	11	金属/二元系遷移金属酸化物積層構造における抵抗変化メモリ特性	産総研ナノテク1，産総研CERC2，東大院新領域3，東大院工4　○（M）保田周一郎1,3，井上　公2，高木英典2,3，秋永広幸1，赤穂博司2，十倉好紀2,4
	12	二元系遷移金属酸化物を用いたプレーナ型抵抗メモリ素子	東大院新領域1，CREST-JST2　○（D）藤原宏平1，根本　匠1，中村吉伸1,2，高木英典1,2
△	13	原子レベルで平坦なエピタキシャルLaNiO薄膜の作製と物性評価	東大院工1，東工大応セラ研2，東大物性研3，物材機構4，CREST-JST5，東大新領域6　○（M）坪内賢太1，大久保勇男1，組頭広志1，松本祐司2，大西　剛3，Mikk Lippmaa3，鯉沼秀臣4,5,6，尾嶋正治1
△	14	NbドープSrTiO3ショットキー接合の静電容量‐電圧特性	産総研強相関1，東北大金研2，CREST-JST3，ERATO-JST4，東大物工5　○藤井健志1,2,3，澤　彰仁1,3，山田浩之1,3，松野丈夫4，川崎雅司1,2，赤穂博司1,3 ，十倉好紀1,4,5
△	15	高品質アナターゼTiO2薄膜をチャネルに用いた電界効果トランジスタ	東工大応セラ研1，科技構戦略2，東理大工3，東大新領域4，物材機構5　○（P）片山正士1,2，池坂慎哉3，桑野　潤3，鯉沼秀臣2,4,5，松本祐司1,2
△	16	エピタキシャルNiO薄膜における電流-電圧特性と抵抗変化現象	東大工・東大院工1，東工大応セラ研2，Gujarat Univ.3，東大新領域4，CREST-JST5，物材機構6　○（B）石原敏裕1，坪内賢太1，大久保勇男1，松本祐司2，Utpal Joshi3，伊高健治4，鯉沼秀臣4,5,6，尾嶋正治1
△	17	原子ステップを有する酸化物単結晶基板を用いたナノ構造の形成	東工大　応セラ研　○笠原正靖，秋葉周作，松田晃史，岡田崇志，渡辺貴博，吉本　護
△	18	光電子分光によるLaAlO3/LaVO3量子井戸構造の電子状態観測：1	東大新領域1，東大理2，JSTさきがけ3　○（P）堀田育志1，和達大樹2，椋木康滋1，須崎友文1，藤森　淳1,2，Harold Y. Hwang1,3
△	19	光電子分光によるLaAlO3/LaVO3量子井戸構造の電子状態観測2	東大理1，東大新領域2，理研/SPring-83，JASRI/SPring-84　○（D）和達大樹1，堀田育志2，滝沢　優1，藤森　淳1,2，椋木康滋2，須崎友文2，Harold Y. Hwang2，高田恭孝3，堀場弘司3，松波雅治3，辛　　埴3，矢橋牧名3,4，玉作賢治3，西野吉則3，三輪大五3，石川哲也3,4
△	20	MgO(100)基板上に成長させたTi0.94Nb0.06O2薄膜の輸送特性	東大院理1，KAST2，東工大応セラ3　○（M）植田敦希1,2，一杉太郎1,2，古林　寛2，山本幸生2，廣瀬　靖2，笠井淳平2，稲葉和久2,3，島田敏宏1,2，長谷川哲也1,2
△	21	AlドープZnO透明導電膜(AZO)の電気特性に対する高エネルギー粒子の影響	青学大理工1，東ソー2　○（M）石原慶太1，宮村会実佳1，佐藤泰史1，飯草仁志2，内海健太郎2，重里有三1
△	22	PLD法により室温で作製した酸化亜鉛系透明導電膜の低抵抗化	大阪産大工1，奥田技術事務所2　○（M）高瀬康則1，上原賢二1，中村篤宏1，東村佳則1，安倉秀明1，青木孝憲1，鈴木晶雄1，松下辰彦1，奥田昌宏2
△	23	rfマグネトロンスパッタリングによるアモルファスZinc Stannate透明導電膜の作製	青学大理工1，住友化学工業2　○（M）吉田　淳1，佐藤泰史1，重里有三1，長谷川　彰2，服部武司2，三枝邦夫2
△	24	TiO2(001)基板を用いたSnO2エピタキシャル薄膜の作製	東北大金研1，JSTさきがけ2，物・材機構3　○奥出正樹1，上野和紀1，大友　明1,2，川崎雅司1,3
△	25	プラズマスパッタ法によるガラス上の薄いITO膜の異常なキャリア生成	九共大院工1，遼寧工学院2　○河野昭彦1，羅　蘇寧2，馮　宗宝1，能智紀台1，生地文也1
△	26	陽極酸化による酸化チタンナノチューブの作製	東北大通研ナノ・スピン実験施設1，CREST2　○石橋健一1，伊藤和雅1，山口僚太郎1，木村康男1,2，石井久夫1,2，庭野道夫1,2
△	27	レーザーMBE法による酸素ドープTiN系エピタキシャル薄膜の作製と光・電気特性	東工大応セラ研　○（M）大高　盛，原　和香奈，吉本　護
△	28	反応性dcスパッタ法により作製した可視光応答型WO3光触媒薄膜(IV)	青学大理工1，北大触媒セ2　○（M）菊地真衣子1，今井将博1，佐藤泰史1，大谷文章2，重里有三1
△	29	プラズマコントロールユニットを用いた反応性パルススパッタ法によるNドープTiO2の高速成膜	青学大理工1，ブリヂストン2，北大触媒センター3　○（M）田中将省1，橋本敬宏1，佐藤泰史1，大野信吾2，岩淵芳典2，吉川雅人2，大谷文章3，重里有三1
△	30	TiO2膜による防藻効果の評価法	長岡技科大　○藏元孝太郎，並木恵一，大塩茂夫，西野純一，齋藤秀俊
△	31	電子ドープしたSrTiO3からの青色発光とそのパターン化	京大化研1，京大低温センター2，奈良先端大3　○菅　大介1，神田良子1，増野敦信1，寺嶋孝仁2，石墨　淳3，金光義彦1，島川祐一1，高野幹夫1
△	32	レーザープロセスによるSi過剰SiOx系新規半導体の作製と可視発光特性	東工大・応セラ研1，帝京科学大2，並木3，大工大4　○（M）辻　和尊1，原　和香奈1，北村理史1，渡辺貴博1，高木喜樹2，小山浩司3，淀　徳男4，吉本　護1
	33	遷移金属ドープSrTiO3エピタキシャル薄膜の放射光光電子分光	東工大応セラ研1，科技構戦略2，物材機構3，東大新領域4，東大院工5　○（D）大澤健男1，阿部孝寿1，鯉沼秀臣2,3,4，大久保勇男5，組頭広志5，尾嶋正治5，松本祐司1,2
	34	SrRuO3/Nb:SrTiO3ヘテロ界面電子状態のin-situ放射光光電子分光評価	東大院工1，東大新領域2，東大物性研3，東北大金研4，物材機構5　○豊田大介1，高石理一郎1，滝沢　優2，大久保勇男1，組頭広志1，尾嶋正治1，Lippmaa Mikk3，藤森　淳2，川崎雅司4，鯉沼秀臣5
	35	MOCVDにより作製した(Pr,Ca)MnO3薄膜の電気パルス誘起抵抗変化	京大院工　田井隆輔，西尾　彬，○中村敏浩，橘　邦英
	36	絶縁体を中間層に持つマンガン酸化物整流素子	東大新領域1，JSTさきがけ2　○（M）吉田　晋1，須崎友文1，Harold Hwang1,2
	37	Pr1-xCaxMnO3 (x = 0.3, 0.5) 薄膜のテラヘルツ電磁波放射特性における電荷整列相の安定性の影響	阪大レーザー研　寺坂宏介，高橋宏平，○斗内政吉
	38	遷移金属酸化物系抵抗変化メモリ(ReRAM)のパルス応答	富士通研究所　○佐藤嘉洋，木下健太郎，吉田親子，能代英之，矢垣真也，青木正樹，杉山芳弘
	39	バッファ層の導入によるPCMO接合のR-V特性の変化	北陸先端大　○（D）山本浩史，村上達也，坂井　穣，今井捷三
▲	40	MOD法による(001)LAOおよびSTO基板でのLa0.7Ba0.3MnO3薄膜のエピタキシャル成長について	産総研　○ダウディカイス，土屋哲男，山口　巖，真部高明，渡邊昭雄，水田　進，熊谷俊弥
	41	アナターゼTiO2電界効果トランジスタ：界面の効果	東北大金研1，東北大多元研2，物・材機構3　○（P）上野和紀1，豊崎秀海1，佐藤二美2，大友　明1，福村知昭1，川崎雅司1,3
	42	第一原理計算によるSrTiO3超極薄膜を電極として用いたコンデンサの電子状態解析	NTT物性研　○内田和之，影島博之，猪川　洋
	43	FIBによる微細加工を施したSrTiO3単結晶をゲート絶縁体に用いたFETの作製とその特性	京大化研1，京大低温物質センター2　○辻本吉廣1，寺嶋孝仁2，高野幹夫1
	44	In-Ga-Zn-O系薄膜を用いた電界効果トランジスタとその組成依存性	キヤノン融合研1，東工大応セラ研2，東工大フロンティア研3　○板垣奈穂1，岩崎達哉1，田　　透1，雲見日出也1，野村研二2，神谷利夫2，細野秀雄2,3
	45	プラスチック基板上でのアモルファス酸化物チャネルTFTの作製	キヤノン融合研1，東工大応セラ研2，東工大フロンティア研3　○張　建六1，佐野政史1，真島正男1，雲見日出也1，野村研二2，神谷利夫2，細野秀雄2,3
6.3 酸化物エレクトロニクス
3月23日
23a-P3-　/ II
		ポスターセッション 23a-P3-1〜23　ポスター展示時間9:30〜11:30
	1	SnO2薄膜への光キャリア注入	東京大学物性研究所　○村岡祐治，広井善二
	2	マルチカソード反応性スパッタ法によって成膜したSnNb2O6光触媒の可視光応答性	青学大理工　○石塚祐司，佐藤泰史，重里有三
	3	アルミファイバ上二酸化チタンコーティングの光触媒効果によるNOx除去率の向上	名工大1，ケイファ・エコ・ファーム会社2　○（M）羅　　莉1，苗　　蕾 1
	4	2スパッタ源を用いたTiO2薄膜の高速スパッタ成膜法の検討	東京工芸大工　○（M）川口茂利，神谷　攻，星　陽一
	5	TiO2スパッタ薄膜における酸素ラジカルの成膜照射およびアニール効果	東理大理　小川裕庸，○樋口　透，中村　晃，時田進次，宮崎大介，服部武志，塚本桓世
	6	RFマグネトロンスパッタ法による可視光応答光触媒膜の光電気化学特性	シャープ1，大阪府立大工学部2　○横沢雄二1，大岡孝治1，安保正一2
	7	柱状構造を持つ TiO2 薄膜の光蓄電性	鹿児島大工　○堀江雄二，山下和貴，徳重敬三，久野広将，野見山輝明，宮崎智行
	8	雰囲気制御PLDにより作製したチタン酸化物薄膜への炭素ドープの影響	東北大多元研　○中村貴宏，村松淳司，佐藤修彰，佐藤俊一
	9	水熱合成法によるAgドープした酸化チタン系ナノチューブの作製と構造評価	名工大1，九大2　○伊奈勇輔1，苗　　蕾1，種村　榮1，種村眞幸1，藤　昇一2，金子賢治2
	10	光触媒機能を持つanatase型二酸化チタン薄膜の光学特性	上智大理工　○後藤雅子，原田尚美，飯島晃治，欅田英之，江馬一弘，塚本正憲，市川能也，坂間　弘
	11	表面改質によるTiO2/Carbon Fibers 複合電極の光蓄電性の向上	鹿児島大工　○野見山輝明，竹内秀樹，早淵裕哉，堀江雄二，宮崎智行
	12	放射性核プローブを用いた超高感度NMR検出によるTiO2中窒素不純物の動的挙動研究	阪大院理1，中国原子能研2，筑波大物理系3，理研4，ミシガン州立大5，新潟大RIセ6，福井工大7　○三原基嗣1，松宮亮平1，松多健策1，神代真一1，藤原裕樹1，中島良樹1，小紫順治1，長澤　拓1，西村太樹1，鄭　永男2，長友　傑3，小倉昌子1，炭竃聡之4，南園　啓5，福田光順1，泉川卓司6，南園忠則7
	13	光触媒反応によって誘起されるTiO2/SnO2:F積層膜の表面構造の変化	産総研　○岡田昌久，山田保誠，吉村和記
	14	ルチルTiO2薄膜中の二次構造が紫外光吸収に与える影響	名大工1，名大エコトピア2　○吉田健太1，南原孝啓1，山崎　順2，田中信夫2
	15	ルチル型とアナターゼ型が複合したTiO2光電極の光音響スペクトルと光電気化学特性― CdSe量子ドットによる分光増感 ―	電通大量子・物質工学1，電通大コヒーレント光科学2　大塚裕美1，○沈　　青1,2，豊田太郎1,2
	16	ナノ構造TiO2電極に吸着したCdSe量子ドットの結晶成長−光音響スペクトルによる評価―	電通大 量子・物質工1，コヒーレント光科学2　○豊田太郎1,2，沈　　青1,2，小林純也1
	17	透明電極FTOとナノ構造SnO2電極に吸着したCdSe量子ドットの光音響スペクトルと光電気化学特性	電通大　量子・物質工1，コヒーレント光科学専攻2　○豊田太郎1,2，沈　　青1,2，矢内　誠1
	18	CdSe量子ドットを吸着したTiO2フォトニック結晶電極の光音響スペクトルと光電気化学特性	電通大量子物質工1，電通大コヒーレント光科学2　佐藤　彰1，Lina Diguna1，沈　　青1,2，○豊田太郎1,2
	19	CdSe量子ドットを吸着させたTiO2ナノチューブ・ナノワイヤー複合電極の光音響スペクトルと光電気化学特性	電通大量子・物質工1，コヒーレント光科学2　山本佳奈1，○沈　　青1,2，豊田太郎1,2
	20	有機太陽電池におけるTiO2層形成条件の効果	東京高専　偵国健司，鈴木大輔，○（M）永吉　浩
	21	有機太陽電池におけるTiO2バリア層形成条件の効果	東京高専　偵国健司，鈴木大輔，○永吉　浩
	22	ゾルゲル法で作製したTiO2薄膜への色素吸着特性	電通大1，21世紀COE2　○徳江潤也1，石原大志1，朝日智紀1，佐野達司1，小林直樹1,2
	23	ビスマスヴァナジウム酸化物BiVO4表面への水分子の吸着	物材機構　○押切光丈
6.3 酸化物エレクトロニクス
3月24日
24a-P4-　/ II
		ポスターセッション 24a-P4-1〜42　ポスター展示時間9:30〜11:30
	1	低温成膜により作製したITO薄膜の有機EL素子への検討	新大1，工芸大2　○（M）竹内正樹1，槻尾浩一1，森下和哉1，清水英彦1，岩野春男1，川上貴浩1，丸山武男1，星　陽一2
	2	インジウム酸化物薄膜の光・電気特性に対するセリウム元素添加の効果	小山高専　塚田　大，○森　夏樹
	3	反応性dcスパッタ法によるITOの成膜プロセスにおける高エネルギー粒子の解析	青学大理工　○田澤俊幸，伊藤宜弘，宮村会実佳，佐藤泰史，重里有三
	4	RFマグネトロンスパッタ法によるMnドープITO薄膜の作製	京大工　○田邊浩平，連石和樹，中村敏浩，橘　邦英
	5	ITOスパッタ膜の基板上での特性分布とその原因について	東京工芸大学工学部1，キヤノン生産技術研究所2　○星　陽一1，市川圭亮1，尾内優介1，神谷　攻2，亀山　誠2，岩瀬秀夫2
	6	アーク放電を利用したIP法により作製したITO膜の特性	セントラル硝子　○大本英雄，高松　敦，泉谷健介，小林孝司
	7	ナノ秒サーモリフレクタンス法によるIZO薄膜の熱物性評価	青学大理工1，産総研2　○蘆田　徹1，宮村会実佳1，佐藤泰史1，重里有三1，八木貴志2，竹歳尚之2，馬場哲也2
	8	ITO透明導電膜のスパッタ成膜プロセス中へのH2O添加効果	青学大理工1，東芝2　○東郷紀臣1，西村絵里子1,2，宮村会実佳1，佐藤泰史1，重里有三1
	9	オープンエアー低温プラズマを用いたZnO薄膜の作製	香大工1，高松高専2　○須崎嘉文1，佐々朋斉1，篠原聖治1，江島正毅1，鹿間共一1
	10	斜めスパッタ成膜によるAlドープZnO(AZO)薄膜の微細構造に関する研究	青学大理工　○柳澤　圭，宮村会実佳，佐藤泰史，重里有三
	11	光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製	名工大　○東　雅紀，宮脇哲哉，市村正也
	12	FCVA法により作製された酸化亜鉛薄膜の光学特性	名工大1，南大2　○（P）苗　　蕾1，種村　榮1，種村真幸1，劉　樹平2，泰　朋康2
	13	InドープによるZnO薄膜光学特性への効果	名工大　○（P）苗　　蕾，曹　永革，種村　榮，種村真幸，林　靖彦
	14	薄膜Si系太陽電池用透明導電膜に向けたゾルゲル法によるZnO:Alの成膜	阪大院基礎工　○加藤晋吾，松浦　努，傍島　靖，外山利彦，岡本博明
	15	スプレーCVD法によるAl添加ZnO薄膜の成長と評価	都立科技大院工1，首都大学東京2　○（M）三武崇志1，渋谷隆明1，菅原宏治1,2
	16	スプレーCVD法による塩化ガリウム添加ZnO薄膜の成長と評価	東京科技大工1，首都大学東京2　○（M）渋谷隆明1，三武崇志1，菅原宏治1,2
	17	スパッタビーム堆積法によるZnO薄膜の作製	新潟大学1，東京工芸大学2　○（M）川上　歩1，野口　亨1，清水英彦1，岩野春男1，川上貴浩1，丸山武男1，星　陽一2
	18	Zn(DPM)を原料としたMOCVDによるZnO薄膜の作製と評価	阪大基礎工学研究科　○（D）黄　裕銘，金島　岳，山下　馨，Ricinschi Dan，VanHai Le，奥山雅則
	19	ルチル型Nb:TiO2エピタキシャル薄膜の電気伝導特性	KAST1，東大院理2　○笠井淳平1，一杉太郎1,2，植田敦希2，廣瀬　靖1，古林　寛1，島田敏宏1,2，長谷川哲也1,2
	20	走査型マイクロ波顕微鏡による薄膜導電性の定量評価	東大院理1，物材機構2，神奈川科学技術アカデミー3　○（D）岡崎壮平1，岡崎紀明2，廣瀬　靖3，古林　寛3，一杉太郎1,3，島田敏宏1,3，長谷川哲也1,3
	21	反応性RFスパッタ法によるanatase型NbドープTiO2薄膜の作製	青学大理工　○（M）秋月秀夫，宮村会実佳，佐藤泰史，重里有三
	22	プラズマ発光コントロールシステムを用いた反応性パルススパッタリング法によるSbドープSnO2 (ATO)高速成膜	青学大理工1，ブリヂストン2，フラウンホーファ研究所3　○河口佳大1，大野信吾1,2，宮村会実佳1，佐藤泰史1，岩淵芳典2，吉川雅人2，Peter Frach3，重里有三1
	23	反応性スパッタ法によるCu2O薄膜の堆積と導電性評価	東海大　上村隆久，○沖村邦雄
	24	反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCuAlO2薄膜成長	東理大理工1，筑波大院・電子物理工/COE2　○佐伯圭太1，今尾　隆1，村山　聡1，中西久幸1，杉山　睦1，秩父重英2
	25	CVD法に用いる新規β−ジケトナト銅(II)錯体の合成と評価	宇部興産1，宇部興産2，宇部興産3，宇部興産4　○角田　巧1，長谷川千尋2，綿貫耕平3，金戸宏樹4
	26	CVD法に用いる新規β-ジケトナト亜鉛錯体の合成と評価	宇部興産1，宇部興産2，宇部興産3，宇部興産4　○角田　巧1，長谷川千尋2，綿貫耕平3，金戸宏樹4
	27	乾燥ゲルを蒸着源としたニオブ酸系薄膜の作製	高松高専　○（B）尾崎祐輔，岡野　寛，鹿間共一
	28	LSMO薄膜の酸素含有量と電気磁気特性	北陸先端大　○坂井　穣，伊藤暢晃，今井捷三
	29	ECRスパッタ法で成膜したBiTiO膜における抵抗スイッチング現象	NTT MI研1，NTT-AT2，NTTアフティ3　○神　好人1，篠島弘幸1，嶋田　勝1，榎本陽一2，木内幹保3
	30	テラヘルツ電磁波発生に見られるBiFeO3薄膜における光誘起分極反転効果	阪大レーザー研　○高橋宏平，斗内政吉
	31	2元RFマグネトロンスパッタ法により作製したBi4Ti3O12薄膜のTiO2−Buffer層の影響	東理大理　稲田直子，柾屋浩明，西　麻里，○樋口　透，服部武志，塚本桓世
	32	PLD法によるBaCeO3/MgO薄膜の作製と電気特性の評価	東理大理　吉田智一，小林良正，○樋口　透，岡田早織，清水　哲，服部武志，塚本桓世
	33	ICP支援スパッタ法によるC面サファイア基板上への相転移VO2薄膜の堆積と評価	東海大　二瓶祐輔，○沖村邦雄
	34	ICP支援スパッタ法により堆積したVO2薄膜の電界誘起相転移	東海大　笹川裕介，○沖村邦雄
	35	スパッタ法による酸化発色型LiドープNiOx薄膜の作製	青学大理工1，新日本石油2　○（M）岩永廣介1，久保貴哉2，重里有三1，佐藤泰史1
	36	フレキシブルエレクトロクロミック素子の開発	農工大院工　○（D）吉村栄郎，坂口智典，越田信義
	37	単一WOxナノロッドのラマン散乱分光とその電気伝導特性	物材機構1，科技構2，筑波大院数物3　○新ヶ谷義隆1,2，中山知信1,2,3，青野正和1,2
▲	38	β-Ga2O3 Oxygen Gas Sensors at High Temperatures Using Chemical Solution Deposition Method	Shizuoka　Univ.1，Al.I.Cuza Univ.Ro2　○Marilena Bartic1，Cristian-Ioan Baban2，以西雅章1，荻田正巳1
	39	アルゴンプラズマ中の金属原子のイオン化に及ぼす添加ガスの影響	中部大工1，同志社大工2　○（M）若山　玲1，中村圭二1，行村　建2
	40	多結晶Ru膜の酸素プラズマによる酸化と水素プラズマによる酸化物除去	九工大工1，ASET EUVプロセス技術研究室2　岩崎吉記1，和泉　亮1，鶴巻　浩1，○並木　章1，老泉博昭2，西山岩男2
	41	デュアルスパッタ法におけるプラズマ電位とその制御	東京工芸大院工1，新潟大工2　○國芳祐二1，星　陽一1，神谷　攻1，清水英彦2
	42	遷移金属材料の反応性イオンエッチング	アルバック1，産業技術総合研究所2　○（D）小風　豊1，山本直志1，高野史好2，秋永広幸2，鄒　紅コウ1
6.4 薄膜新材料
3月22日　9:30〜17:30
22a-R-　/ II
	1	TiO2薄膜CVDの反応解析	東海大工　○（M）村上博史，下中克也，東　保男，秋山泰伸
	2	大気開放型CVD法によるTiO2/SiO2多層膜の作製	長岡技術科学大学1，CVDプロダクツ2　○（D）岸本真一1，田中大祐2，並木恵一1，大塩茂夫1，西野純一1，齋藤秀俊1
	3	エアロゾルCVDによるIn2O3薄膜成長過程におけるプリカーサーの流れ予測(2)：溶媒の効果	横浜市大院総合理学　○（M）竹内政博，馬来国弼
	4	In-Situ測定装置による、マグネトロンスパッターに於ける放出角度分布の測定	キヤノン1，東京工芸大工2　○神谷　攻1，星　陽一2，川井孝真2，宮地　功2
	5	ミストCVD法による各種金属酸化物薄膜の作製	京大院工電子1，京大院工化工2，京大IIC3　○（D）川原村敏幸1，西中浩之2，須磨隆富1，谷垣昌敬3，藤田静雄3
		休 憩 10:45〜11:00
	6	複合ターゲットを用いたスパッタ法によるMg-Si膜の堆積機構	東大先端研1，岐阜科学技術振興センター2，東北大金材研3　○芹川　正1，川端健詞1，山口貴嗣2，荻沼秀樹1，近藤勝義1，木村久道3，井上明久3
	7	スパッタMg-Si膜形成におよぼす基板電圧印加効果	東大先端研1，岐阜県科学技術振興センター2，東北大金材研3　○川端健詞1，芹川　正1，山口貴嗣2，荻沼秀樹1，近藤勝義1，木村久道3，井上明久3
	8	A面サファイア基板上に堆積したRh薄膜のエピタキシャル配向に及ぼすスパッタ基板温度の影響	北見工大院工　○加藤清彦，佐々木克孝，阿部良夫
	9	超臨界CO2流体中におけるRuの形状敏感堆積の基礎検討	山梨大院医工　○（M）廣瀬みちる，近藤英一
	10	デジタルスパッタ法によるTa-SiO2薄膜抵抗体成膜	アルバック　千葉超材研　中牟田　雄，井堀敦仁，鈴木寿弘，○松本昌弘，谷　典明
	11	MOCVD法による3インチ基板上へのLaNiO3薄膜の作製	明星大理1，高千穂商2　○（M）鹿子俊明1，壁谷真徳1，橋本俊充2，吉澤秀治1
		昼 食 12:30〜13:30
22p-R-　/ II
△	1	有機/金属ナノ積層膜における構造と物性の経時変化	山形大院理工1，山形大工2　○（D）*　Masruroh1，土本吉宏1，折原勝男2，小池邦博2，森田博昭2，石川　優2，都田昌之2
△	2	SiO2光学薄膜における内部応力の経時変化と光学特性	東海大工1，シンクロン2　○荒井健太郎1，小林大輔1，室谷裕志1，若木守明1，松下紀明2，金谷泰将2
△	3	TiO2光学薄膜における内部応力の長期的変化	東海大工1，シンクロン2　○（B）小林大輔1，荒井健太郎1，室谷裕志1，松下明紀2，金谷泰将2
△	4	TiO2光学薄膜の散乱特性の研究	東海大工1，シンクロン2　○工藤岳史1，室谷裕志1，小林大輔1，若木守明1，松下紀明2，金谷泰将2
△	5	レーザアブレーション法を用いて異なるAr圧力下で作製した酸化コバルト薄膜のCOガスに対する光応答特性	産総研　○Hyun-Jeong Nam，佐々木　毅，越崎直人
▲△	6	Computational Simulation on the Electrical Conductivity of SnO2 Gas Sensor Materials	東北大院工1，科技振さきがけ2，東北大未来センター3　○（D）朱志剛1，Arunabhiram Chutia1，坪井秀行1，古山通久1，遠藤　明1，久保百司1,2，Carlos Del Carpio1，宮本　明1,3
	7	拡張ヒュッケル法による第3元素を置換した硬質材料の高温安定性の評価	山梨大院　○（D）高島英彰，管野善則
△	8	耐摩耗材料への第3元素置換による性質改善の評価	山梨大工1，山梨大院2　○古川太一1，管野善則2
		休 憩 15:30〜15:45
△	9	ルチル型TiO2/Nb:TiO2単結晶薄膜の膜厚依存光触媒活性スペクトル	東工大1，東大新領域2，科技構戦略3，物材機構4　○（M）阿部孝寿1，大澤健男1，鯉沼秀臣2,3,4，松本祐司1,3
△	10	高重力下でのPLD法によるFGM薄膜作製	九大院工　○黒木優子，西山貴史，永山邦仁
△	11	高重力場下でのPLD法による2成分系組成傾斜薄膜の作製	九大院工　○西山貴史，黒木優子，永山邦仁
△	12	Y2O3薄膜堆積過程の活性化エネルギーを用いた原料探索	長岡技科大1，昭和電工2，日本セラテック3　○目崎拓也1，植田　隆2，岸　幸男3，並木恵一1，大塩茂夫1，西野純一1，齋藤秀俊1
	13	多角バレルスパッタリング法を用いた微粒子表面への金属薄膜修飾	富山大水素研セ1，日本ピラー工業2　○田口　明1，北見知士2，山本浩也1，赤丸悟士1，阿部孝之1
	14	金属元素ドーピングC60薄膜の結合について	早大理工　藍原智之，○西永慈郎，河原塚　篤，堀越佳治
	15	有機液体原料を用いたHWCVD法によるSiCN膜の耐食性評価	九工大工1，東洋ステンレス研磨工業2　○中山田　敬1，三嶋大輔1，松尾亘祐1，門谷　豊2，和泉　亮1
6.4 薄膜新材料
3月23日　9:30〜19:00
23a-R-　/ II
	1	UHVスパッタリング法によるHfN薄膜の成長	東京電機大工　○（M）藤井　航，阿部拓也，倉田敏行，篠田宏之，六倉信喜
	2	RF-MBE法による窒化亜鉛(Zn3N2)薄膜の作製 (2)	能開総大　○柿下和彦，川那子高暢，椿　朋泰，須田敏和
	3	(001)Si上極薄エピタキシャル(001)TiN膜の電気的特性とその表面形態	北見工大1，詫間電波高専2　○長江雄亮1，柳沢英人1，佐々木克孝1，新海聡子2，阿部良夫1
	4	(111)Si上でのRu/ZrN積層膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態	北見工大1，詫間電波高専2　○櫻井純平1，柳沢英人1，新海聡子2，佐々木克孝1，阿部良夫1
	5	(001)Si基板上での極薄TaN膜のエピタキシャル成長とその表面形態	北見工大1，詫間電波高専2　茶畑嘉仁1，○柳沢英人1，新海聡子2，佐々木克孝1，阿部良夫1
		休 憩 10:45〜11:00
	6	反応性スパッタリング法による新結晶相窒化スズ薄膜の作製	名大エコトピア1，名大院工2　○井上泰志1，齋藤永宏2，高井　治1
	7	水素ラジカルによる輸送効果を利用したInN薄膜の形成	農工大工1，日工大2　○（M）佐藤　成1，竹内良太1，青柳　稔2，上迫浩一1
▲	8	AlN growth on β-Ga2O3 substrates by the molecular beam epitaxy technique	物材機構1，光波2　○E.G. Villora1，島村清史1，青木和夫2，北村健二1
	9	反応性スパッタリング法による白金酸化物薄膜の光学的特性	明治大理工　○岩井祐貴，中川晃一，津田俊幸，三浦　登，松本節子，中野遼太郎，松本皓永
	10	反応性スパッタリング法によるV添加Ag酸化物薄膜の光学的特性	明治大理工　○張　善齢，中川晃一，三浦　登，松本節子，中野鐐太郎，松本皓永
	11	反応性スパッタリング法によるシリコン酸化物薄膜の熱処理効果	明治大学理工　○（M）津田俊幸，中川晃一，白石佑一，松本皓永，松本節子
		昼 食 12:30〜13:30
23p-R-　/ II
	1	In2O3系高移動度透明導電性酸化物の検討	産総研太陽光発電研究センター1，東工大総理工2　○鯉田　崇1，大西雄也2，近藤道雄1,2
	2	ITO透明導電膜の異常電気抵抗変化	法政大工　○高山新司，石渡伸哉，窪庭慎一郎
	3	スプレー熱分解法で成膜したスズドープガリウム-インジウム透明導電酸化物	フジクラ　○川島卓也，後藤謙次，小林一治
	4	PLD法により作製したZnO−In2O3系二層膜の特性評価	徳島大工1，詫間電波高専2　○（B）石田勝也1，榊原友士1，三河通男2，富永喜久雄1，村井啓一郎1，森賀俊広1
	5	PLD法により作製した積層型透明導電膜の電気的・光学的特性評価	徳島大工1，詫間電波高専2　○（M）大野裕孝1，瀧　　旭1，三河通男2，村井啓一郎1，森賀俊広1
	6	ZnO-In2O3系透明導電膜におけるGa2O3ドーパントの添加量依存性	徳島大工　○（M）助田祐志，西村勇介，瀧田啓介，高田大輔，下村幸司，富永喜久雄，村井啓一郎，森賀俊広
	7	SPD法によるFTO膜の導電性制御	フジクラ材料研　○後藤謙次，川島卓也，小林一治
	8	大気圧ハライド気相成長法によるGaAs基板上へのZnO成長	静岡大工　○武内麻理子，高橋直行，中村高遠
	9	ZnO薄膜へのH2マイクロ波表面波プラズマによる表面改質効果（2）	ミクロ電子1，東洋大工2，PTC3　○中山貴道1，滝沢　力1，柏木邦宏2，坂本雄一3
	10	ZnO膜の特性に及ぼす基板温度の影響と後熱処理によるガス雰囲気中熱処理効果	法政大工　○高山新司，田上智士，北野智久
		休 憩 16:00〜16:15
	11	定電流電析法によるZnO薄膜の作製と評価	阪府大工　○芦田　淳，藤田章雄，大隈孝仁，中平　敦
	12	強還元TiO2-xの異常輸送特性	神奈川科学技術アカデミー1，東大院理2　○（P）古林　寛1，廣瀬　靖1，一杉太郎1,2，島田敏宏1,2，長谷川哲也1,2
	13	反応性スパッタ法によるSrTiO3基板上へのNbドープTiO2薄膜のエピタキシャル成長	東海大　○高山　純，沖村邦雄
	14	円筒型マグネトロンガスフロースパッタリング(CM-GFS)源により成膜したPt添加TiO2薄膜の表面評価	東海大1，生体分子研2，東京高専3　○（M）山崎雅博1，西野寛之1，大場敬生2，河村　智2，岩瀬満雄1，小栗和也1，西　義武1，一戸隆久3，正木　進3
	15	Pulsed Laser Deposition：Nb:SrTiO3薄膜のマイクロストラクチャーと電気伝導性の制御	東大物性研1，物材機構2，東大新領域3　○大西　剛1,2，山本剛久3，鯉沼秀臣2,3，Mikk Lippmaa1,2,3
	16	Pulsed Laser Deposition：酸化物材料のアブレーション・デポジション過程の解析	東大物性研1，物材機構2，AOV3　○大西　剛1,2，斉藤隆司3，石田哲夫3，鯉沼秀臣2，Mikk Lippmaa1,2
	17	β-Ga2O3膜への不純物添加効果	熊本電波高専　○高倉健一郎，中島敏之，清田善彦，古田稔貴，工藤友裕，葉山清輝，大山英典
	18	ポストアニール処理によるCuScO2薄膜の配向性および結晶性の改善(2)	府産技研　○筧　芳治，佐藤和郎
	19	ArイオンビームスパッタリングによるInTaO4薄膜の成長	横浜市大院総合理学1，横浜市工業技術支援センター2　○（M）川上　創1，井出美江子2，馬来国弼1
	20	超高真空マグネトロンスパッタリングによるCu2O,CuO薄膜のエピタキシャル成長制御(Ｖ)	横浜市大院総理1，横浜市工業技術支援センター2　○（D）伊東孝洋1，井出美江子2，馬来国弼1
	21	多角バレルスパッタリング法による微粒子表面へのSnO2薄膜修飾とその物性評価	富山大水素研セ　○赤丸悟士，東出真吾，広見千賀子，井上光浩，阿部孝之
6.4 薄膜新材料
3月24日　9:30〜12:30
24a-R-　/ II
	1	相変化材料における結晶化過程の観察	電機大1，NHK放送技研2，農工大3　永塚俊一3，○真柄祐介1，清水直樹2，木下延博2，石井紀彦2，佐藤勝昭3
	2	RFおよびDCマグネトロンスパッタリング法による相変化メモリ用Ge-Sb-Te系薄膜の作製	アルバック　○菊地　真，呉　東永，木村　勲，西岡　浩，鄒　紅コウ
	3	ポルフィリン−陽極酸化アルミナ膜の構造と酸素応答性	産総研1，東北学院大2，東亜電化3　○南條　弘1，本多　悟2，横山敏郎1，西岡将輝1，石井　亮1，伊藤徹二1，加藤隆二1，佐々木八重子3，中村正幸3，女川　淳2
	4	多元同時反応性スパッタリング法による不純物添加W酸化物薄膜のフォトクロミック特性	明治大理工　○中川晃一，三浦　登，中野鐐太郎，松本節子，松本皓永
	5	ハイドロキシアパタイト薄膜を用いたグルコースセンサ	近大生物理工1，JST・CREST2，わかやま産業振興財団3　○西川博昭1, 2, 3，奥村大地1, 2，楠　正暢1, 2, 3，本津茂樹1, 2, 3
		休 憩 10:45〜11:00
	6	Liを含んだMn酸化物薄膜の生成	静大工　○以西雅章，長南祐史，東條　靖
	7	方位選択エピタキシャル成長したCeO2/Si(100)構造の断面TEM観察	いわき明星大科学技術　○井上知泰，引地貴伯，圷　智哉，信田重成
	8	CVD法により作製したSi基板上CeO2薄膜の電気特性	法大工1，半導体プロセス研2，キヤノンアネルバ3　○（M）田杭一成1，大野博登1，逸見英隆1，中村圭一1，鈴木　摂2，石橋啓次3，山本康博1
	9	ダイナミックオーロラPLD装置の開発とYSZ薄膜の作製	東工大院工1，東工大CAMA2，東工大ものづくりセンター3　○脇谷尚樹1，門脇貞子1，長宗豊和1，木口賢紀2，水谷惟恭3，篠崎和夫1
▲	10	PE-ALD方法を利用するDRAMのcapacitorのRu-Niの薄膜成長	IPS, LTD.　○（M）Hyun-Suk Kang，Ki Hoon Lee，Soo Hyun Kim，Hong Joo Lim，Tae Wook Seo，Ho Seung Chang
	11	フラッシングスプレーCVD法によるキャパシタ用Nb2O5薄膜の電気的特性	堀場製作所開発センター1，同志社大工2，堀場エステック3，大阪府立大4　○富永浩二1，大嶋元啓2，米田有紀子2，清水哲夫3，中尾　基4，千田二郎2，石田耕三1
6.5 表面物理・真空
3月22日　9:00〜12:00
22a-T-　/ II
	1	室温におけるSi(111)-7x7表面へのO2吸着ダイナミクス(I) - 時分割XPSで観た初期吸着確率の並進運動エネルギー依存 -	日本原子力研究開発機構1，大府大院2　○吉越章隆1，成廣英介1,2，盛谷浩右1，寺岡誘殿1
	2	室温におけるSi(111)-7x7表面へのO2吸着ダイナミクス(II) - SR-XPSで観た飽和吸着酸素量の並進運動エネルギー依存性 -	日本原子力研究開発機構1，大府大院2　○吉越章隆1，成廣英介1,2，盛谷浩右1，寺岡誘殿1
	3	Si(001)初期酸化過程におけるサイト別の活性化障壁の考察	横国大工　○滝澤純一，藻川芳晴，小泉順也，大野真也，首藤健一，田中正俊
	4	エチレンにより炭化したSi(001)c(4×4)-C表面の酸化過程のRHEED-AES観察	東北大多元研　○（B）川村知史，小川修一，高桑雄二
▲	5	Co-deposition of Si and CH4 on Si(111)-7x7 substrate	名大工1，日女大理2　○Suryana Risa1，一宮彪彦2，中原　仁1，齋藤弥八1
▲	6	Si(100)-2x1表面からの水素熱脱離の主要なプロセス	九工大工　Khan Arifur，右ノ子知恵，竹尾　明，○並木　章
		休 憩 10:30〜10:45
	7	RHEEDによるSi（111）面上のFeシリサイド薄膜の観察(II)	神戸大工　荒井彰文，本郷昭三，○浦野俊夫
	8	LEEDによるSi(001)面上のFe蒸着膜の観察	神戸大工　濱　威史，近藤謙治，本郷昭三，○浦野俊夫
	9	Si(111) 微斜面におけるAuアイランドのエレクトロマイグレーション	電通大電子1，東大大院物理2　○坂本克好1，名取晃子1，河野勝泰1，長谷川修司2
	10	Si(111)上でのEr成長過程のSTMによる観察	阪電通大エレ研　○金井由香利，木幡彩子，安江常夫，越川孝範
	11	Si(113)表面におけるボロンの表面偏析と構造変化	NTT物性基礎研1，北京大学2　○住友弘二1，Zhaohui Zhang2
6.5 表面物理・真空
3月23日　9:30〜19:00
23a-T-　/ II
	1	W(110)上でのCu二重層構造変化に伴うオージェ電子強度異常の解釈	阪電通大エレ研1，アリゾナ州立大2　○安江常夫1，清水　宏1，中口明彦1，Bauer Ernst2，越川孝範1
	2	Cu/W(110)のPEEMコントラスト形成メカニズム	阪電通大エレ研1，アリゾナ州立大2　○安江常夫1，清水　宏1，中口明彦1，Bauer Ernst2，越川孝範1
	3	光電子顕微鏡法によるシリコン酸化膜の表面電場のナノスケール評価の試み	豊田工大ナノハイテクセ1，高輝度光科学研究センター2　○吹留博一1，吉村雅満1，上田一之1，郭　方准2，木下豊彦2，小林啓介2
	4	SR-XPEEM、LEEM、制限視野LEEDによるIn/Si(111)上でのSb成長過程	阪電通大エレ研1，JASRI2，理研3，JAEA4　○中口明彦1，郭　方准2，安江常夫1，橋本道廣1，上田将人1，松下智裕2，為則雄祐2，大浦正樹3，竹内智之3，斎藤祐児4，辛　　埴3，木下豊彦2，小林啓介2，越川孝範1
	5	Fe/SiO2/Si 構造における表面・界面反応のSPELEEM による解析	NTT物性基礎研1，高輝度光科学研究センター2　○前田文彦1，日比野浩樹1，鈴木　哲1，郭　方准2
	6	Auを吸着したSi(111)表面での質量輸送	NTT物性基礎研1，名大理2　○日比野浩樹1，上羽牧夫2
		休 憩 11:00〜11:15
	7	イオン付着飛行時間質量分析法（IA-TOF-MS） (1) 卓上サイズ分析装置の開発	産総研計測フロンティア1，東理大理工2，キヤノンアネルバテクニクス3　○齋藤直昭1，南條純一1,2，種田康之3，塩川善郎3
△	8	イオン付着飛行時間質量分析法（IA-TOF-MS） (2) 高質量粒子の計測	産総研計測フロンティア1，東理大理工2，キヤノンアネルバテクニクス3　○（M）南條純一1,2，齋藤直昭1，種田康之3，塩川善郎3
	9	簡易型軟X線分光の表面研究への応用	○上田一之，吉川佳子
△	10	実用的極高真空システムの開発と応用	早大材研1，JSTさきがけ2，ホロン3，アプコ4　○裏田友洋1，boklae Cho1,2，石川　剛1，大島忠平1，米澤　彬3，齋藤秀一4
	11	X線を発生しない電離真空計(II)	神戸大工1，呉高専2　羽渕峻行1，池田朋大1，浦野俊夫1，○金持　徹1，田中　誠2
		昼 食 12:30〜13:30
23p-T-　/ II
△	1	マイクロ構造を用いた疎水性表面間相互作用力の距離依存性の測定	東京大学情報理工　○大竹智尚，尾上弘晃，星野一憲，松本　潔，下山　勲
	2	斜め蒸着を利用した量子ドットアレイの形成	豊田中研1，トヨタ自動車2，Univ. New South Wales3　○竹田康彦1，伊藤　忠1，元廣友美1，長島知理2，Dirk König3，Gavin Conibeer3
△	3	Si基板にナノコンタクトしたGeナノ結晶におけるトンネル電流の量子的変化	東大院工1，CREST-JST2　○中村芳明1,2，渡辺健太郎1，初貝安弘1，市川昌和1,2
△	4	Si(111)ステップ構造を利用したGeナノ構造制御	慶大理工1，科学技術振興機構2，Forschungszentrum Jülich3　○（M）吉田俊治1，関口武治1,2，伊藤公平1,2，Josef Myslivecek3，Bert Voigtländer3
	5	微小角入射X線小角散乱によるSi(113)面上Geナノワイヤー構造の評価	リガク1，NTT基礎研2，SPring-83　○表　和彦1，川村朋晃2，尾身博雄2，広沢一郎3，北野彰子3
△	6	表面X線回折法によるInP(001) (2×4)表面構造の研究	名大工1，静大電子研2，東大物性研3，高エ研4　○浦田朋晃1，wolfgang Voegeli1，秋本晃一1，下村　勝2，福田安生2，高橋敏男3，張　小威4，杉山　弘4，河田　洋4
	7	傾斜SiC(0001)基板表面にみられる自己形成周期的ナノファセット構造	北大電子研1，SiXON2　○（M）藤井政弘1，田中　悟1，寺田一教1，末宗幾夫1，塩見　弘2，木下博之2
	8	電気化学電位による貴金属ナノワイヤーの構造制御	北大院理　○木口　学，三浦進一，村越　敬
	9	LEED I-V曲線より構築されたパターソン関数による表面構造の再構成	神戸大工　山本昭徳，本郷昭三，○浦野俊夫
	10	STMによるSrTiO3(100)表面の占有状態観察	物材機構ナノマテ研　○（P）白木一郎，三木一司
△	11	SrTiO3(001)表面における二次元構造の熱緩和機構	阪大産研　○後藤洋臣，須藤孝一，岩崎　裕
		休 憩 16:15〜16:30
	12	MgO(001)劈開面への水曝露による表面水酸化の観察	東邦大理　牧田欧子，高木祥示，○後藤哲二
	13	電子衝撃脱離法によるMgO(001)劈開面上のメタノール吸着状態の観察	東邦大理　鷺坂圭亮，道浦康貴，村田宏行，高木祥示，○後藤哲二
	14	水が吸着した希ガス固体表面における電子遷移誘起脱離	学習院大自然　○立花隆行，盛田麻衣，橋本和幸，三浦　崇，荒川一郎
△	15	樹脂・黒鉛複合体の親水化処理による表面自由エネルギーの変化	三重大工電凝縮研　○（M）富田裕也，南山広知，茅野敬太，青木裕介，中村修平
	16	極低温水氷表面における水素分子形成測定	九州工大工1，東大物性研2　○山内貴志1，並木　章1，吉信　淳2
	17	鉄ヒドロゲナーゼ-水素付加体からの水素分子の解離反応	阪大工　○津田宗幸，笠井秀明
	18	吸着分離法によるオルソ水素源の最適化に関する考察	東大生研　二木かおり，藤原理悟，福谷克之，○岡野達雄
▲	19	強磁性体からの2次電子のスピン偏極シミュレーション	物材機構1，さきがけJST2，合肥微研3，中国科技大4　○孫　　霞1,3,4，丁　澤軍3,4，倉橋光紀1，張　建武1,3,4，鈴木　拓1,2，山内　泰1
	20	4.2 Kにおける金原子サイズ接点の高バイアス実効温度	京大材工1，京大IIC2　○（D）筒井真楠1，黒川　修2，酒井　明2
	21	多重磁極形高周波マグネトロンスパッタ法によるFe薄膜の基板温度依存症	広島工大工　○（B）桑原　豪，岩瀬一毅，坂田　務，原田昌浩，川畑敬志
6.5 表面物理・真空
3月24日　9:30〜12:30
24a-T-　/ II
△	1	TEAS法を用いたPt(111)表面上O2分子の反応解析	○（M）堀　　剛，岡田隆太，久保井宗一，張本大起，佐々木正洋
	2	リアルタイム紫外光電子分光によるTi(0001)1×1表面酸化の「その場」観察	東北大多元研　○高桑雄二，大平雅之，小川修一
	3	チタン系真空材料の表面酸化層のキャラクタリゼーション	UBE科学分析センター　○宗山悦博，國重敦弘，竹田将利
▲	4	硫酸水溶液中の低電位におけるアノード酸化膜の結晶化	産総研　Zhengbin Xia，○南條　弘，yuhong Yao，石川育夫，相澤崇史
△	5	高温におけるSc-O/W(100)系の表面物性 −酸素分圧依存性−	阪大院工　○（M）中西洋介，永富隆清，高井義造
	6	Ag(100)上のAr，Kr，Xe物理吸着層の構造	学習院大理　○（M）飯塚一智，濱田　望，三浦　崇，荒川一郎
		休 憩 11:00〜11:15
	7	銅表面に物理吸着した水素の電子励起脱離	学習院大理　○（M）田澤俊彦，川島裕史，三浦　崇，荒川一郎
	8	金属薄膜の表面融解の研究	原子力機構1，日女大理2　○（P）林　和彦1，河裾厚男1，一宮彪彦1,2
	9	Mo(110)表面上に蒸着されたBiの表面構造	東理大　基礎工　○（D）前原有貴，前川俊樹，川野輪　仁，後藤芳彦
	10	金属-絶縁薄膜界面のフェルミレベルアライメントの測定	物材機構　○吉武道子，Weijie Song，知京豊裕
△	11	Cu(110)表面でのジカルボン酸の吸着構造と仕事関数	物材機構ナノマテ研　○柳生進二郎，吉武道子，知京豊裕
6.6 プローブ顕微鏡
3月24日　13:30〜18:45
24p-R-　/ II
△	1	AFMによる微細パターン側面粗さの観察	群馬大院工　○（M）星野堅一，岡田大佑，寺内大輔，曾根逸人，保坂純男
△	2	Si(001)表面の極低温NC-AFM観察における特異な散逸像の出現原因解明	阪大院工　○（P）李　艶君，野村　光，尾崎直幸，内藤賀公，影島賢巳，菅原康弘
△	3	レーザー照射によるAFMカンチレバーの直接駆動	金沢大自然科学1，JST-CREST2　○（M）山下隼人1，古寺哲之1，宮城　篤1，内橋貴之1,2，安藤敏夫1,2
△	4	磁気力顕微鏡を用いた電流定量評価	東大生研1，早大ナノテク研2　○（D）才田大輔1，江面知彦2，筒井　謙2，和田恭雄2，高橋琢二1
△	5	走査型非線形透磁率顕微鏡による磁界分布計測	東北大通研1，秋田県高度技術研究所2　○遠藤　誠1，大原鉱也1，長　康雄1，村岡裕明1，山川清志2
△	6	導電性CNTカンチレバーによるSNDM測定の分解能向上	東北大通研　○石川健哉，長　康雄
△	7	二軸独立検出可能な摩擦力顕微鏡用マイクロ・メカニカルプローブ	名大工1，科技振さきがけ2　○寺田　諭1，福澤健二1,2，式田光宏1，雨川洋章1，張　賀東1，三矢保永1
△	8	Si(111)√3x√3-Ag表面ナノ構造への量子閉じ込め	東工大総理工1，東工大総理工2　○（M）石塚　健1，平山博之2
△	9	非接触原子間力分光法による単一ナノドット上の単一電子計測とその理論解析	東工大院理工1，科学技術振興機構2，筑波大3　○（D）東　康男1，金原正幸3，寺西利治3，真島　豊1,2
△	10	二酸化チタン表面に吸着した色素分子の走査プローブ顕微鏡観察	神戸大理1，JST2，シャープ3　○（M）池田昌稔1，笹原　亮1,2，小出直城3，韓　礼元3，大西　洋1
		休 憩 16:00〜16:15
	11	Fe/Si(111)表面構造の走査トンネル顕微鏡による観察	物質材料研究機構1，上海応用物理研2　鞏　金竜1,2，○山内　泰1
	12	Si(110)表面上のAu薄膜形成初期過程のSTM観察	豊田工大ナノテクセ　○田中正典，吉村雅満，上田一之
	13	Pdによって誘起されるSi(110)再構成表面のSTM観察	豊田工大　○（M）大平　豊，吉村雅満，上田一之
	14	Fe蒸着によるSi(110)表面上ナノワイヤの形成	豊田工大　○（M）大平　豊，吉村雅満，上田一之
	15	p型GaAs(110)表面近傍に存在するドーパント原子のSTM-BH観察	京大院工1，京大IIC2　○（D）小林賢吾1，黒川　修2，酒井　明2
	16	走査型トンネル顕微鏡を用いたAu(111)基板上のVOPc分子の観察	愛工大　○（M）山本浩二，落合鎮康，澤　五郎，内田悦行，小嶋憲三，大橋朝夫，水谷照吉
	17	STMによるPd/Ni(111)初期成長過程の観察	大阪府大院理1，豊田工大ナノハイテクセ2　○（M）山内　要1，梅澤憲司1，中西繁光1，大平　豊2，吉村雅満2
	18	Ni(111)表面上Fe薄膜の成長におけるSTM観察	産総研　○安　　白，福山誠司，横川清志
	19	水晶−長辺振動振動子を用いた極低温非接触原子間力顕微鏡によるSi(111)7x7表面の観察	東大物性研1，科技機構2　○安　東秀1,2，西尾隆宏1，小野雅紀1，秋山琴音1,2，江口豊明1，長谷川幸雄1,2
	20	NC-AFMを用いたアルカリ土類金属弗化物表面の原子分解能観察	阪大院工　○（P）清野宜秀，吉川正太，森田清三
6.6 プローブ顕微鏡
3月25日　9:30〜18:30
25a-R-　/ II
	1	NC-AFMによるSi(111)-(7x7)表面でのSi adatomの室温水平原子操作	阪大院工　○（D）杉本宜昭，阿部真之，クスタンセオスカル，森田清三
	2	非接触原子間力顕微鏡を用いたポテンシャルマッピング	阪大院工　○（B）並川　峻，杉本宜昭，森田健一，クスタンセオスカル，阿部真之，森田清三
	3	KFMによるフィードバック回路を用いない静電ポテンシャル測定	筑波大物工,CREST-JST,21世紀COE　○武内　修，生頼義久，吉田昭二，重川秀実
	4	周波数モードによる分子吸着絶縁体表面の局所ポテンシャル測定	阪大産研1，荏原総研2，科学技術振興機構3　○（D）山田郁彦1，高東智佳子1,2，松本卓也1,3，川合知二1,3
	5	STMを用いた半導体デバイスの局所光起電力計測	筑大・CREST・21世紀COE　○（D）吉田昭二，蟹谷裕也，菊地純一，大島隆治，武内　修，岡田至崇，重川秀実
	6	パルスレーザー光を使ったケルビンフォースの顕微時分割測定：Si酸化膜の電子捕獲過程の観測	SPring-8 JASRI1，マンチェスター大2　○石井真史1，Bruce Hamilton2
		休 憩 11:00〜11:15
	7	立体ナノ構造観察に向けたエッジ検出機能の開発	東理大1，NTT物性基礎研2，NTTフォト研3，CREST／JST4　○遠藤晋旦，尾身博雄，村下　達，小林慶裕
	8	STM点接触法による単一分子の伝導測定	筑大物理工1，21世紀COE2，CREST-JST3，産総研4　○奥津吉隆1,2,3，保田　諭1,2,3，佐々木慈郎1,2,3，吉田昭二1,2,3，中村　徹4，武内　修1,2,3，重川秀実1,2,3
	9	FM-DFMによる金属フタロシアニン薄膜の分子スケール構造・物性評価	京大院工1，京大IIC2，CREST/JST3　○一井　崇1，小林　圭2，松重和美1，山田啓文1,3
	10	ペンタセン分子結晶のFM-AFMによる表面構造	東北大工　佐藤一弥，○板谷謹悟
	11	トーションモード（TRmodeTM）による毛髪表面の水中観察	日本ビーコ　○三澤真弓
		昼 食 12:30〜13:30
25p-R-　/ II
	1	高速AFMによる位相イメージング	金沢大自然科学1，CREST-JST2　○内橋貴之1,2，山下隼人1，安藤敏夫1,2
	2	Cu(110)上の酸素原子のSTM発光振動分光	東北大・通研1，物材機構・ナノマテ研2，北陸先端大3　○上原洋一1，坂本謙二2，潮田資勝3
	3	Si表面に形成されたナノ構造からのSTM発光	東工大院総合理工1，東工大院理工2　○（M）千葉綾子1，今田　裕2，横谷真樹2，山本直紀2
	4	色素分子/Au系の大気中STMにおける発光分光	筑波大物工,21世紀COE,CREST-JST　○岡田有史，金澤　研，Maxime Berthe，林　　究，武内　修，重川秀実
	5	超高真空・低温・磁場印加型磁気力顕微鏡の開発	東工大応セラ研1，学振2，ユニソク3，東大理4　○菅谷英生1,2，宮武　優3，長村俊彦3，一杉太郎4，島田敏宏4，松本裕司1，長谷川哲也4
	6	高分解能磁気力顕微鏡の開発：探針冷却による低ノイズ化	秋田大工学資源　○斉藤　準，砂原亮介，夏目貴史，石尾俊二
	7	位相変調方式原子間力顕微鏡(PM-AFM)の性能評価	阪大院工1，CREST, JST2　○小林成貴1，李　艶君1,2，内藤賀公1,2，影島賢巳1,2，菅原康弘1,2
	8	スプリアス振動の抑制によるカンチレバーの共振の高精度計測	東北大　○辻　俊宏，小針健太郎，井手清志郎，山中一司
	9	高周波重畳法による光てこカンチレバー変位検出法の雑音特性の改善	京大院工1，京大IIC2　○（B）堀内　喬1，梶田輝之1，小林　圭2，山田啓文1，松重和美1
		休 憩 15:45〜16:00
	10	清浄Si探針とSi表面の相互作用力と電流の電圧印加-非接触原子間力分光法による測定	筑波大物理1，JST、PRESTO2，北陸先端大材料3　○新井豊子1,2，富取正彦3
▲	11	Single Atomic Contact Adhesion and Dissipation in Non-Contact Atomic Force Microscopy: Experiments and theory	阪大院工1，UAM　スペイン2　○Oscar Custance1，大藪範昭1，Pablo Pou2，杉本宜昭1，Pavel Jelinek2，阿部真之1，Ruben Perez2，森田清三1
	12	グラファイト(0001)面上の帯状ポリジアセチレンatomic sash ―STM探針誘起重合による生成と相転移の蒸着量・基板温度依存―	東京農工大工1，北里大理2　○遠藤　理1，堀越桐子1，栖原正典1，尾崎弘行1，真崎康博2
	13	超高真空STMによるSiO2／Si(111)ナノリソグラフィー（1） ー臨界条件の検討	名城大理工1，名城大21世紀COE2　○成塚重弥1,2，細田悦子1，上村英明2，丸山隆浩1,2
	14	プローブ陽極酸化膜の局所光伝導測定II	産総研ナノテク1，SIIナノテクノロジー2　○時崎高志1，安藤和徳2，倉持宏実1,2，横山　浩1
	15	CNT探針を用いた陽極酸化への湿度の影響	産総研ナノテク1，SIIナノテクノロジー2　○倉持宏実1,2，安藤和徳2，時崎高志1，横山　浩1
	16	微小開口をもつAFM探針からの溶液ナノディスペンシング (2)	京大院工1，京大ナノ支援P2，京大IIC3　○改正清広1,2，佐藤宣夫1，小林　圭3，山田啓文1，松重和美1
	17	ナノピペットプローブを有するSPMを用いた光硬化性樹脂の微細加工法	静岡大　○後　勇樹，永見信一郎，佐々木　彰，岩田　太
	18	低温環境下におけるGe(111)-c(2x8)表面上におけるSnとGeの交換型原子操作実験	阪大工1，阪大FRC2　○（D）大藪範昭1，Oscar Custance2，杉本宜昭1，石山敦史1，阿部真之1，森田清三1,2
	19	絶縁体表面での単欠陥の水平原子操作	阪大院工　○西　竜治，李　仁淑，宮川大輔，江頭宏規，森田清三
6.6 プローブ顕微鏡
3月26日　9:30〜13:00
26a-R-　/ II
	1	MFM用磁性体被膜カーボンナノチューブ探針の作製	阪大院工1，阪大超高圧電顕センター2，東大院理3　○岸田　優1，小西博文1，村田裕也1，前田大輔1，保田達郎1，本好謙司1，冨田一裕1，本多信一1，李　正九2，森　博太郎2，吉本真也3，久保敬祐3，保原　麗3，松田　巌3，長谷川修司3，片山光浩1
	2	導電性カーボンナノチューブ探針の高収率作製	阪大院工1，東大院理2　○小西博文1，岸田　優1，村田祐也1，前田大輔1，保田達郎1，冨田一裕1，本好謙司1，木村雄彦1，吉本真也2，久保敬祐2，保原　麗2，松田　巌2，長谷川修司2，本多信一1，片山光浩1
	3	金属探針先端上の単層カーボンナノチューブ直接成長	阪大院工1，京都工繊大2，和歌山大3，阪大超高圧電顕センター4　○Winadda Wongwiriyapan1，水田友昭1，大森崇史1，岸本嘉人1，村田裕也1，小西博文1，岸田　優1，村上俊也2，木曽田賢治3，播磨　弘2，李　正九4，森　博太郎4，尾浦憲治郎4，本多信一1，片山光浩1
	4	カーボンナノチューブ探針の作製と探針先端化学の検討	北大電子研ナノテクセ　○畔原宏明，岡嶋孝治，徳本洋志
	5	コンタクトモード用導電性CNTプローブの開発	大研化学工業1，大阪府大院工2　○山中重宣1，秋田成司2，大川　隆1，中山喜萬2
	6	イオン照射法成長SPMチップ上単一カーボンナノファイバーの機械的特性	オリンパス1，名工大・院工2　○北澤正志1，太田　亮1，田中純矢2，沖田龍彦2，種村眞幸2
		休 憩 11:00〜11:15
	7	2探針STMによる電気測定:単一およびバンドルした単層CNTの比較	物材機構ナノマテ研1，科技構ICORP2，筑波大院数物3　○久保　理1,2，新ヶ谷義隆1,2，中山知信1,2,3，富本博之1，青野正和1,2
	8	カンチレバー探針先端に固定した光応答型分子‘探針’の光異性化挙動	東工大院理工1，UCSB2　○（D）高松大郊1，山越葉子2，福井賢一1
	9	光異性化現象を用いたAFM探針の親水性/疎水性制御法の開発	阪大院工1，CREST,JST2　○（M）油屋吉宏1，李　艶君1,2，内藤賀公1,2，影島賢巳1,2，菅原康弘1,2
	10	原子間力顕微鏡の探針評価用試料作成II	産総研RIIF　○井藤浩志，藤本俊幸，一村信吾
	11	ナノギャップ電極プローブによる局所伝導特性計測	NTT物性基礎研　○永瀬雅夫，山口浩司
	12	微小四探針法における形状補正	豊田工大　○（P）石川　誠，吉村雅満，上田一之
	13	自己検出カンチレバーを用いたマルチプローブAFMの開発とその基本性能	京大工1，京大IIC2，ニコン3，CREST4　○常見英加1，佐藤宣夫1，小林　圭2，渡辺俊二3，藤井　透3，松重和美1,2，山田啓文1,4