| 8 応用物性 |
| 8.1 磁性材料・磁気デバイス
|
| 8月30日 9:00〜11:15 |
| 30a-M- / I |
| |
1 |
表面を微細加工したYIG単結晶薄膜の静磁波伝播特性 |
大阪府立高専 ○(B)齊木惇高,前田篤志,須崎昌己 |
| |
2 |
マグネタイトナノワイヤーの成長 |
金沢工大・工1,静岡大電研2 ○岡田守弘2,肥田好鎮1,奥村尚大1,久保村健二1 |
| △ |
3 |
柱状ナノ構造を有するZnFe2O4-BaTiO3薄膜の作製と磁気的性質 |
京大院工 ○(D)中嶋聖介,藤田晃司,田中勝久,平尾一之 |
| |
4 |
[FeCo/Pd]n 超格子膜の元素選択軟X線磁気円二色性による界面磁化 |
富士通研1,富士通2,JASRI/SPring-83 ○淡路直樹1,野間賢二2,土井修一1,野村健二1,中村哲也3 |
| |
|
休 憩 10:00〜10:15 |
|
| |
5 |
Co系アモルファスリボンのインピーダンスに対する熱処理効果 |
山形大院理1,日立金属2 ○(M)鈴木規純1,中村真貴1,石井 修1,沓澤伸明1,吉沢克仁2 |
| |
6 |
リモートセンサ用高磁歪金属薄帯 |
山形大院理1,NECトーキン2 ○(D)中村真貴1,沓澤伸明1,吉澤 慧1,石井 修1,藤原照彦2 |
| |
7 |
磁性リボンを用いた片持ち梁型リモートセンサ |
山形大工 ○沓澤伸明,清藤雅裕,吉澤 慧,中村真貴,神戸士郎,石井 修 |
| |
8 |
磁性リボンを用いた自励式リモート粘度センサ |
山形大院理 ○吉澤 慧,中村真貴,沓澤伸明,神戸士郎,石井 修 |
| 8.2 誘電材料・誘電体
|
| 8月30日 13:00〜17:45 |
| 30p-M- / I |
| |
1 |
第一原理計算によるペロブスカイト型酸化物の強誘電性発現機構の研究(8) |
関西学院大院理工 ○(M)河西宏紀,石角圭佑,高橋 功,寺内 暉,早藤貴範 |
| △ |
2 |
リラクサー強誘電体0.8Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.2PbTiO3の光散乱 |
筑波大院数物1,産総研2 ○塚田真也1,池 祐治1,狩野 旬1,関谷 忠2,下條善朗2,王 瑞平2,小島誠治1 |
| △ |
3 |
シリカ系超構造薄膜の可視発光および温度特性 |
神奈川工大工 ○藤塚 俊,野毛 悟,宇野武彦 |
| |
4 |
AFMによるCaCu3Ti4O12巨大誘電応答の起源の解明 |
ERATO JST1,東工大応セラ研2,東工大院理工3 ○符 徳勝1,2,有馬陽介2,谷口博基2,谷山智康2,伊藤 満2,腰原伸也1,3 |
| △ |
5 |
欠陥制御によるチタン酸鉛単結晶の高強誘電機能化 |
東大先端研1,科技機構さきがけ2 ○(M)玉田 稔1,野口祐二1,2,宮山 勝1 |
| |
6 |
マイクロ波導波路用(Ba0.5Sr0.5)TiO3薄膜の電気的特性評価
|
奈良先端大物質 ○(M)河野琢磨,パックディソンクラーム ガン,西田貴司,内山 潔,塩嵜 忠 |
| |
7 |
(Ba, Sr)TiO3薄膜の周波数変換素子応用における非線形誘電特性の解析 |
奈良先端大物質 ○西田貴司,パックディソンクラーム ガン,河野琢磨,内山 潔,塩嵜 忠 |
| △ |
8 |
電荷秩序型強誘電体YFe2O4-δの電気伝導特性 |
阪府大・工1,阪府大・理2,岡山大・理3 ○(M)今村 謙1,堀部陽一2,吉村 武1,藤村紀文1,森 茂生2,池田 直3 |
| |
|
休 憩 15:00〜15:15 |
|
| |
9 |
走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたKTa1-xNbxO3(KTN)結晶の相転移温度測定 |
NTTフォトニクス研1,東北大通研2 ○坂本 尊1,2,中村孝一郎1,藤浦和夫1,長 康雄2 |
| |
10 |
非接触プローブを用いた誘電デバイスの微小領域・高周波誘電率測定 |
東工大 ○掛本博文,李 建永,張替貴聖,南 ソンミン,和田智志,鶴見敬章 |
| ▲ |
11 |
静電チャック特性のプラズマ環境依存性 |
名古屋大学1,東芝2 ○(D)沈 規一1,山内健資2,菅井秀郎1 |
| |
12 |
コンタクトエピタクシー法による石英基板への単結晶薄膜形成 |
神奈川工大 ○野毛 悟,宇野武彦 |
| △ |
13 |
無容器法で作製したBaTi2O5ガラスの構造と物性 |
宇宙航空研究開発機構1,エイ・イー・エス2 ○増野敦信1,荒井康智1,大坪史明2,余野建定1 |
| |
14 |
BaTiO3系セラミックスの超広帯域における誘電特性評価 |
東工大院 ○(P)李 建永,掛本博文,和田智志,鶴見敬章 |
| |
15 |
SrTiO3-SrZrO3系固溶体のマイクロ波、赤外誘電応答 |
東工大1,NEC2,産総研3 ○鶴見敬章1,寺西貴志1,張替貴聖1,李 建永1,掛本博文1,和田智志1,中田正文2,明渡 純3 |
| |
16 |
Sr1-xMexBi2Nb2-yVyO9
(Me=Ba, Ca, Bi0.5Na0.5)セラミックスの電気的諸特性 |
東理大理工 ○(M)稲井慎也,佐藤淳平,晝間裕二,鈴木宗泰,永田 肇,竹中 正 |
| |
17 |
La2O3を添加した(Bi1/2Na1/2)TiO3-(Bi1/2K1/2)TiO3セラミックスの圧電特性 |
東理大理工 ○(M)吉井一滋,晝間裕二,鈴木宗康,永田 肇,竹中 正 |
| |
18 |
スパッタおよびドライエッチングにより作製したPb(Zr,Ti)O3膜を用いたダイアフラム型圧電素子の特性評価 |
アルバック半技研 ○木村 勲,西岡 浩,菊地 真,小風 豊,遠藤光広,植田昌久,森川康宏,小出澤 徹,鄒 紅コウ |
| 8.3 微粒子・粉体
|
| 9月1日 |
| 1a-P14- / I |
| |
|
ポスターセッション
1a-P14-1〜10 ポスター展示時間9:30〜11:30 |
| |
1 |
R型二酸化マンガン・ナノパウダーの合成方法 |
京大生存研1,京大化研2 ○古屋仲秀樹1,辻本将彦2 |
| |
2 |
Pdナノ粒子の誘電泳動集積と水素ガスセンサへの応用 |
九大シス情 ○末廣純也,樋高慎一郎,山根真司,今坂公宣,東畠三洋,岡田龍雄 |
| △ |
3 |
高温基板への斜め蒸着によるアルミニウムナノワイヤーの形成 |
京大院・工1,コベルコ科研2 ○(M)永井孝治1,鈴木基史1,木村健二1,中嶋 薫1,木下 定1,岡野智規2,笹川 薫2 |
| |
4 |
Gel成長法によるZnSナノ結晶の育成と評価 |
徳島大工1,立命館大理工2,物質・材料研究機構3 ○(D)墻内孝祐1,井関裕司1,柳谷伸一郎1,森 篤史1,墻内千尋2,関口隆史3,井上哲夫1 |
| |
5 |
ゲル成長法によるPbS結晶のモルフォロジー変化 |
徳島大工 ○(M)中田慎一,井上哲夫,柳谷伸一郎,森 篤史 |
| |
6 |
極紫外光検出のための蛍光体(Zn2SiO4:Mn,BaMgAl10O17:Eu)の特性評価 |
阪大院工1,阪大レーザー研2,分子科学研3 ○(M)山本雅史1,2,羽原英明1,2,田中和夫1,2,繁政英治3,蓮本正美3 |
| |
7 |
遠心法による球形トナーの付着力測定 |
茨城大工 ○(M)川崎邦晃,竹内 学,和田達明 |
| |
8 |
軟 X 線式イオナイザを使った除電システムの開発 |
茨城大工1,能開総合大2 ○(D)作山昌史1,竹内 学1,岡野一雄2 |
| |
9 |
空間電荷濃度センサの特性に及ぼす送風の影響 |
能開総合大1,広島国際大2 ○(B)林 健太1,今園浩之1,寺重隆視2,岡野一雄1 |
| |
10 |
コロナ放電型イオナイザの EMI に及ぼす設置位置の影響 |
能開総合大 ○(M)高橋佑太,氏家翔太,岡野一雄 |
| 8.4 ナノエレクトロニクス
|
| 8月31日 13:00〜18:25 |
| 31p-M- / I |
| |
1 |
量子ネルンスト効果 |
核融合研1,東大生産研2,横国大工3 ○中村浩章1,羽田野直道2,白崎良演3 |
| |
2 |
磁場中の量子ドットにおける電子移動の量子動力学計算 |
成蹊大理工 ○(M)大町芳史,西川昌輝,坂本昇一,富谷光良 |
| |
3 |
ナノエレクトロメカニカル単電子トランジスタにおけるACゲート効果 |
北大工 ○西口規彦 |
| |
4 |
RF信号入力時のカンチレバーの共振によるトンネル電流の観察 |
東工大院理工1,ケンブリッジ大物理2,科学技術振興機構3 ○(D)東 康男1,Smith
Charles2,真島 豊1,3 |
| |
5 |
Fe-MgOグラニュラー膜における単電子トンネリングとRTS観察 |
北大情報科学 ○(M)西尾宏之,細谷裕之,浜田弘一,有田正志,高橋庸夫 |
| △ |
6 |
金属ナノギャップ電極による抵抗スイッチング効果のメカニズム検証 |
産総研ナノテク ○内藤泰久,堀川昌代,清水哲夫 |
| |
7 |
ナノギャップ電極の抵抗スイッチング効果における電極材料依存性 |
船井電機新応用技研1,産総研ナノテク2 ○古田成生1,高橋 剛1,小野雅敏1,内藤泰久2,堀川昌代2,清水哲夫2 |
| |
8 |
ナノギャップスイッチの動作雰囲気依存性 |
産総研ナノテク1,船井電機新応用技研2 ○清水哲夫1,堀川昌代1,古田成生2,高橋 剛2,小野雅敏2,内藤泰久1 |
| |
|
休 憩 15:00〜15:15 |
|
| |
9 |
「JJAP論文賞受賞記念講演」(30分)
Analysis of Back-Gate Voltage Dependence of Threshold Voltage of Thin Silicon-on-Insulator
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor and Its Application to
Si Single-Electron Transistor |
日本電信電話 ○堀口誠二,藤原 聡,猪川 洋,高橋庸夫 |
| |
10 |
単一InAs自己形成量子ドットによるドット近傍FETチャンネルの電子輸送特性 |
北大量子集積1,CREST-JST2,東大生研3 ○柏田沙織1,Jung
Minkgung3,平川一彦3,陽 完治1,2 |
| ▲ |
11 |
High-K絶縁膜に埋め込まれた バイオナノドットフローティングゲートメモリー |
奈良先端大1,松下電器2 ○パンチャイペッチプラカイペッチ1,矢野裕司1,畑山智亮1,浦岡行治1,冬木 隆1,吉井重雄2,山下一郎2 |
| △ |
12 |
ヘキサゴナルBDD回路高密度実装に適した化合物半導体ナノ細線デバイスの検討 |
北大院情報科学1,北大量集センター2 ○(D)田村隆博1,2,葛西誠也1,2,佐藤威友1,2,橋詰 保1,2 |
| △ |
13 |
GaAs系ショットキーラップゲート制御量子細線トランジスタの少数電子スイッチング特性評価 |
北大院情報科学1,北大量集センター2 ○(M)白鳥悠太1,2,中村達也1,2,葛西誠也1,2 |
| |
|
休 憩 16:45〜16:55 |
|
| |
14 |
2つの島と容量結合した1つのゲートを有するマルチドットライク単電子デバイスの動作 |
立命館大理工 ○今井 茂,川村大地 |
| △ |
15 |
2つの電流パスを持つSi量子ドットアレイによる論理機能の発現 |
北大情報1,NTT物性基礎研2 ○(D)開澤拓弥1,有田正志1,藤原 聡2,山崎謙治2,高橋庸夫1 |
| |
16 |
単一電子インバータに対するパラメータ変動と温度の影響 |
群馬高専 ○大豆生田利章 |
| |
17 |
単電子結合振動子の非線形現象 |
北大情報科学 ○(M)キコンボ アンドリュー キリンガ,広瀬哲也,浅井哲也,雨宮良仁 |
| |
18 |
ショットキーWPG制御GaAsナノ細線ネットワークによるナノプロセッサ要素回路の構築 |
北大院情報科学1,北大量集センター2 ○(M)中村達也1,2,葛西誠也1,2,橋詰 保1,2 |
| |
19 |
GaAs系ショットキーラップゲート構造による高機能グラフ論理デバイスの実装 |
北大院情報・量子集積センター1,カルガリ大2 ○葛西誠也1,中村達也1,白鳥悠太1,Yanushukevich
Svetlana2 |
| 8.5 熱電変換
|
| 8月30日 9:00〜18:00 |
| 30a-L- / I |
| △ |
1 |
BaAlSi 系クラスレートの合成と熱電性能評価 |
九大工 ○宗藤伸治,槙山秀樹,本岡輝昭 |
| |
2 |
Sr充填Siクラスレートの熱電特性 |
山口大工 池田直哉,河合岳志,岸本堅剛,○小柳 剛 |
| |
3 |
テルルを内包したクラスレート化合物の合成と熱電気的特性 |
山口大院理工 ○岸本堅剛,小柳 剛 |
| |
4 |
Ba8AuxGaySi46-x-yクラスレート化合物の熱電特性 |
山口東理大基礎工 鈴木康司,外園昌弘,古賀健治,○阿武宏明,松原覚衛 |
| |
5 |
Ba8-xEuxAu6Ge40クラスレートの熱電特性 |
山口東理大基礎工 ○(M)沖田一樹,古賀健治,阿武宏明,松原覚衛 |
| |
|
休 憩 10:15〜10:30 |
|
| |
6 |
スクッテルダイトYb-(Co, Fe)-Sb系熱電材料における異種元素添加効果 |
古河機械金属研究開発本部 ○郭 俊清,耿 慧遠,越智俊一 |
| △ |
7 |
Bi1.9Sb0.1Te3.0+δの低温熱電特性 |
北陸先端大 ○渕野智功,中本 剛,栗栖牧生 |
| |
8 |
ε-Zn4Sb3の組成分析 |
北陸先端大1,忠州大2,カーディフ大3 ○中本 剛1,赤井法幸1,栗栖牧生1,I..-H.
Kim2,S.-C. Ur2,V.L. Kuznetsov3 |
| |
9 |
Biマイクロワイヤーアレイにおける熱電性能の向上 |
北陸先端大1,埼玉県産業技術総合センター2,埼玉大院3 ○岩崎秀夫1,大野陽平1,佐藤智哉1,近森大亮1,小矢野幹夫1,森田寛之2,長谷川靖洋3 |
| △ |
10 |
ナローギャップ半導体SrSi2の熱電特性 |
東大院新領域1,CREST-JST2 ○(M)山口耕平1,野原 実1,2,高木英典1,2 |
| △ |
11 |
異方的な不純物散乱モデルによる熱電変換性能指数の異方性評価 |
慶應理工 ○(D)池田和磨,矢後理久,的場正憲 |
| |
|
昼 食 12:00〜13:00 |
|
| 30p-L- /
I |
| |
1 |
「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
反応性固相エピタキシャル成長法を利用した層状コバルト酸化物エピタキシャル薄膜の作製と熱電特性 |
名大院工1,科技機構CREST2,科技機構ERATO-SORST3,JFCC4,東大院工5,東工大応セラ研6 ○杉浦健二1,太田裕道1,2,水谷篤史1,野村研二3,齋藤智浩4,幾原雄一5,柳 博6,平野正浩3,細野秀雄3,6,河本邦仁1,2 |
| |
2 |
CeドープSrTiO3薄膜の熱電物性 |
東北大金研1,JST さきがけ2 ○山田康浩1,大友 明1,2,川崎雅司1 |
| |
3 |
NbドープTiO2エピタキシャル薄膜のキャリア輸送と熱電変換特性 |
名大院工1,科技機構CREST2 ○(M)栗田大佑1,太田慎吾1,太田裕道1,2,河本邦仁1,2 |
| |
4 |
還元処理したSrTiO3バルク単結晶の低温Seebeck係数 |
名大院工1,科技機構CREST2 ○(M)中西由貴1,太田裕道1,2,河本邦仁1,2 |
| |
5 |
TiO2/SrTiO3ヘテロ界面における高濃度二次元電子ガスの巨大熱電応答 |
名大院工1,科技機構CREST2,科技機構ERATO-SORST3 ○太田裕道1,2,3,金 聖雄3,野村研二3,太田慎吾1,野村隆史1,平野正浩3,細野秀雄3,河本邦仁1,2 |
| △ |
6 |
SrTiO3/Nb:SrTiO3超格子の巨大熱電応答 |
名大院工1,科技機構CREST2,東大総研3 ○(M)宗 頼子1,太田裕道1,2,溝口照康3,幾原雄一3,河本邦仁1,2 |
| |
|
休 憩 14:30〜14:45 |
|
| |
7 |
パルスレーザー蒸着法を用いて作製したn型Gd2-xPrxCuO4混晶系薄膜の熱電変換特性 |
名大工1,名大エコトピア2 ○一野祐亮1,野々山公亮1,神谷 彰1,吉田 隆1,高井吉明1,伊藤孝至2 |
| |
8 |
粒径制御したBaZrO3を添加したSm1.98Ce0.02CuO4薄膜の熱電特性 |
名大工1,名大エコトピア2 ○(M)神谷 彰1,一野祐亮1,吉田 隆1,高井吉明1,伊藤孝至2 |
| |
9 |
Rh酸化物におけるMg置換効果 |
早大理工1,CREST-JST2 ○芝崎聡一郎1,小林 航1,寺崎一郎1,2 |
| |
10 |
層状コバルト酸化物における輸送特性の系統的理解 |
早大理工1,CREST2 ○(P)小林 航1,寺崎一郎1,2 |
| △ |
11 |
Bi系Co,Rh酸化物の熱電特性 |
松下電器 先端研 ○(P)岡田悟志,酒井章裕,菅野 勉,四橋聡史,足立秀明 |
| △ |
12 |
Pb添加したCa3Co4O9の熱電特性 |
横浜国大工 ○鄭 鉉默,五味奈津子,金 洛煕,中津川 博 |
| |
|
休 憩 16:15〜16:30 |
|
| ▲ |
13 |
gama-NaxCoO2の高温熱電特性 |
科学技術振興機構1,東北大院工2,東北大金研3 ○黄 向陽1,宮崎 譲1,2,湯蓋邦夫1,3,梶谷 剛1,2 |
| |
14 |
室温強磁性体Sr0.75Y0.25CoO3-δの熱電特性 |
早大理工1,産総研2,CREST-JST3 ○高橋美博1,吉田 慎1,小林 航1,小原春彦2,寺崎一郎1,3 |
| |
15 |
P型スピネル系焼結体(CoyNi1-y)xFe3-xO4の熱電特性 |
早大理工 ○(M)山本賢二,町田清仁,及川 靖,金 倉満,尾崎 肇 |
| |
16 |
β-AxV2O5 (A
= Cu, Sr) の合成と熱電特性 |
東北大院工1,科技構CREST2 ○宮崎 譲1,2,阿部大介1,酒井英明1,梶谷 剛1,2 |
| |
17 |
亜酸化銅薄膜の熱電特性 |
東洋大工1,埼玉県産技総セ2 ○馬橋茂雄1,柏木邦宏1,森田寛之2,黒河内昭夫2,和田健太郎2 |
| |
18 |
p型-Ca3Co4O9/n型-CaMnO3系π型モジュールの発電特性と耐久性 |
JST CREST1,産総研2,大阪電通大3 ○浦田さおり1,舟橋良次1,2,三原敏行1,2,岩崎加奈子2,鍋島直樹3 |
| 8.5 熱電変換
|
| 8月31日 9:00〜12:00 |
| 31a-L- / I |
| |
1 |
CeO2微細析出物を添加したBi2Te3薄膜の熱電特性 |
名大工1,慶大理工2,日立機械研3,名大エコトピア4 ○(M)前田正憲1,一野祐亮1,吉田 隆1,高井吉明1,兼松大二1,長坂雄次2,須藤公彦3,中里典生3,伊藤孝至4 |
| |
2 |
Si基板上beta-FeSi2 [100]配向膜の輸送特性 |
東工大1,東京理科大学2 ○掛本博文1,樋口 透2,和田智志1,鶴見敬章1 |
| △ |
3 |
熱電発電における最大負荷電力供給用回路 |
神奈川大工1,神奈川大HRC2,産総研3 ○(M)山崎 純1,山口栄雄1,2,3,山本 淳3 |
| △ |
4 |
InN単結晶薄膜の熱電特性 |
神奈川大工1,神奈川大HRC2,産総研3,京大院工4 ○(M)松本崇之1,山口栄雄1,2,山本 淳3,船戸 充4,川上養一4 |
| |
5 |
Si-Ge-Au熱電半導体薄膜の光センサーへの応用 |
防衛大機能材料 ○(M)滝口裕章,福井一人,藤井貫志,末永丁士,岡本庸一,守本 純 |
| |
6 |
劣化エピタキシャル成長したSiGe膜の熱電特性の基板依存性 |
金大1,防衛大2 ○(M)的場彰成1,早平寿夫1,都築崇博1,佐々木公洋1,岡本庸一2,守本 純2 |
| |
|
休 憩 10:30〜10:45 |
|
| |
7 |
X線回折によるPbTe/PbTeSe及びEuTe/PbTe超格子の構造と相互拡散評価 |
静大工1,トヨタ自動車2 曹 道社1,バイスマーチン1,井上 翼1,木太拓志2,○石田明広1 |
| |
8 |
PbTe薄膜及びEuTe/PbTe超格子の熱電特性 |
静大工1,トヨタ自動車2 ○石田明広1,曹 道社1,バイスマーチン1,井上 翼1,木太拓志2 |
| |
9 |
電着法により作製したBi2Te3薄膜物性の電着温度依存性 |
中部大工 ○坂本清隆,藤澤 優,土本 聡,高橋 誠,佐藤昭次,後藤秀雄,脇田紘一 |
| |
10 |
コンビナトリアル熱電材料探索を目指したサーマルプローブ法の高速化 |
産総研1,物材機構2 ○山本 淳1,小原春彦1,知京豊裕2 |
| |
11 |
熱電材料のコンビナトリアル合成・評価手法の開発 |
東北大金研1,トヨタ自動車2 ○(B)渡辺真祈2,木太拓志2,大友 明1,福村知昭1,川崎雅司1 |
| 8.6 新機能材料・新物性
|
| 8月31日 9:00〜9:45 |
| 31a-M- / I |
| |
1 |
電鋳法により作製されたNi超微細管の特性 |
東京工科大 ○三田地成幸,田島雄太,今村義宏 |
| △ |
2 |
PDMS-TEOS系ハイブリッド材料の耐熱性接着剤への応用(II) |
三重大工1,鈴鹿富士ゼロックス2 ○(M)大野篤史1,今里文敏1,青木裕介1,中村修平1,信藤卓也2,川北 忠2 |
| △ |
3 |
錯体重合法を用いて合成した(Ni0.97, Cu0.03)O
粒子の磁気特性 |
長岡技大極限セ ○(M)亀川貴行,井上 淳,鈴木常生,中山忠親,末松久幸,新原晧一 |